Артикул №1149065
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.11.2020)
Проанализировать причины, вызывающие частотные искажения выходного сигнала в типовой схеме транзисторного усилителя. Для этого:
- наметить принципиальную схему резистивного каскада предварительного усиления на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом и каналом n-типа;
- объяснить способ включения транзистора и назначение элементов схемы;
- указать пути протекания постоянных и переменных составляющих токов в схеме;
- провести анализ амплитудно-частотной характеристики (АЧХ) схемы и объяснить суть коэффициента частотных искажений;
- указать способы уменьшения частотных искажений.



Артикул №1149012
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.11.2020)
Задача № 4
Заданы статические характеристики биполярного транзистора (рис.4-6), рабочая точка (таблица 4) и высокочастотные параметры транзистора (таблица 5). Требуется выполнить:
1. Рассчитать низкочастотные малосигнальные h-параметры и построить эквивалентную схему транзистора на низкой частоте
2. Рассчитать параметры физической эквивалентной схемы прибора на высокой частоте и построить ее для этой же рабочей точки.
Вариант 19
Таблица 4
U0КЭ = 6 В
I = 35 мА
Тип транзистора КТ340
Таблица 5
Тип : КТ340
β = 3
f = 1 ∙ 108 Гц
Cк = 4 ∙ 10-12 Ф
Cэ = 1.4 ∙ 10-11 Ф
τос = 1.5 ∙ 10-10 с
Iк = 3 мА



Артикул №1149009
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.11.2020)
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ
1.1 Цель работы
1.1.1. Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала.
1.1.2. Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.
1.2. Содержание расчетного задания
1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1., а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора.
1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.
1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.
1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.
1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК.
1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.
Вариант 2 Транзистор КТ 3102

РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1 <br />ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ  КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ  <br />1.1 Цель работы <br />1.1.1.	Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала. <br />1.1.2.	Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.  <br />1.2. Содержание расчетного задания <br />1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1.,  а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора. <br />1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.  <br />1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.  <br />1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.  <br />1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК. <br />1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.<br /> <b>Вариант 2 Транзистор КТ 3102</b>


Артикул №1149008
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.11.2020)
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ
1.1 Цель работы
1.1.1. Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала.
1.1.2. Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.
1.2. Содержание расчетного задания
1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1., а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора.
1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.
1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.
1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.
1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК.
1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.
Вариант 1 Транзистор 2Т 306

РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1 <br />ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ  КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ  <br />1.1 Цель работы <br />1.1.1.	Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала. <br />1.1.2.	Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.  <br />1.2. Содержание расчетного задания <br />1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1.,  а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора. <br />1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.  <br />1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.  <br />1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.  <br />1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК. <br />1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.<br /> <b>Вариант 1 Транзистор 2Т 306</b>


Артикул №1149003
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, тип канала, напряжение отсечки, начальное значение тока стока, крутизну стокозатворной характеристики на участке насыщения при Uси = 8 В и дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0 В. (КП313)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, тип канала, напряжение отсечки, начальное значение тока стока, крутизну стокозатворной характеристики на участке насыщения при Uси = 8 В и дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0 В. (КП313)


Артикул №1149002
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Рассчитайте входное сопротивление биполярного транзистора для постоянного и переменного тока и коэффициент передачи тока h21 для рабочей точки Uкэ = 10 В, Iб = 0.45 мА по входным и выходным ВАХ при включении его по схеме с общим эмиттером.
Рассчитайте входное сопротивление биполярного транзистора для постоянного и переменного тока и коэффициент передачи тока h21 для рабочей точки Uкэ = 10 В, Iб = 0.45 мА по входным и выходным ВАХ при включении его по схеме с общим эмиттером.


Артикул №1149001
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Пользуясь ВАХ диода, определите сопротивление Rдиф диода в прямом и обратном направлении при температуре 20 С. Постройте зависимость прямого дифференциального сопротивления диода от температуры. (2Д103А)
Пользуясь ВАХ диода, определите сопротивление Rдиф диода в прямом и обратном направлении при температуре 20 С. Постройте зависимость прямого дифференциального сопротивления диода от температуры. (2Д103А)


Артикул №1149000
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора имеют вид, показанный на рисунке. Определите тип транзистора, входное дифференциальное сопротивление, коэффициент передачи тока и коэффициент обратной связи по напряжению для рабочей точки Uкэ = 2.5 В, Iб = 1 мА. (ГТ308А)
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора имеют вид, показанный на рисунке. Определите тип транзистора, входное дифференциальное сопротивление, коэффициент передачи тока и коэффициент обратной связи по напряжению для рабочей точки Uкэ = 2.5 В, Iб = 1 мА. (ГТ308А)


