Артикул: 1147728

Раздел:Технические дисциплины (93417 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2428 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (632 шт.)

Название или условие:
Начертите температурные характеристики термисторов и позисторов и сравните их. Чем вызваны эти различия? (ответ на теоретический вопрос с указанием страниц в учебнике Фролова В.А.)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

ОТЧЕТ ПО ЛАБОРАТОРНОЙ РАБОТЕ №2 «Исследование вольтамперных характеристик полупроводниковых приборов» Цель работы – ознакомиться с функциями полупроводниковых приборов, исследовать их вольтамперные характеристики, провести прямые измерения и обработать данные. Для достижения поставленной цели необходимо решить задачи: − изучить теоретический материал; − построить графики вольтамперных характеристик исследуемых устройств с указанием основные параметров на линиях этих графиков; − построить графики измеренных вольтамперных характеристик для каждого из образцов устройств с указанием типа исследуемого диода и значений параметров, обосновывающих выбор; − выделить отличия между характеристиками, полученными в модели и экспериментально; − вывести соотношение измеренных параметров характеристикам из документации	Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители» N=3; M=11 Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению. Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B. Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B. Вид характеристики – № III. Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА. Номера вопросов – 11,42.
Задача 15. Определить крутизну характеристики S и внутреннее сопротивление Ri полевого транзистора КП103М по статическим характеристикам при Uси = 6 В, Uзи = 4 В. Рассчитать коэффициент усиления μ = SRi.	Задача №3 По заданной марке и статическим характеристикам полевого транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада с общим истоком (ОИ): а) записать исходные данные: марка транзистора – КП302А, тип транзистора – полевой, канал типа - n напряжение источника питания стоковой цепи ЕС =12 В; параметры рабочей точки: значение тока стока при отсутствии входного сигнала IС0=3,2 мА; значение напряжения сток-исток при отсутствии входного сигнала UСИ0=10 В. б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя с ОИ; в) нарисовать входную (стоко-затворную) и выходную (стоковую) характеристики полевого транзистора с ОИ; г) показать рабочую точку (по заданным IС0, UСИ0); д) рассчитать малосигнальные электрические параметры и построить эквивалентную схему полевого транзистора на низкой частоте; е) построить линию нагрузки; ж) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала; з) для линейного (мало искажающего) режима усиления определить входное сопротивление RВХ и выходное RВЫХ, а также коэффициенты усиления по току КI, по напряжению КU и по мощности КР.
Задача №2. По заданным статическим характеристикам биполярного транзистора определить параметры каскада в режиме переключения мощности (в ключевом режиме работы): а) исходные данные: марка транзистора - КТ819, тип транзистора биполярный, n-p-n напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =8 В; активное сопротивление нагрузки RН =1,3 Ом; б) нарисовать электрическую принципиальную схему усилителя в ключевом режиме с учетом обеспечения надежного закрытия транзистора при нулевом входном сигнале с помощью источника ЕБ и резистора RБ; в) нарисовать входные и выходные статические характеристики транзистора для схемы с ОЭ; г) построить линию нагрузки; д) рассчитать ток базы включения IБвкл; е) определить графически остаточное напряжение открытого ключа – напряжение коллектор – эмиттер в режиме насыщения, выходной ток IКвкл; ж) рассчитать мощность РВХ, необходимую для открывания ключа, мощность РКвкл, рассеиваемую на коллекторе транзистора в состоянии ''включено'' и сопротивление транзистора RВКЛ в состоянии ''включено ''; з) построить временные диаграммы токов и напряжений	P-N переход. Принцип действия P-N перехода (ответ на теоретический вопрос - 2 страницы)
Лабораторная работа №2 «ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ» Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры: – тип контакта (омический или Шотки); – сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются: – контактная разность потенциалов; – толщина; – тепловой ток; – барьерная емкость. Вариант 3	Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
Задача 14. По выходным характеристикам транзистора КТ315В (рис.1) определить IБ и Uкэ в рабочей точке, если 1К = 25 мА, а рассеиваемая на коллекторе мощность РК = 150 мВт.	Задача 12. В биполярном транзисторе 1к = 10 мА, 1э = 10,5 мА. Определить коэффициенты передачи тока α и β, если тепловым током можно пренебречь.