Артикул: 1155570

Раздел:Технические дисциплины (99886 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (327 шт.)

Название или условие:
12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА).
К диоду приложено напряжение гетеродина (В) uг = 1,2cosωгt. Вычислите крутизну преобразования Sпр данного устройства.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА). <br />К диоду приложено напряжение гетеродина (В) u<sub>г</sub> = 1,2cosω<sub>г</sub>t. Вычислите крутизну преобразования S<sub>пр</sub> данного устройства.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Система коррекции аппаратной функции болометрического датчика инфракрасной головки самонаведения (Дипломная работа - ВКР)12.4(О). Дифференциальная крутизна резистивного параметрического элемента, входящего в преобразователь частоты, изменяется по закону Sдиф(t) = S0 + S1cosωгt. Считая,что промежуточная частота ωпр известна, найдите частоты сигнала ωc1,2, при которых возникает эффект на выходе преобразователя.
12.8. В диодном преобразователе частоты, который описан в задаче 12,7, к диоду приложено напряжение u(t) = U0 + 1,2cosωгt В. Определите, при каком напряжение смещение U0 < 0 крутизна преобразования составит величину 1,5 мА/В.11.22(O). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура Rрез = 8,6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжение Umвых на коллекторе транзистора.
Задание 13
1 В схеме однотактного амплитудного детектора с диодом и RCфильтром (Рис.1) получить диаграмму Рис.2
2 Изменить амплитуду и частоту сигналов несущей и модуляции. Подобрать новые параметры фильтра.
3 Сделать выводы

Входное сопротивление диодного детектора определяют как отношение амплитуды входного гармонического напряжения Umвx к амплитуде первой гармоники тока Im1 через диод Rвх = Umвx/ Im1. Докажите, что если SRн ≫ 1, то Rвх ≈ Rн/2.
12.5(Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость стока ic(мА) от управляющего напряжение затвор – исток uзи при uзи ≥ -2 В, аппроксимирована квадратичной параболой iс(uзи) = 7,5(uзи + 2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина uг(t) = Ucosωгt. Найдите закон изменения во времени дифференциальной крутизны Sдиф(t) характеристики ic = f(uзи).12.3(УО). В супергетеродинном приемнике гетеродин создает гармонические колебания с частотой fг = 7,5 МГц. Промежуточная частота приемника fпр = 465 кГц; из двух возможных частот принимаемого сигнала основному каналу приема отвечает большая, а зеркальному каналу – меньшая частота. Для подавления зеркального канала на входе преобразователя частоты включен одиночный колебательный контур, настроенный на частоту основного канала. Найдите значение добротности Q этого контура, при которой ослабление зеркального канала составит – 25 дб по отношению к основному каналу приема.
12.1(О). Идеальный источник ЭДС создает напряжение u(t) = 1,5cos2π107t, В. К зажимам источника подключен резистивный элемент с переменной во времени проводимостью G(t) = 10-3 + 2 * 10-4sin2π106t, См. Найдите амплитуду тока Im, имеющего частоту 9 МГц.12.9(УО). Схема преобразователя частоты на полевом транзисторе изображена на рис. I.12.1. Колебательный контур настроен на промежуточную частоту ωпр = Iωс - ωгI. Резонансное сопротивление контура Rрез = 18 кОм. Ко входу преобразователя приложена сумма напряжение полезного сигнала uс(t) = 50cosωct мкВ и напряжение гетеродина uг(t) = 0,8cosωгt В. Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Um пр выходного сигнала на промежуточной частоте.