Артикул №1148999
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Пользуясь ВАХ диода, определите для более высокой температуры (из температур Т1 и Т2) дифференциальное сопротивление диода при прямом напряжении +0.8 В и проводимость при обратном напряжении -50 В
Пользуясь ВАХ диода, определите для более высокой температуры (из температур Т1 и Т2) дифференциальное сопротивление диода при прямом напряжении +0.8 В и проводимость при обратном напряжении -50 В


Артикул №1148998
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип канала полевого транзистора, начальный ток стока, крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В и сопротивление канала постоянному току при Uзи = -0.4 В (КП350)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип канала полевого транзистора, начальный ток стока, крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В и сопротивление канала постоянному току при Uзи = -0.4 В (КП350)


Артикул №1148997
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, начальный ток стока и крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В, а также дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения при Uзи = -0.2 В (КП350)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип полевого транзистора, начальный ток стока и крутизну стокозатворной характеристики при Uси = 7.5 В, а также дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения при Uзи = -0.2 В (КП350)


Артикул №1148996
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора при включении по схеме с общей базов имеют вид, показанный на рисунке. Рассчитайте h-параметры для рабочей точки Uкб = 20В, Iэ = 6 мА
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора при включении по схеме с общей базов имеют вид, показанный на рисунке. Рассчитайте h-параметры для рабочей точки Uкб = 20В, Iэ = 6 мА


Артикул №1148995
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Пользуясь ВАХ диода, рассчитайте его сопротивление постоянному и переменному току при напряжениях 1.25 В и -70 В
Пользуясь ВАХ диода, рассчитайте его сопротивление постоянному и переменному току при напряжениях 1.25 В и -70 В


Артикул №1148994
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, напряжение отсечки, начальное значение тока стока при Uси = -20В, проводимость открытого канала и дифференциальное сопротивление в линейной области при Uзи = 0 В. (КП102И)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, напряжение отсечки, начальное значение тока стока при Uси = -20В, проводимость открытого канала и дифференциальное сопротивление в линейной области при Uзи = 0 В. (КП102И)


Артикул №1148993
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора при включении по схеме с общей базой имеют вид, показанный на рисунке. Определите тип транзистора, входное дифференциальное сопротивление и рассчитайте коэффициент передачи тока и коэффициент обратной связи по напряжению для рабочей точки Uкб = 20В, Iэ = 4 мА.
Входные и выходные ВАХ биполярного транзистора при включении по схеме с общей базой имеют вид, показанный на рисунке. Определите тип транзистора, входное дифференциальное сопротивление и рассчитайте коэффициент передачи тока и коэффициент обратной связи по напряжению для рабочей точки Uкб = 20В, Iэ = 4 мА.


Артикул №1148992
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Пользуясь ВАХ диода, рассчитайте проводимость и прямое сопротивление постоянному току при напряжении 0.28 В и обратное сопротивление переменному току при напряжении -6 В.
Пользуясь ВАХ диода, рассчитайте проводимость и прямое сопротивление постоянному току при напряжении 0.28 В и обратное сопротивление переменному току при напряжении -6 В.


Артикул №1148991
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Пользуясь ВАХ диода, определите для более низкой температуры (из температур Т1 и Т2) проводимость и сопротивление диода постоянному току в прямом напряжении +0.6 В и дифференциальное сопротивление при обратном напряжении -100 В.
Пользуясь ВАХ диода, определите для более низкой температуры (из температур Т1 и Т2) проводимость и сопротивление диода постоянному току в прямом напряжении +0.6 В и дифференциальное сопротивление при обратном напряжении -100 В.


Артикул №1148990
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, крутизну стокозатворной характеристики и дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения и проводимость канала в линейной области при Uзи = 25В. (КП904)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, крутизну стокозатворной характеристики и дифференциальное сопротивление канала на участке насыщения и проводимость канала в линейной области при Uзи = 25В. (КП904)


Артикул №1148989
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Определите силу тока в цепи и напряжение на диодах, ВАХ которых представлены на рис., если Uвх = 50 В, Rн = 100 Ом.
Определите силу тока в цепи и напряжение на диодах, ВАХ которых представлены на рис., если Uвх = 50 В, Rн = 100 Ом.


Артикул №1148988
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.11.2020)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, ток насыщения, дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0В в линейной области и в области насыщения. (КП312А)
Полевой транзистор имеет ВАХ, показанные на рис. Определите тип транзистора, ток насыщения, дифференциальное сопротивление канала при Uзи = 0В в линейной области и в области насыщения. (КП312А)


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263