Артикул: 1013381

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (328 шт.)

Название или условие:
Задача 3.1.14
Уровень Ферми в полупроводнике находится на 0,3 эВ ниже дна зоны проводимости. Какова вероятность того, что при комнатной температуре энергетические уровни, расположенные на 3kT выше зоны проводимости, заняты электронами? Какова вероятность того, что на уровне, расположенном у потолка валентной зоны, содержаться дырки, если ширина запрещенной зоны полупроводника 1,1 эВ?

Поисковые тэги: Материалы электронной техники «Задачи и Вопросы» Антипов-Сорокин-Терехов

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить по характеристике Rдиф при 1 = 50; 2 = 35; 3 = 0,6; 4 = 0,9. Ответ в Ом.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 3 В.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,6 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=1 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,8 В, ΔU2 = 5 В.
Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=3 мА, ΔUзи =0,3 В, ΔUси = 1,8 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в мА/В.Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=1 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,4 В, ΔU2 = 3 В. Ответ в мА/В.
Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,2 В, ΔUси = 1 В, ΔIз = 2 мкА. Ответ в мА/В.Определить по характеристике Rдиф при 1 = 28; 2 = 18; 3 = 0,6; 4 = 0,8. Ответ в Ом.
Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в мА/В.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.