Артикул: 1152220

Раздел:Технические дисциплины (97414 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2822 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (736 шт.)

Название или условие:
Приведите графическое изображение вольт-амперной характеристики представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на ней его основные параметры и дайте их определение.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Приведите графическое изображение вольт-амперной характеристики представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на ней его основные параметры и дайте их определение.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току?
• Схема с общей базой
• Схема с общим эмиттером
• Схема с общим коллектором
• Любая схема имеет усиление по току
Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)

В полупроводнике p-типа основными носителями являются
• Электроны
• Отрицательные ионы
• Положительные ионы
• Дырки