Артикул: 1151741

Раздел:Технические дисциплины (96952 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2797 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (730 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (рис 7).
а) Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4 таблицы) определите заданную величину (столбец 5 таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.
б) определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима;
в) определите коэффициент передачи схемы по напряжению, предполагая, что входной сигнал подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с его стока;
г) рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора
Задание 2 (SPICE-моделирование) (вариант модели по таблице 2)
(см. ниже)
Вариант БИТ-194, 4

Описание:

а) постройте модель МОПТ в программе SPICE на основе листинга 1: скопируйте текст модели из листинга и подставьте значения параметров по варианту, задайте имя модели – свою фамилию; поместите МОПТ на рабочее поле программы и подключите модель к МОПТ; в дальнейших пунктах задания используйте эту модель;
б) постройте модель схемы из задания 1, вместо источника Vg и сопротивления R1 подключите к затвору МОП-транзистора резистивный делитель (с номиналами элементов, определёнными в п. 1,
г) и ёмкость номиналом 1 мкФ (как показано на рис. 7);
в) подключите ко входу источник синусоидального входного сигнала с пара-метрами: амплитуда Vвх,m, мВ, частота f, кГц по варианту; среднее значение, равное постоянному значению VЗ из задания 1а);
г) постройте переходные функции vвх(t) и vвых(t); с помощью курсоров определите для них значения полного размаха Vвх,m и Vвых,m; рассчитайте коэффициент усиления как их отношение: Ku = Vвх,m /Vвых,m;


Дано / Параметры транзистора
Номер схемы: А
Vdd = 2,5 В;
R3 = 10 кОм;
Vпор = 0,43 В;
Vвх = 23 мВ
f = 5 кГц

mu=281 см2/(В•с);
tox =10 нм;
Rвх =20 кОм;
L = 0,25 мкм;
Vg = 0,68 В;
Iпит = 1 мА;
Rс = 1650 Ом;

Найти
VС - ?

Подробное решение в WORD+файл LTSpice

Поисковые тэги: Spice (LTSpice)

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задание 1 (ручной  расчёт)  (рис 7).</b> <br />а)  Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4  таблицы)  определите  заданную величину (столбец  5  таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.  <br />б)  определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима; <br />в)  определите коэффициент передачи схемы  по напряжению,  предполагая, что входной сигнал  подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с  его стока; <br />г)  рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора <br /><b>Задание  2  (SPICE-моделирование)  (вариант  модели  по таблице 2) </b><br /> (см. ниже)<br /><b>Вариант БИТ-194, 4</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 12. В биполярном транзисторе 1к = 10 мА, 1э = 10,5 мА. Определить коэффициенты передачи тока α и β, если тепловым током можно пренебречь.P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Задача №3
По заданной марке и статическим характеристикам полевого транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада с общим истоком (ОИ):
а) записать исходные данные:
марка транзистора – КП302А, тип транзистора – полевой, канал типа - n
напряжение источника питания стоковой цепи ЕС =12 В;
параметры рабочей точки:
значение тока стока при отсутствии входного сигнала IС0=3,2 мА;
значение напряжения сток-исток при отсутствии входного сигнала UСИ0=10 В.
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с ОИ;
в) нарисовать входную (стоко-затворную) и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора с ОИ;
г) показать рабочую точку (по заданным IС0, UСИ0);
д) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему полевого транзистора на низкой частоте;
е) построить линию нагрузки;
ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
з) для линейного (мало искажающего) режима усиления определить входное сопротивление RВХ и выходное RВЫХ, а также коэффициенты усиления по току КI, по напряжению КU и по мощности КР.
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители»
N=3; M=11

Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B.
Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B.
Вид характеристики – № III.
Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА.
Номера вопросов – 11,42.

Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм