Артикул: 1156388

Раздел:Технические дисциплины (100444 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3135 шт.) >
  Транзисторные каскады (461 шт.)

Название или условие:
Основы моделирования усилительных каскадов на биполярных транзисторах (отчет по практике)

Описание:
ОГЛАВЛЕНИЕ 3
ОПРЕДЕЛЕНИЕ РЕЖИМА РАБОТЫ СХЕМЫ 4
ОПИСАНИЕ ЭЛЕМЕНТОВ И РАБОТЫ СХЕМЫ 5
СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ 6
ЭТАП 0 6
ПОСТРОЕНИЕ КРИВОЙ МАКСИМАЛЬНОЙ МОЩНОСТИ ТРАНЗИСТОРА 6
ПОСТРОЕНИЕ ВХОДНОЙ ВАХ ТРАНЗИСТОРА 8
ПОСТРОЕНИЕ ВЫХОДНОЙ ВАХ ТРАНЗИСТОРА 11
ПОСТРОЕНИЕ ЛИНИИ НАГРУЗКИ 14
ЭТАП 1 17
ЭТАП 2 19
ЭТАП 3 21
ЭТАП 4 24
ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ТЕМПЕРАТУРЫ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ СХЕМЫ УСИЛИТЕЛЯ 27
ЭТАП 5 29
ВЫВОД 31


Поисковые тэги: MicroCap

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 23. Составить схему замещения каскада (см. рис.1) и рассчитать его динамические параметры при h21 = 50, h11 = 1 кОм, RБ = 120 кОм, RК = 5 кОм, для трех значений сопротивления нагрузки: Rн1 = 0,5 кОм, Rн2 = 5 кОм, Rн3 = 15 кОм. Как зависит режим работы каскада от сопротивления нагрузки? Параметрами h12 и h22 транзистора пренебречь.	Вариант №36 Элементы, обеспечивающие работу усилительного каскада на ОИ в режиме покоя на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом. Дать схему каскада. Какова полярность напряжения смещения Uзо по сравнению с напряжением питания Ес.
Ек = 15 В; Uзап = 0; Uотп = 3,5 В; Параметры VT1: β = 35; Uкэнас = 0,25 В; Uбэнас = 0,7 В; UHL1 = 1,8 В. Рассчитать Rб и Rк, при которых обеспечивается IHL1=Iкн = 20 мА и степень насыщения S=2.	Графо-аналитическим способом рассчитать режим усиления биполярного транзистора при условии получения максимальной выходной мощности и минимальных искажений выходного сигнала. Рассчитать элементы схемы, обеспечивающей этот режим. Вариант 81 1. Тип схемы включения транзистора – схема 2. 2. Входные и выходные характеристики транзистора – характеристика 3. 3. Напряжение питания схемы и сопротивление коллектора: Eк=18 В; Rк=100 Ом. 4. Ток делителя для второй схемы. Iдел=6∙Iб0.
Лабораторная работа: УСИЛИТЕЛИ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ. КАСКАД С ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Исследование характеристик и параметров усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером. Исследование влияния обратной связи на параметры каскада. Изучение методов измерения параметров усилителей. Вариант 8 (транзистор BSS72)	Вариант №36 Принципиальная схема каскада ОЭ. Указать назначение элементов, обеспечивающих режим работы по постоянному и переменному току.
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа) Вариант 35 (Шифр Сх39.П20.ОИ.М3)	ЕК=15 В; RН=2 К; RЭ=10 К; β=50. Определить: iБ, UВЫХ
Вариант 15 Eп=30 В; IКО=10 мкА; R1=4К2; R2=2 К; Rэ=300; β=98. Определить: iэ	Для заданной схемы транзисторного усилительного каскада определить: Амплитуду Uвых и Iвых, если Eк = 16 В; Rк = 7.5 кОм; Eсм = 3 В; Rэ = 2,7 кОм; Cр = 100 мкФ; ег = 0,5 В; Rг = 1,5 кОм; f = 1000 Гц. Параметры транзистора: rб = 200 Ом; rэ = 30 Ом; rк* = 75 кОм; β = 50