Артикул №1148764
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.09.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
С управляющим p-n переходом (p-канал)
E1=1 B; E2=12 B; R2=2 кОм; Y21=3 мА/В; Y22=? .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=3; E2=?; R2=3 кОм;Y21=2 мА/В; Y22=2/104 См.

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br /> С управляющим p-n переходом (p-канал)<br />  E1=1 B; E2=12 B; R2=2 кОм; Y21=3 мА/В; Y22=? .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=3; E2=?; R2=3 кОм;Y21=2 мА/В; Y22=2/10<sup>4</sup> См.


Артикул №1148657
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Определить электрическое смещение внутри пластины изотропного диэлектрика с диэлектрической проницаемостью ε=3,7, если пластина расположена номинально вектору напряженности однородного электрического поля Е0=370 В/м. Ответ дать в мКл/м2 с точностью до второго знака после запятой.


Артикул №1148655
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Определить концентрацию свободных электронов в алюминии, если алюминий кристаллизуется в решетке гранецентрированного куба, а период решетки алюминия – a=0,4041 нм. Принять, что на каждый атом кристаллической решетки приходится три электрона. Результат представьте в виде x*10-29 м-3. В ответ введите х, округлив его до двух знаков после запятой.


Артикул №1148654
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Разрешенная зона полупроводника – это
1) верхняя из запалённых зон полупроводника
2) энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расцепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла
3) свободная зона полупроводника, на уровнях которой могут находиться электроны проводимости
4) область значений энергии электронов в кристалле полупроводника



Артикул №1148653
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Задача 44.
Эффект поля в полупроводнике – это
1) изменение электропроводимости приповерхностного слоя полупроводника под воздействием электрического поля
2) возникновение поперечной напряженности электрического поля в полупроводнике вследствие наличия продольного градиента температур и поперечного магнитного поля
3) возникновение в полупроводнике электрического поля, напряженность которого перпендикулярна магнитной индукции и потоку диффундирующих частиц под действием электромагнитного излучения



Артикул №1148652
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Задача 43.
Длина свободного пробега носителей заряда – это
1) расстояние, на котором при одномерной диффузии в полупроводнике без электрического поля в нем избыточная концентрация носителей заряда уменьшится вследствие рекомбинации в 2.72 раза
2) расстояние, на которое носители заряда диффундируют за время жизни
3) среднее расстояние, проходимое носителями заряда между двумя последовательными актами рассеивания



Артикул №1148648
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Собственная электропроводность – это
1) Электропроводность полупроводника, обусловлена в основном перемещением дырок проводимости
2) Электропроводность полупроводника, обусловлена генерацией пар электронов проводимости – дырок проводимости при любом способе возбуждения
3) Электропроводность полупроводника, обусловлена в основном перемещение электронов проводимости



Артикул №1148645
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Критическая концентрация дырок проводимости полупроводника – это
1) концентрация равновесных носителей заряда в собственном полупроводнике
2) концентрация подвижных носителей заряда в полупроводнике в условиях термодинамического равновесия
3) концентрация электронов проводимости полупроводника, при которой уровень Ферми совпадает с нижней границей зоны проводимости
4) концентрация дырок проводимости полупроводника, при котором уровень Ферми совпадает с верхней границы валентной зоны



Артикул №1148642
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Направленное движение носителей заряда из-за неравномерного распределения концентрации носителей заряда в объеме полупроводника в отсутствие градиента температуры называют.
1) подвижностью носителей заряда
2) дрейфом
3) диффузией



Артикул №1148639
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 24.08.2020)
Вырожденный полупроводник - это
1) полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в зоне проводимости или в валентной зоне, или же в запрещенной зоне на расстоянии от границ указанных зон, меньшем кТ
2) полупроводник, уровень Ферми в котором расположен в запрещенной зоне на расстоянии от ее границ, больше кТ
3) полупроводник, не содержащий примесей, влияющих на его электропроводимость.



