Артикул: 1148645

Раздел:Технические дисциплины (94187 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2507 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (654 шт.)

Название или условие:
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника – это
1) концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике
2) концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия
3) концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости
4) концентрация дырок проводимости полупроводника, при котором уровень Ферми совпадает с верхней границы валентной зоны

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

В полупроводнике p-типа основными носителями являются • Электроны • Отрицательные ионы • Положительные ионы • Дырки	Лабораторная работа 23 (Lr23) Биполярные и полевые транзисторы. Цель работы: Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики. Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора • Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт • Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт • Оба p-n-перехода открыты • Оба p-n-перехода закрыты	Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором на базу транзистора подаётся запирающее напряжение, в результате чего ток через транзистор протекает только в течении части полупериода входного напряжения? • Классу А • Классу В • Классу С • Классу АВ
Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2. Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.	С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания) • Увеличивается • Уменьшается • Остается неизменным • Задержка выключения не существует
Какой вывод условного обозначения полевого транзистора является истоком? • Вывод 1 • Вывод 2 • Вывод 3	Ток через p-n-переход протекает, если • Потенциал p-области более положительный, чем n-области • Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области • Обе области p и n имеют одинаковый потенциал • Потенциалы к областям p и n не приложены
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы? В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.	ЗАДАНИЕ №1 Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить 1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С; 2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода; 3. Исходные данные в табл.1. Вариант 5, рисунок 1