Артикул №1134038
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 21.08.2019)
Задача 15. Оптроны. Условное обозначение. Устройство, принцип действия. Параметры. Применение


Артикул №1133104
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 14.08.2019)
Задача 106
По входной и выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить напряжение смещения на базе, коэффициент усиления β и мощность на коллекторе Рк при напряжении на коллекторе Uкэ и токе базы Iб. Какое при этом надо выбрать сопротивление нагрузки Rк, если напряжение источника питания Ек.
Uкэ=7.5 B; Iб=20 мкА; Eк=20 B.

<b>Задача 106</b><br /> По входной и выходным характеристикам транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить напряжение смещения на базе, коэффициент усиления β и мощность на коллекторе Рк при напряжении на коллекторе Uкэ и токе базы Iб. Какое при этом надо выбрать сопротивление нагрузки Rк, если напряжение источника питания Ек.  <br />Uкэ=7.5 B; Iб=20 мкА; Eк=20 B.


Артикул №1131113
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 31.07.2019)
На рисунке показана типичная вольтамперная характеристика динистора. Нагрузочные прямые проведены наклонными пунктирными линиями. Считаем, что напряжение между катодом и анодом уменьшается от максимального до нуля. На каком напряжении между катодом и анодом ( точки 1, 2, 3) происходит выключение динистора?

- 1;
- 3;
- 2

На рисунке показана типичная вольтамперная характеристика динистора. Нагрузочные прямые проведены наклонными пунктирными линиями. Считаем, что напряжение между катодом и анодом уменьшается от максимального до нуля. На каком напряжении между катодом и анодом ( точки 1, 2, 3) происходит выключение динистора? <br /> <br /> - 1; <br /> - 3; <br /> - 2


Артикул №1131108
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.07.2019)
Какой участок на вольтамперной характеристике туннельного диода имеет отрицательное дифференциальное сопротивление?
- AB
- BC
- CD

Какой участок на вольтамперной характеристике туннельного диода имеет отрицательное дифференциальное сопротивление? <br /> - AB <br /> - BC <br /> - CD


Артикул №1131035
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.07.2019)
Кремний в наноэлектронике (реферат)


Артикул №1130633
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.07.2019)
Задача 29
Даны семейства входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме о ОЭ (Рис.3 или Рис.4).
1. В семействе выходных характеристик постройте рабочую характеристику по заданному напряжению источника питания коллекторной цепи Eк и сопротивлению нагрузки RН.
2. На выходной рабочей характеристике отметьте рабочую точку по заданной величине выходного тока Iоб. Определите режим покоя: ток покоя Iок, напряжение покоя Uокэ, мощность, рассеиваемую на коллекторе Pок. Расчетную величину мощности Pок сравните с допустимой мощностью на коллекторе Pк_макс.
3. В семействе выходных характеристик постройте график изменения входного сигнала, заданного амплитудой Iб макс, и графики изменения тока и напряжения в цепи коллектора. Определите амплитудное значение тока Iк макс и напряжения Uкэ макс в коллекторной цепи.
4. В семействе входных характеристик постройте график изменения входного тока. Пользуясь статической входной характеристикой при Uкэ≠0 , постройте график изменения входного напряжения.
Определите амплитуду напряжения Uбэ макс цепи базы.
5. Определите коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности , входного сопротивления и выходное сопротивление транзистора .
6. Начертите схему включения транзистора с ОЭ в усилительный каскад.

<b>Задача 29</b> <br />Даны семейства входных и выходных характеристик транзистора, включенного по схеме о ОЭ (Рис.3 или Рис.4). <br />1.	В семействе выходных характеристик постройте рабочую характеристику по заданному напряжению источника питания коллекторной цепи Eк и сопротивлению нагрузки RН. <br />2.	На выходной рабочей характеристике отметьте рабочую точку по заданной величине выходного тока Iоб. Определите режим покоя: ток покоя Iок, напряжение покоя Uокэ, мощность, рассеиваемую на коллекторе Pок. Расчетную величину мощности Pок  сравните с допустимой мощностью на коллекторе Pк_макс. <br />3.	В семействе выходных характеристик постройте график изменения входного сигнала, заданного амплитудой Iб макс, и графики изменения тока и напряжения в цепи коллектора. Определите амплитудное значение тока Iк макс и напряжения Uкэ макс  в коллекторной цепи. <br />4.	В семействе входных характеристик постройте график изменения входного тока.  Пользуясь статической входной характеристикой при Uкэ≠0 , постройте график изменения входного напряжения. <br />Определите амплитуду напряжения Uбэ макс цепи базы. <br />5.	Определите коэффициенты усиления по току , напряжению и мощности , входного сопротивления и выходное сопротивление транзистора . <br />6.	Начертите схему включения транзистора с ОЭ в усилительный каскад.


Артикул №1130632
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.07.2019)
Задача 17
Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если обратное повторяющееся напряжение диода составляет Uобр.макс, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.мах.
Определите величину обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов равны rобр1, rобр2, rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах.
Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если предельный прямой ток одного диода составляет Iпр.макс, а ток нагрузки – Iн.
Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.
Исходные данные к задаче приведены в таблице 3.

<b>Задача 17 </b><br />Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если обратное повторяющееся напряжение диода составляет Uобр.макс, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.мах. 	<br />Определите величину обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов равны rобр1, rобр2, rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах. 	<br />Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если предельный прямой ток одного диода составляет Iпр.макс, а ток нагрузки – Iн. <br />Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.  <br />Исходные данные к задаче приведены в таблице 3.


