Артикул: 1151741

Раздел:Технические дисциплины (96952 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2797 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (730 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (рис 7).
а) Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4 таблицы) определите заданную величину (столбец 5 таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.
б) определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима;
в) определите коэффициент передачи схемы по напряжению, предполагая, что входной сигнал подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с его стока;
г) рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора
Задание 2 (SPICE-моделирование) (вариант модели по таблице 2)
(см. ниже)
Вариант БИТ-194, 4

Описание:

а) постройте модель МОПТ в программе SPICE на основе листинга 1: скопируйте текст модели из листинга и подставьте значения параметров по варианту, задайте имя модели – свою фамилию; поместите МОПТ на рабочее поле программы и подключите модель к МОПТ; в дальнейших пунктах задания используйте эту модель;
б) постройте модель схемы из задания 1, вместо источника Vg и сопротивления R1 подключите к затвору МОП-транзистора резистивный делитель (с номиналами элементов, определёнными в п. 1,
г) и ёмкость номиналом 1 мкФ (как показано на рис. 7);
в) подключите ко входу источник синусоидального входного сигнала с пара-метрами: амплитуда Vвх,m, мВ, частота f, кГц по варианту; среднее значение, равное постоянному значению VЗ из задания 1а);
г) постройте переходные функции vвх(t) и vвых(t); с помощью курсоров определите для них значения полного размаха Vвх,m и Vвых,m; рассчитайте коэффициент усиления как их отношение: Ku = Vвх,m /Vвых,m;


Дано / Параметры транзистора
Номер схемы: А
Vdd = 2,5 В;
R3 = 10 кОм;
Vпор = 0,43 В;
Vвх = 23 мВ
f = 5 кГц

mu=281 см²/(В•с);
tox =10 нм;
Rвх =20 кОм;
L = 0,25 мкм;
Vg = 0,68 В;
Iпит = 1 мА;
Rс = 1650 Ом;

Найти
V_С - ?

Подробное решение в WORD+файл LTSpice

Поисковые тэги: Spice (LTSpice)

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача №3 По заданной марке и статическим характеристикам полевого транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада с общим истоком (ОИ): а) записать исходные данные: марка транзистора – КП302А, тип транзистора – полевой, канал типа - n напряжение источника питания стоковой цепи ЕС =12 В; параметры рабочей точки: значение тока стока при отсутствии входного сигнала IС0=3,2 мА; значение напряжения сток-исток при отсутствии входного сигнала UСИ0=10 В. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с ОИ; в) нарисовать входную (стоко-затворную) и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора с ОИ; г) показать рабочую точку (по заданным IС0, UСИ0); д) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему полевого транзистора на низкой частоте; е) построить линию нагрузки; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала; з) для линейного (мало искажающего) режима усиления определить входное сопротивление RВХ и выходное RВЫХ, а также коэффициенты усиления по току КI, по напряжению КU и по мощности КР.	Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений: Uвх = 1,1В Uвых = 0,5В	Задача 12. В биполярном транзисторе 1к = 10 мА, 1э = 10,5 мА. Определить коэффициенты передачи тока α и β, если тепловым током можно пренебречь.
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.	Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Uвх = -7 В Uвых = -12 В.	P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)