Артикул: 1150315

Раздел:Технические дисциплины (95575 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2650 шт.) >
  Транзисторные каскады (411 шт.)

Название или условие:
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3
Исследование биполярных транзисторов

Цель работы: ознакомление с характеристиками биполярного транзистора, с методиками их определения для различных схем включения, получение навыков практического исследования вольт-амперных характеристик транзистора и определения его параметров.
Марка биполярного транзистора-2N4123
Технические характеристики:
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Описание:
Измерение для схем с общей базой и общим эмиттером

Изображение предварительного просмотра:

<b>ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 3 <br />Исследование биполярных транзисторов </b> <br /><b>Цель работы</b>: ознакомление с характеристиками биполярного транзистора, с методиками их определения для различных схем включения, получение навыков практического исследования вольт-амперных характеристик транзистора и определения его параметров. <br />Марка биполярного транзистора-<b>2N4123</b> <br />Технические характеристики: <br />Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625W <br />Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V <br />Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V <br />Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V <br />Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Вариант 4, N=2, M=4
Дано: uвх(t)= (0,025•N)•sin(ωt)=0,025•2•sin⁡(ωt)=0,05•sin⁡(ωt) В;
Rк=0,195 кОм;
Eк=17,5 В;
Вид характеристики:1;
Iб0=600 мкА;
ЕК=15 В; RН=2 К; RЭ=10 К; β=50.
Определить: iБ, UВЫХ

Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа)
Вариант 21 (Шифр Сх 1.П5.ОИ.М3)

5. ИССЛЕДОВАНИЕ ОДНОКАСКАДНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ
Целью работы являются овладение методикой расчёта и экспериментальные исследования основных параметров однокаскадных транзисторных усилителей, получение навыков настройки их режимов и снятия частотных характеристик усилителей.
Вариант 5 (Транзистор МП26)

Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Вариант 4, N=11, M=4
Дано:
uвх (t)= (0,025•N)•sin(ωt)=0,025•11•sin⁡(ωt)=0,275•sin⁡(ωt) В;
Rк=0,195 кОм;
Eк=17,5 В;
Вид характеристики:1;
Iб0=600 мкА;
Номера вопросов:4,24;

1. Нарисовать схему каскада.
2. Используя выходные вольтамперные характеристики транзистора, для заданного варианта построить две линии нагрузки (для заданного R2 и для R2 = 0, в последнем случае линия нагрузки параллельна оси тока Iк). В соответствии с точками пересечений нагрузочных линий и выходных характеристик построить две характеристики прямой передачи по току Iк = f(Iб) при R2 = 0 и при заданном R2. Определить область линейного усиления.
3. Выбрать рабочую точку покоя для классов А, В, D; по характеристикам определить токи Iкр, Iбр и напряжение Uкр в рабочей точке покоя P.
4. По заданным временным диаграммам переменной составляющей тока базы iб(t) (см. рис. 2) построить временные диаграммы тока коллектора iк(t) и напряжения uк(t). Для классов А и В определить максимальную амплитуду неискаженного синусоидального выходного сигнала, а для класса D максимальную амплитуду прямоугольных выходных импульсов.
5. Посчитать средние за период потери в классе А и классе D. Сравнить, сделать вывод.
Вариант 6
Дано
U2=9 В;
R2=1 кОм;
f=0,7 кГц

Вариант 15
Eп=30 В; IКО=10 мкА; R1=4К2; R2=2 К; Rэ=300; β=98.
Определить: iэ

Ек = 15 В; Uзап = 0; Uотп = 3,5 В;
Параметры VT1: β = 35; Uкэнас = 0,25 В; Uбэнас = 0,7 В; UHL1 = 1,8 В.
Рассчитать Rб и Rк, при которых обеспечивается IHL1=Iкн = 20 мА и степень насыщения S=2.

На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 0,9 мА. Определите показание амперметра после замыкания ключа SW, если Rб1 = 120 кОм, Rб2 = 240 кОм, Rк = 3 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Падениями напряжения на транзисторе пренебречь.
В ответе запишите значение тока в миллиамперах.

Определить коэффициенты передачи тока для всех трех схем включения транзистора, если амплитуда переменной составляющей коллекторного тока Ik.m = 3,9 мА, а амплитуда тока эмиттера Iэ.m = 4 мА.