Артикул №1146933
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.07.2020)
15.37 Используя входную характеристику транзистора ГТ403А, включенного по схеме с общей базой, определить входное сопротивление переменному току при напряжениях Uэ=0,2; 0,4; 0,6 В.
15.37 Используя входную характеристику транзистора ГТ403А, включенного по схеме с общей базой, определить входное сопротивление переменному току при напряжениях Uэ=0,2; 0,4; 0,6 В.


Артикул №1146932
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.07.2020)
15.5 Построить зависимость сопротивления постоянному току диода КД103А при прямом включении от температуры окружающей среды, используя характеристики представленные на рисунке, для Uпр=0,4; 0,6; 0,8 В.
15.5 Построить зависимость сопротивления постоянному току диода КД103А при прямом включении от температуры окружающей среды, используя характеристики представленные на рисунке, для Uпр=0,4; 0,6; 0,8 В.


Артикул №1146772
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2020)
Что произойдт при изменении:
а) полярности напряжения между истоком и стоком полевого транзистора?
б) величины напряжения между истоком и стоком полевого транзистора?
Ответ поясните.



Артикул №1146767
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2020)
При включении транзистора по схеме с общей базой α=0.97. Определите kI, если те же элементы соединить по схеме с общим коллектором.


Артикул №1146754
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.07.2020)
Туннельные и обращенные диоды. Принцип работы, УГО, основные параметры и характеристики (ответ на теоретический вопрос - 3 страницы)


Артикул №1146676
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.07.2020)
Задача 11
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходные характеристики, определить коэффициент усиления h_21Э, значение напряжения на коллекторе U_кэ1 и U_кэ2 , мощность на коллекторе P_к1 и P_к2, если дано напряжение на базе Uбэ=0,15 B, значение сопротивления Rк1=0,1 кОм и Rк2=0,2 кОм и напряжение источника питания Eк=40 B



Артикул №1146655
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.07.2020)
1. Сколько выводов имеет транзистор?
2. Перечислите функции транзистора?
3. Где применяют биполярные транзисторы?
4. Какие транзисторы применяют в качестве электронного переключателя?
5. Сколькими р-n переходами обладает транзистор?
6. Перечислите структуры биполярных транзисторов?



Артикул №1146654
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.07.2020)
1.Чем отличаются проводники от полупроводников?
2.Приведите примеры полупроводников
3.Какой электрон называют свободным?
4. Какой условный заряд называют дыркой?
5.Как изменится сопротивление полупроводников при нагревании?
6.Чем отличается схема однополупериодного выпрямителя от мостовой схемы?



Артикул №1146639
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.07.2020)
При неизменном напряжении коллектора ток базы Iб изменился на 0,1 мА.
Определить изменение напряжения база ΔUб, если входное сопротивление при короткозамкнутой выходной цепи в схеме с общим эмиттером h11 = 400 Ом
Дано
ΔIб=0,1 мА;
h11=400 Ом
Найти ΔUб-?



Артикул №1146638
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.07.2020)
В кремниевом полевом транзисторе с управляющим p-n переходом с каналом p-типа половина ширины канала при напряжении Uзи = 0 составляет 4мкм. Удельное сопротивление канала составляет 0,2 Ом•м. Определить:
А) напряжение отсечки Uотс, полагая, что подвижность дырок μp = 0,025 м2/(В•с) и относительная диэлектрическая проницаемость кремния ε = 12;
Б) половину ширины канала, если напряжение затвора Uзи=Uотс/2 и ток стока равен нулю
Дано:
ρ=0,2 Ом•м;
a=4 мкм=4•10-6 м;
ε=12;
μp=0,025 м2/(В•с);
Найти Uотс-?



Артикул №1146624
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.07.2020)
Опишите электрофизические процессы, сопровождающие получение электронно-дырочного (р-n) перехода; его свойства и использование в полупроводниковых приборах


Артикул №1146621
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.07.2020)
Задача 10. По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.
Вариант 9

<b>Задача 10.</b> По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.<br /> <b>Вариант 9</b>


Артикул №1146504
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 02.07.2020)
Отчет по лабораторной работе № 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Параметры исследуемого транзистора
№ вставки 1 МП-37А №1
Коэффициент передачи тока базы, Н21Э0 25-50
Максимально-допустимые напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер, В 30
Максимально-допустимый постоянный ток коллектора, мА 20
Максимальная мощность рассеивания, мВт 150
Предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера, не менее, кГц 1,0

Отчет по лабораторной работе № 2 <br /> ИССЛЕДОВАНИЕ ЧАСТОТНЫХ СВОЙСТВ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА<br />  Параметры исследуемого транзистора<br />   № вставки 1	МП-37А             №1 <br />Коэффициент передачи тока базы, Н21Э0	25-50 <br />Максимально-допустимые напряжения коллектор-база и коллектор-эмиттер, В	 30 <br />Максимально-допустимый постоянный ток коллектора, мА	 20 <br />Максимальная мощность рассеивания, мВт	 150 <br />Предельная частота коэффициента передачи тока эмиттера, не менее, кГц	 1,0


Артикул №1146217
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 13
Пленочная интегральная схема - это
- микросхема, элементы которой выполнены в приповерхностном слое полупроводниковой подложки
- микросхема, элементы которой выполнены в виде разного рода пленок, нанесенных на поверхность диэлектрической подложки
- микросхема, элементы которой выполнены из полупроводниковых материалов
- микросхема, элементами которой являются полупроводниковые диоды и транзисторы
(ответ на вопрос теста)



Артикул №1146216
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 12
Основным элементом биполярных ИС является
- МДП-транзистор
- МОП-транзистор
p-n-p - транзистор
n-p-n -транзистор
(ответ на вопрос теста)



Артикул №1146215
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 11
Степень интеграции - это
- количество элементов на единицу площади кристалла
- размер кристалла
- количество элементов на кристалле
- количество элементов в единице объема кристалла
(ответ на вопрос теста)



Артикул №1146214
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 10
Электростатическим потенциалом полупроводника называется энергия, соответствующая
(ответ на вопрос теста)

<b>Вопрос 10</b><br /> Электростатическим потенциалом полупроводника называется энергия, соответствующая<br />  (ответ на вопрос теста)


Артикул №1146213
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 9
Полные концентрации носителей заряда для донорного полупроводника равны: (ответ на вопрос теста)

<b>Вопрос 9 </b><br />Полные концентрации носителей заряда для донорного полупроводника равны:  (ответ на вопрос теста)


Артикул №1146212
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 8
Примеси, обуславливающие дырочную проводимость, называются
- примесями замещения
- акцепторными примесями
- донорными примесями
- примесями внедрения
(ответ на вопрос теста)



Артикул №1146211
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 25.06.2020)
Вопрос 7
Запрещенная зона - это
- зонная диаграмма диэлектрика
- участок между зоной проводимости и валентной зоной
- зонная диаграмма полупроводника
- зонная диаграмма металла
(ответ на вопрос теста)



    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263