Артикул: 1149009

Раздел:Технические дисциплины (94450 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2559 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (685 шт.)

Название или условие:
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ
1.1 Цель работы
1.1.1. Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала.
1.1.2. Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.
1.2. Содержание расчетного задания
1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1., а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора.
1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.
1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.
1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.
1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК.
1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.
Вариант 2 Транзистор КТ 3102

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1 <br />ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ  КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ  <br />1.1 Цель работы <br />1.1.1.	Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала. <br />1.1.2.	Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.  <br />1.2. Содержание расчетного задания <br />1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1.,  а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора. <br />1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.  <br />1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.  <br />1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.  <br />1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК. <br />1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.<br /> <b>Вариант 2 Транзистор КТ 3102</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода

Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2
«Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов»

Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи:
− изучить теоретический материал;
− построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков;
− построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор;
− выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально;
− вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения.
Uвх = -7 В
Uвых = -12 В.

Лабораторная работа:
ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПАРАМЕТРЫ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА

1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Исследование статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение его основных мало-сигнальных параметров.
Вариант 8 (транзистор BSS71)

ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов
Вариант 4

Задача №1.
Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ):
а) записать исходные данные:
марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В;
активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом;
постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА;
амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА.
б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы);
в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ;
г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки;
д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0;
е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным;
ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;
1. Описание транзистора: условное графическое обозначение, краткая характеристика, справочные данные.
2. Построить в масштабе семейство входных и выходных характеристик транзистора. На ВАХ обозначить область безопасной работы транзистора.
3. Графически определить h-параметры для схемы с общим эмиттером (ОЭ).
4. Пересчитать h-параметры для схемы с общей базой (ОБ).
5. По определенным в п.3 и п.4 h-параметрам найти физические параметры для схем ОБ и ОЭ.
6. Построить схемы замещения транзистора для схем ОБ и ОЭ через физические и h- параметры транзистора.
7. Построить частотную характеристику коэффициента передачи тока эмиттера – α и тока базы – β. Графически определить fβ и fα.
8. Выводы.
Вариант 17
Дано
Транзистор ГТ321Г
Uкэ=7,5 В;
Iб=1 мА;
Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.
Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В.
При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы.
N=5

P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)