Артикул №1145554
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача 2.1.7. Резистивный усилитель собран на транзисторе КТ3176 А9 по схеме
Рассчитать сопротивления R_б1 и R_б2 , обеспечивающие точку покоя с параметрами Iбп=2 мА; Uкэп=2,8 В. Известно, что ток через сопротивление через Rб1 в режиме покоя в 10 раз больше тока Iбп, Uп=5 В , а Rэ=0.

<b>Задача 2.1.7. </b>Резистивный усилитель собран на транзисторе КТ3176 А9 по схеме<br />   Рассчитать сопротивления R_б1 и R_б2 , обеспечивающие точку покоя с параметрами Iбп=2 мА; Uкэп=2,8 В. Известно, что ток через сопротивление через Rб1 в режиме покоя в 10 раз больше тока Iбп, Uп=5 В , а Rэ=0.


Артикул №1145553
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача 1.2.8. Определить токи I1, I2,I3, I4, I5 в схеме, изображенной на рисунке. Диоды VD1-VD5 одинаковые, падение напряжения на открытом диоде равно 0,8 В и не зависит от тока через диод. Uп = 5 В; R1 = 1 кОм; R2 = 0,2 кОм; UBX = 0,2 В.
<b>Задача 1.2.8. </b>Определить токи I1, I2,I3, I4, I5 в схеме, изображенной на рисунке. Диоды VD1-VD5 одинаковые, падение напряжения на открытом диоде равно 0,8 В и не зависит от тока через диод. Uп = 5 В; R1 = 1 кОм; R2 = 0,2 кОм; U<sub>BX</sub> = 0,2 В.


Артикул №1145552
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача № 1.1.6. Определить:
1) Контактную разность потенциалов φк p-n перехода кремниевого диода;
2) Ширину p-n перехода со стороны n- и р- областей dn и dp, а также полную ширину перехода: d= dn+dp;
3) Максимальную величину напряженности контактного поля EМ.
Известны величины: σn=0,024 Oм-1∙cм-1; σp=4,8 Oм-1∙cм-1; μn=1500 (см2)/(В∙с); μp=250 (см2)/(В∙с); T=300 K.
Как изменится высота потенциального барьера φ, если к p-n переходу приложить внешнее напряжение:
а) U1=+0,6 B; б) U2=-7 B?



Артикул №1145512
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача № 13 Расчет статических параметров биполярного транзистора
Используя справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам (Изд.4, под общ. ред. Н.Н. Горюнова, «Энергия», Москва, 1978 г.) рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора согласно своего варианта (табл. 13.1). Для заданного типа транзистора необходимо графическим и аналитическим способами рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора. Для этого на прямолинейных участках ВАХ либо при заданной точке покоя (Iб0, Uк0) нужно построить характеристические треугольники и определить параметры. Статические входные и выходные ВАХ выбираются по справочным данным, а для схемы с общим эмиттером изображены на рис. 13.1, а,
Вариант 10 (транзистор КТ315А)

<b>Задача № 13 Расчет статических параметров биполярного транзистора</b><br />Используя справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам (Изд.4, под общ. ред. Н.Н. Горюнова, «Энергия», Москва, 1978 г.) рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора согласно своего варианта (табл. 13.1). Для заданного типа транзистора необходимо графическим и аналитическим способами рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора. Для этого на прямолинейных участках ВАХ либо при заданной точке покоя (Iб0, Uк0) нужно построить характеристические треугольники и определить параметры. Статические входные и выходные ВАХ выбираются по справочным данным, а для схемы с общим эмиттером изображены на рис. 13.1, а,<br /> <b>Вариант 10 (транзистор КТ315А)</b>


Артикул №1145372
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.02.2020)
Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистора
Формирование р - кармана
Формирование р+ - областей (области стока и истока p-канального транзистора)
Формирование n+ - областей (области стока и истока n-канального транзистора)

<b>Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистора</b><br />Формирование р - кармана<br />Формирование р+ - областей (области стока и истока  p-канального транзистора)<br />Формирование n+ - областей (области стока и истока  n-канального транзистора)<br />


Артикул №1145306
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №4. По приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора на постоянном токе при базовом токе 0,5 мА и закрытом коллекторном переходе.
Варианты ответа:
1. 200 Ом,
2. 400 Ом,
3. 7600 Ом,
4. 800 Ом.

Задача №4. По приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора на постоянном токе при базовом токе 0,5 мА и закрытом коллекторном переходе.<br /> Варианты ответа: <br />1. 200 Ом,<br /> 2. 400 Ом, <br />3. 7600 Ом,<br />4. 800 Ом.


Артикул №1145305
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №3. Какова величина базового тока биполярного транзистора, если значения коллекторного и эмиттерного токов равны 50 мА и 50,8 мА?
Варианты ответа:
1. 2,8 мА,
2. 0,8 мА,
3. 1,8 мА,
4. 3,8 мА.



