1151434 1. Процесс образования пар электрон-дырка называется: ... 2. При введении в кристалл чистого полупроводника атомов пятивалентного элемента электропроводность такого полупроводника называется: ... 3. Основными носителями зарядов в полупроводнике p-типа являются: ... 4. Примесь, обеспечивающая электронами чистый полупроводник, называется ... 5. На границе раздела кристаллов n-и p-типа образуется: ... 6. Включение p-n-перехода в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области p, а минус – к области n называется: ... 7. При прямом включении сопротивление запирающего слоя: ... 8. В полупроводниковом приборе через p-n-переход электроны дрейфуют слева на право, а дырки справа налево. Как расположены кристаллы? ...

Артикул: 1151434

Раздел:Технические дисциплины (96652 шт.) >
Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2767 шт.) >
Физические основы электроники (ФОЭ) (720 шт.)

Название или условие:
1. Процесс образования пар электрон-дырка называется: ...
2. При введении в кристалл чистого полупроводника атомов пятивалентного элемента электропроводность такого полупроводника называется: ...
3. Основными носителями зарядов в полупроводнике p-типа являются: ...
4. Примесь, обеспечивающая электронами чистый полупроводник, называется ...
5. На границе раздела кристаллов n-и p-типа образуется: ...
6. Включение p-n-перехода в электрическую цепь, когда плюс источника подсоединен к области p, а минус – к области n называется: ...
7. При прямом включении сопротивление запирающего слоя: ...
8. В полупроводниковом приборе через p-n-переход электроны дрейфуют слева на право, а дырки справа налево. Как расположены кристаллы? ...

Описание:
вместо пропусков поставлены ответы

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)
Для полевого транзистора стабилизация рабочей точки • Не требуется • Требуется всегда, как и для биполярного транзистора • Требуется только при работе в особых условиях • Не требуется, если рабочая точка выбрана особым образом	В несимметричном p-n-переходе область с меньшей концентрацией основных носителей называется • Базой • Эмиттером • Коллектором • Подложкой
С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует	На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать • Только в режиме обогащения канала • Только в режиме обеднения канала • Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 12 (Полевой транзистор 2N5116, Биполярный транзистор 2N2925)
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является стоком? • Вывод 1 • Вывод 2 • Вывод 3	ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T₁°, С и T₂°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1