Артикул: 1026283

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (328 шт.)

Название или условие:
Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В.
1. Определить ток при U = -10 В.
2. Определить сопротивление контакта RШ.
3. Рассчитать сопротивление базы диода.
4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin.
5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода?

Описание:
1 КРАТКАЯ ТЕОРИЯ 3
2 РЕШЕНИЕ 4
2.1 Определение тока. 5
2.2 Сопротивление контакта 6
2.3 Сопротивление базы диода 6
2.4 Частотный диапазон 7
2.5 Принципиальное отличие. 8
3 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 10
4 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ 11

Подробное решение в WORD

Поисковые тэги: Диод Шоттки

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лабораторная работа № 3, 4
Исследование характеристик биполярного транзистора

1. Цель работы Изучение принципа функционирования и основных характеристик биполярного транзистора в схемах с общей базой (ОБ) и общим змиттером (ОЭ), а также овладение методикой определения малосигнальных параметров транзистора, как чотырехполюсника.

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 10 (Полевой транзистор 2N5021, Биполярный транзистор 2N2923)

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 7 (Полевой транзистор 2N2608, Биполярный транзистор 2N2905)

Лабораторная работа № 1
Исследование выпрямительного полупроводникового диода

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров выпрямительных диодов по их вольт-амперным характеристикам.

Лабораторная работа № 2
Исследование полупроводникового стабилитрона

1. Цель работы Изучение конструкции, принципа функционирования, основных свойств и параметров стабилитронов по их вольт-амперным характеристикам.

Eп = 30 В; Iко = 10 мкА; R1 = 4.2 кОм; R2 = 2 кОм; Rэ = 300 Ом; β = 98
Определить Iэ

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 3 (Полевой транзистор 2N5019, Биполярный транзистор 2N3250А)

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 13 (диод 1N4003)

Задача 2 Вариант 17
E1 = 0.8 В; E2 = 15 В; Rэ = 8 К; Rк = 16 К; β= 95.
Определить: iэ, iб

Лабораторная работа 2
Исследование прямой и обратной ветвей вольтамперной характеристики выпрямительного диода
Цель работы.
Изучить свойства выпрямительного диода, определить его вольтамперные характеристики и параметры.
Вариант 9 (диод 1N4004)