Артикул: 1151741

Раздел:Технические дисциплины (96952 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2797 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (730 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (рис 7).
а) Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4 таблицы) определите заданную величину (столбец 5 таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.
б) определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима;
в) определите коэффициент передачи схемы по напряжению, предполагая, что входной сигнал подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с его стока;
г) рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора
Задание 2 (SPICE-моделирование) (вариант модели по таблице 2)
(см. ниже)
Вариант БИТ-194, 4

Описание:

а) постройте модель МОПТ в программе SPICE на основе листинга 1: скопируйте текст модели из листинга и подставьте значения параметров по варианту, задайте имя модели – свою фамилию; поместите МОПТ на рабочее поле программы и подключите модель к МОПТ; в дальнейших пунктах задания используйте эту модель;
б) постройте модель схемы из задания 1, вместо источника Vg и сопротивления R1 подключите к затвору МОП-транзистора резистивный делитель (с номиналами элементов, определёнными в п. 1,
г) и ёмкость номиналом 1 мкФ (как показано на рис. 7);
в) подключите ко входу источник синусоидального входного сигнала с пара-метрами: амплитуда Vвх,m, мВ, частота f, кГц по варианту; среднее значение, равное постоянному значению VЗ из задания 1а);
г) постройте переходные функции vвх(t) и vвых(t); с помощью курсоров определите для них значения полного размаха Vвх,m и Vвых,m; рассчитайте коэффициент усиления как их отношение: Ku = Vвх,m /Vвых,m;


Дано / Параметры транзистора
Номер схемы: А
Vdd = 2,5 В;
R3 = 10 кОм;
Vпор = 0,43 В;
Vвх = 23 мВ
f = 5 кГц

mu=281 см2/(В•с);
tox =10 нм;
Rвх =20 кОм;
L = 0,25 мкм;
Vg = 0,68 В;
Iпит = 1 мА;
Rс = 1650 Ом;

Найти
VС - ?

Подробное решение в WORD+файл LTSpice

Поисковые тэги: Spice (LTSpice)

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задание 1 (ручной  расчёт)  (рис 7).</b> <br />а)  Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4  таблицы)  определите  заданную величину (столбец  5  таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.  <br />б)  определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима; <br />в)  определите коэффициент передачи схемы  по напряжению,  предполагая, что входной сигнал  подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с  его стока; <br />г)  рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора <br /><b>Задание  2  (SPICE-моделирование)  (вариант  модели  по таблице 2) </b><br /> (см. ниже)<br /><b>Вариант БИТ-194, 4</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Задача №1.
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ):
а) записать исходные данные:
марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА;
амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА.
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы);
в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ;
г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки;
д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0;
е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным;
ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
Задача 2 Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В.
При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы.
N=5

1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;
Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3

Лабораторная работа № 5
Исследование тиристора

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.

Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.