Артикул: 1150829

Раздел:Технические дисциплины (96056 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2698 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (703 шт.)

Название или условие:
а) Для заданной схемы (столбец 4 таблицы) и номиналов элементов (столбец 5 таблицы) вручную постройте график заданной величины (столбец 5 таблицы) от Vx; указание: приведите необходимые расчеты;
б) определите постоянное значение напряжения источника Vx, при котором диод меняет режим работы;
в) рассматривая Vx как входной источник, рассчитайте значения сопротивлений резистивного делителя, задающего необходимое постоянное значение напряжения Vx (рассчитанное в п. 1, б)

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)	Задача 2 Вариант 17 E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95. Определить: iэ, iб
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ): а) записать исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА; амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы); в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки; д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0; е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;	Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
ЗАДАЧА № 1. Расчет параметров полупроводниковых диодов Вариант 4	Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой. 1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах. 2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.
Для изготовления диода использован дырочный германий марки ГДГ 5,0/0,1 с длиной диффузии L = 0,01 см и удельным сопротивлением ρ = 5 Ом•см. Подвижность основных носителей μp = 1700 см2/В•с. Толщина базы W = 50 мкм. 1. Определить концентрации носителей. 2. Определить допустимое обратное напряжение. 3. Определить токи насыщения и генерации в p-n переходе при Uобр = Uобр.доп. 4. Построить вольт-амперную характеристику. 5. Оценить степень влияния на прямую ветвь вольт-амперной характеристики изменения ОПЗ p-n перехода с ростом напряжения.	Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.
В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Uвх = -7 В Uвых = -12 В.	Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений