Артикул: 1148216

Раздел:Технические дисциплины (93749 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2467 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (642 шт.)

Название или условие:
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (p-канал)
E1=?; E2=10 B; R2=4 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=5∙10^-4 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=?; R2=30 кОм; Y21=?; Y22=? .

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ): а) записать исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора – биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН = 1,6 Ом; постоянная составляющая тока базы IБ0 =90 мА; амплитудное значение переменной составляющей тока (амплитуда усиливаемого сигнала) IБm = 60 мА. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с учетом обеспечения режима постоянного тока с помощью одного резистора RБ от источника ЕК (схема смещения фиксированным током базы); в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) записать уравнение Кирхгофа для выходной цепи и построить линию нагрузки; д) найти на линии нагрузки рабочий участок, т.е. точки, которые соответствуют токам базы IБmin = IБ0 - ImБ и IБmax = IБ0 + ImБ, определить и обозначить рабочую точку усилителя – точку пересечения линии нагрузки и характеристики, которая соответствует IБ0; е) определить графически IКmin, IКmax, UКЭmin, UКЭmax – по выходным характеристикам и UБЭmin, UБЭmax – по входным; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала;	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители» N=3; M=11 Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению. Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B. Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B. Вид характеристики – № III. Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА. Номера вопросов – 11,42.	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.	Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1 Исследование идеализированного P-N перехода Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения: - контактная разность потенциалов; - толщина; - тепловой ток (ток насыщения); - напряжение и тип пробоя; - барьерная ёмкость.
ЗАДАЧА № 2 1. Найти параметр схемы 2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике Вариант 4	Вариант №36 На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы: ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В. Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.