1148220 Две задачи по полевым транзисторам Найти параметр схемы изолированный затвор встроенный канал (p-канал) E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10-4 Сим . Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Артикул: 1148220

Раздел:Технические дисциплины (93753 шт.) >
Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2471 шт.) >
Физические основы электроники (ФОЭ) (646 шт.)

Название или условие:
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (p-канал)
E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10^-4 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Две задачи по полевым транзисторам Найти параметр схемы изолированный затвор встроенный канал (p-канал) E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10-4 Сим . Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />изолированный затвор встроенный канал (p-канал) <br />E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10<sup>-4</sup> Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке </b> <br />E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения	Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой. 1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах. 2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.
Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 10¹⁵ см^-3 имеет площадь p-n перехода S = 10^-4 см² и максимальную частоту fмакс = 5*10⁹ Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить: 1. Сопротивление базы диода. 2. Толщину базы диода. 3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении. 4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы. 5. Построить Вольт-амперную характеристику.	Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит N_Dб = 5•10¹⁵ см^-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τ_n = τ_p = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρ_p = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.	В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения. Расшифруйте индексы вх и вых напряжений: Uвх = 1,1В Uвых = 0,5В
P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)	ЗАДАЧА № 2 1. Найти параметр схемы 2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике Вариант 4
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.	ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов» Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: − изучить теоретический материал; − построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков; − построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; − выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально; − вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации

Артикул: 1148220

Похожие задания: