Артикул: 1147888

Раздел:Технические дисциплины (93575 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2444 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (636 шт.)

Название или условие:
1. Изучить краткие теоретические сведения.
2. По аналогии с приведенным примером рассчитать параметры транзистора для своего варианта. Номер варианта выбирается в соответствии со своим порядковым номером по списку группы.
3. Построить графики.
Отчет должен содержать:
1. ВАХ транзистора
2. Расчеты
3. Таблицы
4. Графики
5. Выводы
6. Ответы на контрольные вопросы
Вариант 1

Описание:
Заполнена таблицы "Напряжение сток-исток, напряжение затвор-исток, прирост напряжения затвор-исток, прирост тока стока и крутизна транзистора" и "Напряжение затвор-исток, напряжение сток-исток, , тока сток и сопротивление канала транзистора"

Контрольные вопросы:
1. Опишите устройство и принцип действия полевого транзистора с управляющим p-n-переходом.
2. Чем определяется толщина канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом?
3. Опишите устройство и принцип действия полевого транзистора со встроенным каналом.
4. Опишите устройство и принцип действия полевого транзистора с индуцированным каналом.
5. Как зависит вид стоковой характеристики от напряжения на затворе?
6. Объясните причину насыщения в стоковой характеристике полевого транзистора.
7. Как из стоковых характеристик получить сток-затворные?

Подробное решение в WORD - 12 страниц

Изображение предварительного просмотра:

1. Изучить краткие теоретические сведения. <br />2. По аналогии с приведенным примером рассчитать параметры транзистора для своего варианта. Номер варианта выбирается в соответствии со своим порядковым номером по списку группы. <br />3. Построить графики. <br />Отчет должен содержать: <br />1.	ВАХ транзистора <br />2.	Расчеты <br />3.	Таблицы <br />4.	Графики <br />5.	Выводы <br />6.	Ответы на контрольные вопросы<br /> <b>Вариант 1</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

С увеличением степени насыщения биполярного транзистора в схеме ключа время задержки выключения транзистора (время рассасывания)
• Увеличивается
• Уменьшается
• Остается неизменным
• Задержка выключения не существует
ЗАДАНИЕ №1
Пользуясь ВАХ полупроводниковых диодов 2Д106А и Д226 представленных соответственно на рис.1 и рис.2 определить
1. Сопротивление постоянному току при прямом Uпр, В и обратном Uобр, В напряжениях при двух значениях температуры T1°, С и T2°, С;
2. Пояснить влияние температуры на ВАХ диода;
3. Исходные данные в табл.1.
Вариант 5, рисунок 1

Полевой транзистор с p-n-переходом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала
Сколько режимов работы есть у биполярного транзистора? Укажите возможные состояния p-n-перехода транзистора
• Один
• Два
• Три
• Четыре
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Ток через p-n-переход протекает, если
• Потенциал p-области более положительный, чем n-области
• Потенциал p-области более отрицательный, чем n-области
• Обе области p и n имеют одинаковый потенциал
• Потенциалы к областям p и n не приложены
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?
• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.