Артикул: 1151740

Раздел:Технические дисциплины (96951 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2796 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (729 шт.)

Название или условие:
Задание 1 (ручной расчёт) (рис 7).
а) Для заданной схемы (столбец 3 таблицы) и номиналов элементов (столбец 4 таблицы) определите заданную величину (столбец 5 таблицы), а также постоянное значение напряжения затвора VЗ, не учитывая эффект модуляции длины канала.
б) определите крайнее значение искомой величины, при котором транзистор не выходит из активного режима;
в) определите коэффициент передачи схемы по напряжению, предполагая, что входной сигнал подаётся на затвор транзистора, а выходной сигнал снимается с его стока;
г) рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего постоянное значение напряжения затвора
Задание 2 (SPICE-моделирование) (вариант модели по таблице 2)
(см. ниже)
Вариант БИТ-194, 2

Описание:

а) постройте модель МОПТ в программе SPICE на основе листинга 1: скопируйте текст модели из листинга и подставьте значения параметров по варианту, задайте имя модели – свою фамилию; поместите МОПТ на рабочее поле программы и подключите модель к МОПТ; в дальнейших пунктах задания используйте эту модель;
б) постройте модель схемы из задания 1, вместо источника Vg и сопротивления R1 подключите к затвору МОП-транзистора резистивный делитель (с номиналами элементов, определёнными в п. 1,
г) и ёмкость номиналом 1 мкФ (как показано на рис. 7);
в) подключите ко входу источник синусоидального входного сигнала с пара-метрами: амплитуда Vвх,m, мВ, частота f, кГц по варианту; среднее значение, равное постоянному значению VЗ из задания 1а);
г) постройте переходные функции vвх(t) и vвых(t); с помощью курсоров определите для них значения полного размаха Vвх,m и Vвых,m; рассчитайте коэффициент усиления как их отношение: Ku = Vвх,m /Vвых,m;


Дано
Номер схемы: В
Vdd = 1,8 В;
R3 = 10 кОм;
Vпор=-0,32 В;
Параметры транзистора: mu=384 см²/(В•с); tox=3,6 нм; Rвх=20 кОм; L=0,18 мкм; W=32 мкм; Iпит = 1,3 мА; Rс=100 Ом; V(Rи) = 0,03 В;
Vвх = 16 мВ
f = 10 кГц

Найти
V_(RC) - ?


Подробное решение в WORD+файл LTSpice

Поисковые тэги: Spice (LTSpice)

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 12. В биполярном транзисторе 1к = 10 мА, 1э = 10,5 мА. Определить коэффициенты передачи тока α и β, если тепловым током можно пренебречь.	Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.	Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ): а) записать исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА; амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы); в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки; д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0; е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
ЗАДАЧА № 1. Расчет параметров полупроводниковых диодов Вариант 4	1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе. 2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора. 3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме. 4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г). 5. Сделать выводы. Вариант 5а ( МП10А )
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.	Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В. При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы. N=5
ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов» Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: − изучить теоретический материал; − построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков; − построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; − выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально; − вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации	Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3