Артикул №1145304
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №2. При приведенной входной характеристике величину биполярного транзистора определить его коэффициент усиления по току при напряжении коллектор-эмиттер 10В и токе базы 0,6 мА.
Варианты ответа:
1. 10,
2. 25,
3. 45,
4. 60.

Задача №2. При приведенной входной характеристике величину биполярного транзистора определить его коэффициент усиления по току при напряжении коллектор-эмиттер 10В и токе базы 0,6 мА.  <br />Варианты ответа:  <br />1.	10,<br />2.	25, <br />3.	45, <br />4.	60.


Артикул №1145187
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задача №4. По приведенной характеристике биполярного транзистора определить величину его статической выходной проводимости на постоянном токе при напряжении коллектор-эмиттер, равным 10 В и токе базы 0,4мА.
Варианты ответа:
1.1•10-4 См;
2. 5•10-4 См;
3. 1•10-3 См;
4. 5•10-3 См.

Задача №4.  По приведенной характеристике биполярного транзистора определить величину его статической выходной проводимости на постоянном токе при напряжении коллектор-эмиттер, равным 10 В и токе базы 0,4мА.  <br />Варианты ответа: <br />1.1•10-4 См; <br />2.	5•10-4 См; <br />3.	1•10-3 См; <br />4.	5•10-3 См.


Артикул №1145185
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задача №2. При приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора по постоянному току при базовом токе 0,75 мА и закрытом коллекторном переходе.
Варианты ответа:
1. 200 Ом,
2. 400 Ом,
3. 700 Ом,
4. 800 Ом.

Задача №2.  При приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора по постоянному току при базовом токе 0,75 мА и закрытом коллекторном переходе. <br />Варианты ответа:  <br />1. 200 Ом, <br />2. 400 Ом, <br />3. 700 Ом, <br />4. 800 Ом.


Артикул №1145183
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Какая из приведенных схем соответствует биполярному транзистору типа p-n-p, включенному по схеме ОЭ?
Варианты ответа:1, 2, 3, 4.

Какая из приведенных схем соответствует биполярному транзистору типа p-n-p, включенному по схеме ОЭ? <br />Варианты ответа:1, 2, 3, 4.


Артикул №1145174
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задана полупроводниковая структура, в которой управление током в канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля.
Канал – приповерхностный (нечетная последняя цифра студенческого билета), Uпор = 6 В. Удельная крутизна b1 = 0,25 мА/В2.
Определить:
1) Тип канала (p или n)
2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.
5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
Вариант 00



Артикул №1145173
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.1·10-9 А в идеальном несимметричном n+-p переходе, площадью S=0,1 см2, Δt=30K.
(Вариант 00)
Определить :



Артикул №1145146
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.01.2020)
Технологические процессы микроэлектроники
Технологические процессы микроэлектроники


Артикул №1145057
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.01.2020)
Задача 10. По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.
Вариант 8

<b>Задача 10.</b> По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.<br /> <b>Вариант 8</b>


Артикул №1144398
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.01.2020)
Изобразите в масштабе выходную характеристику транзистора, включенного по схеме с ОЭ, при токе базы Iб = 18 мкА и токе коллектора Iк = 1.6 мА, если напряжение Эрли Uу = 35 В. Вычислите дифференциальное выходное и входное сопротивление транзистора. Постройте нагрузочную прямую и определите падение напряжения на транзисторе, если Eп = 37 В, Rк = 11 кОм.


Артикул №1144064
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.01.2020)
Задана полупроводниковая структура, в которой управление током в канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля.
Канал – объемный (четная последняя цифра студенческого билета), Uотс = -5 В. Удельная крутизна b1 = 0,3 мА/В2.
Определить:
1) Тип канала (p или n)
2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.
5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )



Артикул №1144062
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.01.2020)
Полупроводниковая структура, в которой управление током в объемном канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля. Напряжение отсечки Uотс = 5 В . Удельная крутизна b1=0,1 мА/В2 .
Определить:
1) Тип канала (p или n)
2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.
5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )



Артикул №1144061
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.01.2020)
По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.4·10-6 А в идеальном несимметричном n+-p переходе (четная предпоследняя цифра билета), площадью S=0,1 см2. Δt=20K
Определить :



Артикул №1144045
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 04.01.2020)
Коэффициент передачи транзистора β=155, обратный ток перехода коллектор-база IКО = 10 мкА. Рассчитать токи IК, IЭ, IБ при включениях с общей базой и с общим эмиттером, если коллекторный ток был одинаков в обоих случаях, а соотношении между управляющими токами IЭ = 260·IБ. Как изменится ток эмиттера в схеме с общим эмиттером при изменении тока базы на 110 мкА. Изобразить схемы включения транзистора.


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263