Артикул №1130631
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.07.2019)
Задача 5
Пользуясь вольтамперными характеристиками полупроводникового диода, определите сопротивление постоянному току при приложении прямого напряжения Uпр и обратного напряжения Uобр. для двух заданных значений температуры T1 и T2.
Поясните влияние температуры на параметры диода. Поясните систему обозначений (маркировку) полупроводниковых диодов. Перечислите основные параметры выпрямительных диодов, приведя их буквенные обозначения.
Числовые значения исходных величин приведены в Таблице №2.

<b>Задача 5</b> <br />Пользуясь вольтамперными характеристиками полупроводникового диода, определите сопротивление постоянному току при приложении прямого напряжения Uпр и обратного напряжения Uобр. для двух заданных значений температуры T1 и T2. <br />Поясните влияние температуры на параметры диода. Поясните систему обозначений (маркировку) полупроводниковых диодов. Перечислите основные параметры выпрямительных диодов, приведя их буквенные обозначения. <br />Числовые значения исходных величин приведены в Таблице №2.


Артикул №1130594
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 22.07.2019)
Домашнее задание №1
1. Для перечисленных в таблице диода и транзистора назначить численные значения параметров в соответствии с их моделями в пакете прикладных программ «Multisim». Для каждого параметра прибора привести объяснение, на каком основании ему присваивается выбранное значение.
2. В отчетном материале привести также эквивалентные схемы упомянутых приборов и совокупность уравнений, отражающих особенности их поведения, давая разъяснения к каждому уравнению.
Вариант 6
Тип диода: КС182А
Тип транзистора: ГТ346Б



Артикул №1130593
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 22.07.2019)
Домашнее задание №1
1. Для перечисленных в таблице диода и транзистора назначить численные значения параметров в соответствии с их моделями в пакете прикладных программ «Multisim». Для каждого параметра прибора привести объяснение, на каком основании ему присваивается выбранное значение.
2. В отчетном материале привести также эквивалентные схемы упомянутых приборов и совокупность уравнений, отражающих особенности их поведения, давая разъяснения к каждому уравнению.
Вариант 16
Диод Д226В, Транзистор КТ3107Б

Домашнее задание №1<br />1. Для перечисленных в таблице диода и транзистора назначить численные значения параметров в соответствии с их моделями в пакете прикладных программ «Multisim». Для каждого параметра прибора привести объяснение, на каком основании ему присваивается выбранное значение. <br />2. В отчетном материале привести также эквивалентные схемы упомянутых приборов и совокупность уравнений, отражающих особенности их поведения, давая разъяснения к каждому уравнению.<br /> <b>Вариант 16</b><br /> Диод Д226В, Транзистор КТ3107Б


Артикул №1130510
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 16.07.2019)
Создание топологии микросхемы в программе LEdit (Домашнее задание №2 Вариант 1)


Артикул №1129778
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.07.2019)
1. Найти параметр схемы
E1=?; E2=12 B; R2=1 кОм;Y21=2 мА/В; Y22=0.01 Сим .
2. Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=20 B; R2=?; Y21=?; Y22=? .

1. Найти параметр схемы<br />E1=?; E2=12 B; R2=1 кОм;Y21=2 мА/В; Y22=0.01 Сим .<br />2. Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке<br />E1=?; E2=20 B; R2=?; Y21=?; Y22=? .


Артикул №1129771
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.07.2019)
По графику семейства характеристик МОП-транзистора, изображенному на рис. 3, определите крутизну транзистора (т.е. передаточную проводимость) и выходное сопротивление в рабочей точке Uзи = 3,0 В, Uси = 8,0 В
Вариант 10

По графику семейства характеристик МОП-транзистора, изображенному на рис. 3, определите крутизну транзистора (т.е. передаточную проводимость) и выходное сопротивление в рабочей точке Uзи = 3,0 В, Uси = 8,0 В<br /> Вариант 10


Артикул №1129770
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.07.2019)
Найдите минимально допустимое значение напряжения питания для схемы рис. 2, при котором транзистор не войдет в триодную область.
Вариант 10

Найдите минимально допустимое значение напряжения питания для схемы рис. 2, при котором транзистор не войдет в триодную область.<br /> Вариант 10


Артикул №1126582
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.
Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения.


Артикул №1126581
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр


Артикул №1126579
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Курсовая работа на тему: "Технология получения монокристаллического InSb p-типа"


Артикул №1126575
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Рассчитайте концентрацию неравновесных дырок на нижней грани германиевой пластины толщиной 0,5 мм, если на ее верхней грани (плоскость х=0) создаются избыточные электронно-дырочные пары с концентрацией 8·1023 м-3. Коэффициент диффузии дырок Dp=4,4·10-3 м2/с, время жизни τp=2,8·10-4 с.


Артикул №1126574
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Рассчитайте плотность тока электронов, которые находятся вблизи дна зоны проводимости в первой долине донорного арсенида галлия с примесью атомов серы в концентрации 2·1021 м-3, если полупроводник находится в электрическом поле напряженностью 1000 В/м.
Дополнительные указания: подвижность электронов μn = 0,831 м2/В·с, температура образца Т=300 К, все примеси при этой температуре ионизированы.



Артикул №1126555
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 26.06.2019)
Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на МДП ПТ с встроенным каналом p-типа. Приведите передаточную и выходные характеристики транзисторов и покажите, как определяют Y-параметры необходимые для расчета коэффициентов усиления по току, напряжению и по мощности. Поясните, как строится нагрузочная прямая и выбирается положение рабочей точки


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263