Артикул №1148584
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 18.08.2020)
Правильное положение рабочей точки транзистора для усилителя напряжения (выбрать один правильный ответ из пяти и в поле ввода ввести целое число от 1 до 5, без пробелов)
Правильное положение рабочей точки транзистора для усилителя напряжения (выбрать один правильный ответ из пяти и в поле ввода ввести целое число от 1 до 5, без пробелов)


Артикул №1148319
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.08.2020)
Задача 65.
Укажите полярность напряжений на эмиттере транзистора типа p-n-p.
1) Плюс
2) Минус
3) Полярность зависит от схемы включения транзистора
4) Полярность зависит от конструктивных особенностей транзистора



Артикул №1148312
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.08.2020)
Задача 11.
Чем вызвано наличие объемного заряда в p-n переходе?
1) Перераспределением подвижных носителей в области p-n перехода
2) Скачок потенциалов в области в области p-n перехода
3) Включение внешнего источника тока
4) Перераспределением ионов в узлах кристаллической решетки



Артикул №1148311
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.08.2020)
Задача 10.
Что такое p-n переход?
1) Области между полупроводниками различных типов, соприкасающимся между собой
2) Обеднённый подвижными носителями зарядов слой на границе раздела двух полупроводников с разным типом проводимости
3) Скачок потенциала на границе различных полупроводников



Артикул №1148221
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (n-канал)
E1=2 B; E2=15 B; R2=3 кОм; Y21=?; Y22=0.25∙10-3 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />изолированный затвор встроенный канал (n-канал)  <br />E1=2 B; E2=15 B; R2=3 кОм; Y21=?; Y22=0.25∙10<sup>-3</sup>  Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?


Артикул №1148220
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (p-канал)
E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10-4 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />изолированный затвор встроенный канал (p-канал)  <br />E1=?; E2=14 B; R2=3.9 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=3∙10<sup>-4</sup>  Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=10 В; R2=?; Y21=?; Y22=?


Артикул №1148219
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (n-канал)
E1=?; E2=12 B; R2=2 кОм; Y21=1.5 мА/В; Y22=5∙10-4 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />изолированный затвор встроенный канал (n-канал)  <br />E1=?; E2=12 B; R2=2 кОм; Y21=1.5 мА/В; Y22=5∙10<sup>-4</sup>  Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?


Артикул №1148218
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор индуцированный канал (p-канал)
E1=5 B; E2=16 B; R2=1.5 кОм; Y21=1 мА/В; Y22=?..
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />изолированный затвор индуцированный канал (p-канал)  <br />E1=5 B; E2=16 B; R2=1.5 кОм; Y21=1 мА/В; Y22=?..<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?


Артикул №1148217
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
с управляющим p-n переходом (n-канал)
E1=3 B; E2=8 В; R2=1.5 кОм; Y21=?; Y22=0.001 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br />с управляющим p-n переходом (n-канал)  <br />E1=3 B; E2=8 В; R2=1.5 кОм; Y21=?; Y22=0.001 Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=15 B; R2=?; Y21=?; Y22=?


Артикул №1148216
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.08.2020)
Две задачи по полевым транзисторам
Найти параметр схемы
изолированный затвор встроенный канал (p-канал)
E1=?; E2=10 B; R2=4 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=5∙10-4 Сим .
Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке
E1=?; E2=?; R2=30 кОм; Y21=?; Y22=? .

Две задачи по полевым транзисторам<br /><b>Найти параметр схемы </b> <br /> изолированный затвор встроенный канал (p-канал)  <br />E1=?; E2=10 B; R2=4 кОм; Y21=2 мА/В; Y22=5∙10<sup>-4</sup>  Сим .<br /><b>Нарисовать схему по заданным характеристикам и рабочей точке   </b>  <br />E1=?; E2=?; R2=30 кОм; Y21=?; Y22=? .


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263