Артикул: 1150994

Раздел:Технические дисциплины (96218 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2719 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (709 шт.)

Название или условие:
Задача 1
1. Определить типы нелинейных элементов (НЭ) по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с обозначением по ГОСТ для заданного типа НЭ (с учетом обратного включения стабилитронов и обращенных диодов).
3. Представить справочные данные НЭ в табличной форме.
4. Построить ВАХ НЭ.
5. Рассчитать токи в схеме и напряжение на НЭ.
6. Сделать выводы. Номиналы резисторов, источников тока и напряжения и тип НЭ заданы в таблице.
Вариант 3а (КЛД901А)

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задача 1</b> <br />1.	Определить типы нелинейных элементов (НЭ) по справочной литературе. <br />2.	Нарисовать схему в соответствии с обозначением по ГОСТ для заданного типа НЭ (с учетом обратного включения стабилитронов и обращенных диодов). <br />3.	Представить справочные данные НЭ в табличной форме. <br />4.	Построить ВАХ НЭ. <br />5.	 Рассчитать токи в схеме и напряжение на НЭ. <br />6.	Сделать выводы.  Номиналы резисторов, источников тока и напряжения и тип НЭ заданы в таблице.<br /><b> Вариант 3а (КЛД901А)</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит N = 5•1015 см-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τn = τp = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρp = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм.
1. Определить концентрации носителей.
2. Определить допустимое обратное напряжение.
3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп.
4. Построить вольт-амперную характеристику.
5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений:
Uвх = 1,1В
Uвых = 0,5В

Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.
1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Вариант 5а ( МП10А )

Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения