Артикул: 1144862

Раздел:Технические дисциплины (90938 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (315 шт.)

Название или условие:
Проходная характеристика транзистора, работающего в схеме коллекторного детектора (рис. 1.11.5), аппроксимирована многочленом второй степени i_k=a₀+a1₍u_бэ+U₀)+a2(u_бэ+U₀)². На вход детектора подан сигнал uбэ (t)=U₀+U_m (1+M₁cosΩ₁ t+M₂ cosΩ₂ t)cosω₀ t. Найдите переменную низкочастотную составляющую u_{вых нч} (t) напряжения на выходе детектора

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Расчёт и проектирование приёмного тракта бортовой радиолокационной системы (Курсовой проект) Вариант 95	11.9(О). Одноконтурный резонансный усилитель питается от источника с напряжением Eп = 12 В. Резонансное сопротивление контура (с учетом неполного включения) Rрез = 20 кОм. Постоянное напряжение смещения на базе U0 = 0,5 B. Проходная характеристика транзистора iк = f(uбэ) аппроксимирована кусочно-линейной функцией с параметрами S =15 мА/В, Uн = 0,8 В. Определите амплитуду Umвx входного сигнала, при которой усилитель работает в критическом режиме. Частота входного сигнала совпадает с резонансной частотой контура.
Детектор АМ-колебаний содержит нелинейный резистивный элемент с квадратичной ВАХ вида i = a0+ a1(u+U0) + a2(u-U0)2. Вычислите низкочастотную составляющую тока iнч(t) протекающего через нелинейный резистор при детектировании однотонального АМ-сигнала u = U0 + Um(1+McosΩt)cosω0t,	12.3(УО). В супергетеродинном приемнике гетеродин создает гармонические колебания с частотой fг = 7,5 МГц. Промежуточная частота приемника fпр = 465 кГц; из двух возможных частот принимаемого сигнала основному каналу приема отвечает большая, а зеркальному каналу – меньшая частота. Для подавления зеркального канала на входе преобразователя частоты включен одиночный колебательный контур, настроенный на частоту основного канала. Найдите значение добротности Q этого контура, при которой ослабление зеркального канала составит – 25 дб по отношению к основному каналу приема.
Задание 13 1 В схеме однотактного амплитудного детектора с диодом и RCфильтром (Рис.1) получить диаграмму Рис.2 2 Изменить амплитуду и частоту сигналов несущей и модуляции. Подобрать новые параметры фильтра. 3 Сделать выводы	Расчет связного приемника дискретных сигналов (Курсовая работа)
Приемник радиовещательный (курсовой проект) В результате работы спроектирован радиовещательный средневолновый приемник, имеющий следующие расчетные характеристики: диапазон принимаемых частот от 0,9 МГц до 1,607 МГц Избирательность: по соседнему каналу 40 дБ (при расстройке на 9 кГц), по зеркальному каналу 108 дБ, по каналу прямого прохождения более 150 дБ, реальная чувствительность 0,22 мкВ.	Используя график модуляционной характеристики, оцените наибольшее значение коэффициента модуляции Mmax, при котором еще обеспечивается приближенно линейность закона модуляции.
12.5(Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость стока ic(мА) от управляющего напряжение затвор – исток uзи при uзи ≥ -2 В, аппроксимирована квадратичной параболой iс(uзи) = 7,5(uзи + 2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина uг(t) = Umгcosωгt. Найдите закон изменения во времени дифференциальной крутизны Sдиф(t) характеристики ic = f(uзи).	12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА). К диоду приложено напряжение гетеродина (В) uг = 1,2cosωгt. Вычислите крутизну преобразования Sпр данного устройства.