Артикул: 1154079

Раздел:Технические дисциплины (98408 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2931 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (808 шт.)

Название или условие:
Величина барьерной емкости в ЭДП переходе с ростом обратного напряжения…
Пояснение:
Выберите один ответ.
- увеличивается
- не изменяется
- уменьшается

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.Задача 12. В биполярном транзисторе 1к = 10 мА, 1э = 10,5 мА. Определить коэффициенты передачи тока α и β, если тепловым током можно пренебречь.
1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.