Артикул: 1149899

Раздел:Технические дисциплины (95219 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2617 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (694 шт.)

Название или условие:
Задача 3. На рис. 1 изображена вольтамперная характеристика транзистора. Составить эквивалентную линейную схему замещения транзистора и определить ее параметры в режиме Uкэ > 2 В.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задача 3</b>. На рис. 1 изображена вольтамперная характеристика транзистора. Составить эквивалентную линейную схему замещения транзистора и определить ее параметры в режиме  Uкэ > 2 В.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители»
N=3; M=11

Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B.
Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B.
Вид характеристики – № III.
Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА.
Номера вопросов – 11,42.

Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений:
Uвх = 1,1В
Uвых = 0,5В

Задача №2.
По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы):
а) исходные данные:
марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В;
активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом;
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ;
в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ;
г) построить линию нагрузки;
д) рассчитать ток базы включения IБвкл;
е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл;
ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено '';
з) построить временные диаграммы токов и напряжений
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Вариант 5а ( МП10А )

Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм