1151434 1. Процесс образования пар электрон-дырка называется: ... 2. При введении в кристалл чистого полупроводника атомов пятивалентного элемента электропроводность такого полупроводника называется: ... 3. Основными носителями зарядов в полупроводнике p-типа являются: ... 4. Примесь, обеспечивающая электронами чистый полупроводник, называется ... 5. На границе раздела кристаллов n-и p-типа образуется: ... 6. Включение p-n-перехода в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области p, а минус – к области n называется: ... 7. При прямом включении сопротивление запирающего слоя: ... 8. В полупроводниковом приборе через p-n-переход электроны дрейфуют слева на право, а дырки справа налево. Как расположены кристаллы? ...

Артикул: 1151434

Раздел:Технические дисциплины (96652 шт.) >
Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2767 шт.) >
Физические основы электроники (ФОЭ) (720 шт.)

Название или условие:
1. Процесс образования пар электрон-дырка называется: ...
2. При введении в кристалл чистого полупроводника атомов пятивалентного элемента электропроводность такого полупроводника называется: ...
3. Основными носителями зарядов в полупроводнике p-типа являются: ...
4. Примесь, обеспечивающая электронами чистый полупроводник, называется ...
5. На границе раздела кристаллов n-и p-типа образуется: ...
6. Включение p-n-перехода в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области p, а минус – к области n называется: ...
7. При прямом включении сопротивление запирающего слоя: ...
8. В полупроводниковом приборе через p-n-переход электроны дрейфуют слева на право, а дырки справа налево. Как расположены кристаллы? ...

Описание:
вместо пропусков поставлены ответы

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 2,0 мА, коэффициент усиления тока базы 39. Чему равен ток коллектора? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до сотых долей.	На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
В несимметричном p-n-переходе область с большей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой	В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор? • Транзистор заперт • Транзистор находится в режиме насыщения • Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления • Этот режим недопустим для транзистора.	С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует
Какой из h-параметров биполярного транзистора описывает коэффициент передачи тока в схеме с общей базой? • Параметр h11б • Параметр h12б • Параметр h21б • Параметр h22б	Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки • Не требуется • Требуется всегда, как и для биполярного транзистора • Требуется только при работе в особых условиях • Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом