Артикул: 1151741

Раздел:Технические дисциплины (96952 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2797 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (730 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (рис 7).
а) Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4 таблицы) определите заданную величину (столбец 5 таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.
б) определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима;
в) определите коэффициент передачи схемы по напряжению, предполагая, что входной сигнал подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с его стока;
г) рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора
Задание 2 (SPICE-моделирование) (вариант модели по таблице 2)
(см. ниже)
Вариант БИТ-194, 4

Описание:

а) постройте модель МОПТ в программе SPICE на основе листинга 1: скопируйте текст модели из листинга и подставьте значения параметров по варианту, задайте имя модели – свою фамилию; поместите МОПТ на рабочее поле программы и подключите модель к МОПТ; в дальнейших пунктах задания используйте эту модель;
б) постройте модель схемы из задания 1, вместо источника Vg и сопротивления R1 подключите к затвору МОП-транзистора резистивный делитель (с номиналами элементов, определёнными в п. 1,
г) и ёмкость номиналом 1 мкФ (как показано на рис. 7);
в) подключите ко входу источник синусоидального входного сигнала с пара-метрами: амплитуда Vвх,m, мВ, частота f, кГц по варианту; среднее значение, равное постоянному значению VЗ из задания 1а);
г) постройте переходные функции vвх(t) и vвых(t); с помощью курсоров определите для них значения полного размаха Vвх,m и Vвых,m; рассчитайте коэффициент усиления как их отношение: Ku = Vвх,m /Vвых,m;


Дано / Параметры транзистора
Номер схемы: А
Vdd = 2,5 В;
R3 = 10 кОм;
Vпор = 0,43 В;
Vвх = 23 мВ
f = 5 кГц

mu=281 см²/(В•с);
tox =10 нм;
Rвх =20 кОм;
L = 0,25 мкм;
Vg = 0,68 В;
Iпит = 1 мА;
Rс = 1650 Ом;

Найти
V_С - ?

Подробное решение в WORD+файл LTSpice

Поисковые тэги: Spice (LTSpice)

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.	Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ): а) записать исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА; амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы); в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки; д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0; е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
Задача 2 Вариант 17 E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95. Определить: iэ, iб	Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В. При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы. N=5
1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные. 2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора. 3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ). 4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ). 5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ. 6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора. 7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα. 8. Выводы. Вариант 17 Дано Транзистор ГТ321Г Uкэ=7,5 В; Iб=1 мА;	Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Лабораторная работа: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров. Вариант 8 (транзистор BSS71)	Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3
Лабораторная работа № 5 Исследование тиристора 1. Цель работы Изучение конструкции, принципа действия тиристора, его основных параметров и характеристик.	Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.