Артикул: 1147142

Раздел:Технические дисциплины (92971 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2341 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (577 шт.)

Название или условие:
В усилителе, показанном на рисунке, при |UЗИ |=5 В ток стока IС=0,6 мА. Определить: а) сопротивление резистора RИ, если падением напряжения UЗ=IЗ∙RЗ пренебречь; б) EC, если RН=RИ=25 кОм, UСИ=5 В.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

В усилителе, показанном на рисунке, при |U<sub>ЗИ</sub> |=5 В ток стока I<sub>С</sub>=0,6 мА. Определить: а) сопротивление резистора R<sub>И</sub>, если падением напряжения U<sub>З</sub>=I<sub>З</sub>∙R<sub>З</sub> пренебречь; б) E<sub>C</sub>, если R<sub>Н</sub>=R<sub>И</sub>=25 кОм, U<sub>СИ</sub>=5 В.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
Дано: Ек = 15 В, U0бэ = 0,3 В, I0к = 2,6 мА, Rк = 3к, Rн = 10к, Rэ = 150 Ом, β = 80, rб = 200 Ом, rк(э) = 30к. Способ смещения – фиксированным напряжением. Метод фиксации рабочей точки – эмиттерная стабилизация. Схема резистивного усилителя каскада – с общей базой.
1. Рассчитать параметры цепи смещения и рабочие напряжения на конденсаторах.
2. Определить Rвх и Rвых в области средних частот.		Задача 2 Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб
Лабораторная работа №2
«ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТАЛЛО-ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЕРЕХОДОВ»
Цель работы: Целью работы является исследование металло-полупроводниковых переходов при использовании различных сочетаний металла и полупроводника. При этом определяются следующие характеристики и параметры:
– тип контакта (омический или Шотки);
– сопротивление омического контакта. Для контакта Шотки при U = 0 определяются:
– контактная разность потенциалов;
– толщина;
– тепловой ток;
– барьерная емкость.
Вариант 3

Сплавной диод на основе дырочного германия с концентрацией носителей в базе pp0 = 1015 см-3 имеет площадь p-n перехода S = 10-4 см2 и максимальную частоту fмакс = 5*109 Гц. Время жизни носителей в базе τ = 8 мкс. Uобр = 10 В. Определить:
1. Сопротивление базы диода.
2. Толщину базы диода.
3. Токи насыщения и генерации при обратном смещении.
4. Прямой ток с учётом модуляции проводимости базы.
5. Построить Вольт-амперную характеристику.
Отчет по практикуму (лабораторная работа) №1
Исследование идеализированного P-N перехода
Целью настоящего практикума является определение основных характеристик идеализированного р-n перехода. Исходными данными являются параметры конструкции: тип полупроводника, концентрация примесей, площадь p-n перехода. Определяются следующие характеристики идеализированного р-n перехода в отсутствие внешнего напряжения:
- контактная разность потенциалов;
- толщина;
- тепловой ток (ток насыщения);
- напряжение и тип пробоя;
- барьерная ёмкость.
ЗАДАЧА № 2
1. Найти параметр схемы
2. Нарисовать схему и найти ее параметры по характеристике
Вариант 4
ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов
Вариант 4
Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