Артикул: 1156434

Раздел:Технические дисциплины (100495 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3138 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (878 шт.)

Название или условие:
Назовите свободные носители заряда: а) в кристалле кремния с примесью мышьяка; б) в кристалле германия с примесью индия.
1. а); б) - электроны
2. а) - дырки; б) - электроны
3. а) - электроны; б) - дырки
4. а); б) - дырки

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Задание 9
При изменении тока от 4-х до 20 мА напряжение на стабилитроне изменилось на 0,12 В. Чему равно дифференциальное сопротивление этого стабилитрона?
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
Задание 4
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 1 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?

• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является истоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки
• Не требуется
• Требуется всегда, как и для биполярного транзистора
• Требуется только при работе в особых условиях
• Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом