Артикул №1136830
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 17.09.2019)
Полупроводниковые тиристоры. Приведите структуру триодного тиристора с управлением по катоду. Опишите происходящие в нем физические процессы. Приведите ВАХ тринистора и поясните её участки.


Артикул №1136407
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 12.09.2019)
Каковы свободные носители зарядов в кристаллах кремния с донорной и акцепторной примесями?
1. В обоих кристаллах кремния – электроны;
2. В обоих кристаллах кремния – электроны;
3. В кристаллах кремния с донорной примесью – электроны; с акцепторной - дырки



Артикул №1136406
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 12.09.2019)
Какой атом называется возбужденным?
1. Квантовое состояние с наименьшей энергией;
2. Атом, поглотивший один или несколько квантов энергии;
3. Атом, из которого вырван дырка.



Артикул №1136135
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Коэффициент передачи тока базы при граничной частоте единичного усиления равен единице...
- Верно
- Неверно



Артикул №1136134
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Область, в которую инжектируются носители заряда полупроводникового диода, называется базой...
- Верно
- Неверно



Артикул №1136133
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Работа фитодиода основан на процессе появления дополнительных носителей заряда при облучении устройства за счет... Выберите один ответ:
- термогенерации носителей в примесном полупроводнике
- внутреннего фотоэффекта
- электромагнитного эффекта
- внешнего фотоэффекта



Артикул №1136132
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Структура и ВАХ какого полупроводникового прибора приведены на рисунке... Выберите один ответ:
- тринистора с управлением по катоду
- динистора
- тринистора с управление по аноду
- симистора

Структура и ВАХ какого полупроводникового прибора приведены на рисунке... Выберите один ответ: <br /> - тринистора с управлением по катоду <br /> - динистора <br /> - тринистора с управление по аноду <br /> - симистора


Артикул №1136131
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Какие из ПТ могут работать как в режиме обогащения так и в режиме обеднения... Выберите один ответ:
- МДП типа с индуцированным каналом
- МДП типа со встроенным каналом
- с управляющим p-n - переходом
- с управляющим p-n переходом, так и МДП типа с индуцированным каналом
- МДП типа со встроенным каналом, так и МДП типа с индуцированным каналом



Артикул №1136130
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Линия нагрузки усилительного каскада с общим эмиттером (RЭ отсутствует в схеме) описывается уравнением:
Линия нагрузки усилительного каскада с общим эмиттером (R<sub>Э</sub> отсутствует в схеме) описывается уравнением:


Артикул №1136129
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Область полупроводникового диода, из которой инжектируются носители заряда, называется эмиттером.
- Верно
-Неверно



Артикул №1136128
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
p-n - переход смещен в прямом направлении, если внешний источник постоянного напряжения... Выберите один ответ:
- подключен плюсом к n-области, минусом к р-области
- подключен плюсом к р-области, минусом к n-области
- подключен к переходу независимо от полярности
- имеет выходное напряжение более 2-х вольт



Артикул №1136127
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
p-n - переход в полупроводниковом диоде формируется в контактном слое... Выберите один ответ:
двух различных чистых полупроводников (Ge-Si)
- чистого и примесного полупроводника
- двух полупроводников с разным типом примесей проводимости
- материала примеси и чистого полупроводника



Артикул №1136126
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Сколько областей с разным типом проводимости используется в конструкции биполярного транзистора (ответ в цифрах)?


Артикул №1136125
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики выпрямительного диода характеризуется... Выберите один ответ:
- малым током и большим напряжением
- большим током и большим напряжением
- существенным током и малым напряжением
- малым током и малым напряжением



Артикул №1136124
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Какая область полупроводникового диода называется эмиттером? Выберите один ответ:
- область с низкой концентрацией носителей заряда
- область p-n - перехода
- область с высокой концентрацией носителей заряда
- область р-типа



Артикул №1136123
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.09.2019)
Что происходит с p-n - переходом при его обратном смещении... Выберите один ответ:
- переход расширяется
- переход сужается
- ничего не изменяется
- переход выходит из строя



Артикул №1135769
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.09.2019)
Определить kI, если транзистор включен по схеме с общим эмиттером (задан α=0.97)


Артикул №1135535
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.09.2019)
По приведенной структуре определить полупроводниковый прибор.
Описать принцип действия, назначение и основные схемы соединения.

По приведенной структуре определить полупроводниковый прибор. <br />Описать принцип действия, назначение и основные схемы соединения.


Артикул №1135530
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.09.2019)
Условное обозначение какого полупроводникового прибора приведено на рисунке? Описать его принцип действия
Условное обозначение какого полупроводникового прибора приведено на рисунке? Описать его принцип действия


Артикул №1135404
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.09.2019)
Условное обозначение какого полупроводникового прибора приведено на рисунке? Описать его принцип действия
Условное обозначение какого полупроводникового прибора приведено на рисунке? Описать его принцип действия


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263