Артикул: 1151458

Раздел:Технические дисциплины (96676 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2768 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (721 шт.)

Название или условие:
Отчёт по лабораторной работе №3
«Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора»
Цель лабораторной работы:
1. Изучить импульсный метод идентификации параметров нелинейного элемента – биполярного транзистора.
2. Измерить важнейшие параметры малосигнальной эквивалентной схемы низкочастотного биполярного транзистора (rб , rβ, CД , τβ, h21э, Sп ) и изучить их зависимости от режима.

Описание:
Ход лабораторной работы
А. Задание на расчёт
1. Схема Джиаколетто и методика измерения параметров
2. Расчет параметров эквивалентной малосигнальной схемы
Б. Измерение параметров эквивалентной схемы
1. Составление исследуемой схемы
2. Влияние изменения значения сопротивления резистора R2 на рабочую точку транзистора
3. Изучение формы сигнала при малых скоростях развертки
4. Оценка изменения формы сигналов на всем диапазоне токов Iк
5. Расчет параметров эквивалентной схемы Джиаколетто по экспериментальным данным
Выводы по проделанной работе:

Подробное решение в WORD - 16 страниц

Изображение предварительного просмотра:

Отчёт по лабораторной работе №3<br /><b>«Параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора»</b><br />Цель лабораторной работы: <br />1. Изучить импульсный метод идентификации параметров нелинейного элемента – биполярного транзистора.  <br />2. Измерить важнейшие параметры малосигнальной эквивалентной схемы низкочастотного биполярного транзистора (r<sub>б</sub> , r<sub>β</sub>, C<sub>Д</sub> , τ<sub>β</sub>, h<sub>21э</sub>, S<sub>п</sub> ) и изучить их зависимости от режима.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется
• Базой
• Эмиттером
• Коллектором
• Подложкой
Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком?
• Вывод 1
• Вывод 2
• Вывод 3

Задание 3
В режиме насыщения биполярного транзистора

• Эмиттерный переход открыт, коллекторных закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты.
Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой?
• Параметр h11б
• Параметр h12б
• Параметр h21б
• Параметр h22б
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.