Артикул: 1109890

Раздел:Технические дисциплины (70515 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (245 шт.)

Название или условие:
Разработка конструкции механизма поворота поглощающей пластины. (контрольная работа)

Описание:
Содержание
Введение . . . 3
Задание .. . 5
Разработать конструкцию механизма поворота поглощающей пластины П центрального волновода 2 поляризационного аттенюатора в сочетании с отсчетным устройством по кинематической схеме, исходным данным (Таблица 1) и следующим техническим требованиям:
1) затухание сигнала в волноводе 3 обеспечить поворотом волновода 2 с пластиной П на угол от ϴ=0 до ϴ=ϴmax. Затухание А в децибелах определяют по формуле А = М lg cos ϴ;
2) пластину П изготовить из двойного слоя слюды толщиной 0,25 мм с нанесением поглощающего слоя из графита;
3) отверстия входного 1 и выходного 3 волноводов выполнить прямоугольными с размерами 12*28 мм. На торцах предусмотреть контактные фланцы;
4) соединение центрального подвижного волновода с неподвижным выполнить дроссельными фланцами;
5) для улучшения электрических характеристик контура контактные и токопроводящие поверхности серебрить.
Из условия задачи имеем следующие исходные параметры:
- передаточное число червячной передачи и=12;
- заходность червяка z1=4;
- число зубьев на колесе z2=48;
- модуль зацепления m=1 мм.
1 Расчет геометрических параметров . . 7
2 Проверочный расчет червячной пары на прочность 8
3 Расчет вала червяка (Построение эпюр) . . 10
4 Выбор подшипников . . . 12
5 Расчет шкалы . . 14
6 Расчет редуктора на точность . . . 15
Литература . .. . 16




Изображение предварительного просмотра:

Разработка конструкции механизма поворота поглощающей пластины. (контрольная работа)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задание 8
1. Рассчитать резонансную частоту контура на выходе смесителя согласно значениям элементов Рис 1. Fрез = 1/2π√LC. Снять осциллограммы в программе EWB. Смеситель работает на частоте f3 = f1 – f2
2. Установить новые значения частот входных сигналов для получения на выходе смесителя сигнала с частотой 465кГц. Для чего рассчитать новые значения элементов контура. Снять новые осциллограммы.
3. Cделать выводы

11.9(О). Одноконтурный резонансный усилитель питается от источника с напряжением Eп = 12 В. Резонансное сопротивление контура (с учетом неполного включения) Rрез = 20 кОм. Постоянное напряжение смещения на базе U0 = 0,5 B. Проходная характеристика транзистора iк = f(uбэ) аппроксимирована кусочно-линейной функцией с параметрами S =15 мА/В, Uн = 0,8 В. Определите амплитуду Umвx входного сигнала, при которой усилитель работает в критическом режиме. Частота входного сигнала совпадает с резонансной частотой контура.
Проходная характеристика транзистора, работающего в схеме коллекторного детектора (рис. 1.11.5), аппроксимирована многочленом второй степени ik=a0+a1(uбэ+U0)+a2(uбэ+U0)2. На вход детектора подан сигнал uбэ (t)=U0+Um (1+M1cosΩ1 t+M2 cosΩ2 t)cosω0 t. Найдите переменную низкочастотную составляющую uвых нч (t) напряжения на выходе детектора
Антенно-фидерные устройства
Задача №3.
Данные: центральная частота диапазона – 12,8 ГГц, расстояние между пунктами A и В – 20 км, диаметр параболической антенны в пункте А – 1,5 м, Диаметр параболической антенны в пункте В – 1,2 м, коэффициент использования аппретуры антенны – 0,6, мощность передатчика 28 дБм.
11.21(О). Применительно к данным задачи 11.19 определите мощность P0, потребляемую усилителем от источника питания, полезную мощность P1вых, выделяемую током первой гармоники в колебательном контуре, мощность Рпот, рассеиваемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также КПД усилителя.Металлопластинчатая линзовая антенна (Курсовая работа по дисциплине: Антенны и устройства СВЧ)
12.9(УО). Схема преобразователя частоты на полевом транзисторе изображена на рис. I.12.1. Колебательный контур настроен на промежуточную частоту ωпр = Iωс - ωгI. Резонансное сопротивление контура Rрез = 18 кОм. Ко входу преобразователя приложена сумма напряжение полезного сигнала uс(t) = 50cosωct мкВ и напряжение гетеродина uг(t) = 0,8cosωгt В. Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Um пр выходного сигнала на промежуточной частоте.
Задача №1. Панельные антенны.
В соответствии с исходными данными варианта: (Центральная частота диапазона f0=1800 МГц, поляризация – горизонтальная, количество полуволовых вибратров n=4)
1. Рассчитайте габаритные размеры и укажите рассчитанные размеры в миллиметрах на эскизе панельной антенны.
2. Рассчитайте диаграммы направленности (ДН) панельной антенны по напряженности электрического поля в горизонтальной и вертикальной плоскостях. Постройте графики ДН в полярной системе координат.
3. Рассчитайте ДН панельной антенны по мощности в горизонтальной и вертикальной плоскостях. Постройте графики ДН в декартовой системе координат.
4. Определите ширину главного лепестка ДН по уровню половинной мощности в горизонтальной и вертикальной плоскостях и уровень первого бокового лепестка ДН.
12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА).
К диоду приложено напряжение гетеродина (В) uг = 1,2cosωгt. Вычислите крутизну преобразования Sпр данного устройства.

Система коррекции аппаратной функции болометрического датчика инфракрасной головки самонаведения (Дипломная работа - ВКР)