Артикул №1145737
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 27.03.2020)
Задание 5
Напряжение коллектора транзистора меняется в диапазоне 1…3 В при постоянном напряжении базы 0.7 В. Определите напряжение Эрли, при котором ток изменяется не более, чем на 5%



Артикул №1145736
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 27.03.2020)
Задание 2. В схеме рис. 2 задано: R1 = 1 кОм, R2 = 2 кОм, VB = 1 В; диод задаются следующей моделью: полностью открыт при напряжении выше 0.5 В, иначе полностью закрыт. Постройте вручную график зависимости Ik(Vk) при Vk=-3…+3 В. Совет: составьте отдельные системы уравнений для случаев открытого и закрытого диода и отдельно определите граничное Vk
<b>Задание 2.</b>  В схеме рис. 2 задано: R1 = 1 кОм, R2 = 2 кОм, VB = 1 В; диод задаются следующей моделью: полностью открыт при напряжении выше 0.5 В, иначе полностью закрыт. Постройте вручную график зависимости Ik(Vk) при Vk=-3…+3 В. Совет: составьте отдельные системы уравнений для случаев открытого и закрытого диода и отдельно определите граничное Vk


Артикул №1145732
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 27.03.2020)
Задание №4.
Определить значения статического и дифференциального входного и выходного сопротивлений транзистора для точки «а» его входной (рис. 26) и выходной (рис. 28) характеристик, если ΔU = 8 В, а ΔIвх = 0.4 мА.

<b>Задание №4.</b> <br />Определить значения статического и дифференциального входного и выходного сопротивлений транзистора для точки «а» его входной (рис. 26) и выходной (рис. 28) характеристик, если ΔU = 8 В, а ΔIвх = 0.4 мА.


Артикул №1145700
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 12.03.2020)
3адание №1 Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Gе или кремния Si в зависимости от номера варианта).
В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец — примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.
Вариант 21
Дано
Материал: Ge
NA (B)=2•1022 м-3;
ND (Sb)=1•1021 м-3;
S=10-6 м2;
T=300 К;
Ln=90•10-6 м;
Lp=60•10-6 м;
Uпр=0,1 В;
Uобр=0,5 В;
ni(Ge)=2,4•1019 м-3;
ΔEзз (Ge)=0,66 эВ;
ε(Ge)=16;



Артикул №1145671
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 11.03.2020)
Транзистор ГТ308В. Дано: EК = 16 В; RК = 400 Ом; Рк.доп = 0,15 Вт. Построить нагрузочную характеристику, определить, укладывается ли она в рабочую область ВАХ. Определить мощность, рассеиваемую на коллекторе в режиме покоя. На ВАХ указать области, соответствующие режимам: насыщения, отсечки, активному.


Артикул №1145554
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача 2.1.7. Резистивный усилитель собран на транзисторе КТ3176 А9 по схеме
Рассчитать сопротивления R_б1 и R_б2 , обеспечивающие точку покоя с параметрами Iбп=2 мА; Uкэп=2,8 В. Известно, что ток через сопротивление через Rб1 в режиме покоя в 10 раз больше тока Iбп, Uп=5 В , а Rэ=0.

<b>Задача 2.1.7. </b>Резистивный усилитель собран на транзисторе КТ3176 А9 по схеме<br />   Рассчитать сопротивления R_б1 и R_б2 , обеспечивающие точку покоя с параметрами Iбп=2 мА; Uкэп=2,8 В. Известно, что ток через сопротивление через Rб1 в режиме покоя в 10 раз больше тока Iбп, Uп=5 В , а Rэ=0.


Артикул №1145553
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача 1.2.8. Определить токи I1, I2,I3, I4, I5 в схеме, изображенной на рисунке. Диоды VD1-VD5 одинаковые, падение напряжения на открытом диоде равно 0,8 В и не зависит от тока через диод. Uп = 5 В; R1 = 1 кОм; R2 = 0,2 кОм; UBX = 0,2 В.
<b>Задача 1.2.8. </b>Определить токи I1, I2,I3, I4, I5 в схеме, изображенной на рисунке. Диоды VD1-VD5 одинаковые, падение напряжения на открытом диоде равно 0,8 В и не зависит от тока через диод. Uп = 5 В; R1 = 1 кОм; R2 = 0,2 кОм; U<sub>BX</sub> = 0,2 В.


Артикул №1145552
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача № 1.1.6. Определить:
1) Контактную разность потенциалов φк p-n перехода кремниевого диода;
2) Ширину p-n перехода со стороны n- и р- областей dn и dp, а также полную ширину перехода: d= dn+dp;
3) Максимальную величину напряженности контактного поля EМ.
Известны величины: σn=0,024 Oм-1∙cм-1; σp=4,8 Oм-1∙cм-1; μn=1500 (см2)/(В∙с); μp=250 (см2)/(В∙с); T=300 K.
Как изменится высота потенциального барьера φ, если к p-n переходу приложить внешнее напряжение:
а) U1=+0,6 B; б) U2=-7 B?



Артикул №1145512
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2020)
Задача № 13 Расчет статических параметров биполярного транзистора
Используя справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам (Изд.4, под общ. ред. Н.Н. Горюнова, «Энергия», Москва, 1978 г.) рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора согласно своего варианта (табл. 13.1). Для заданного типа транзистора необходимо графическим и аналитическим способами рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора. Для этого на прямолинейных участках ВАХ либо при заданной точке покоя (Iб0, Uк0) нужно построить характеристические треугольники и определить параметры. Статические входные и выходные ВАХ выбираются по справочным данным, а для схемы с общим эмиттером изображены на рис. 13.1, а,
Вариант 10 (транзистор КТ315А)

<b>Задача № 13 Расчет статических параметров биполярного транзистора</b><br />Используя справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам (Изд.4, под общ. ред. Н.Н. Горюнова, «Энергия», Москва, 1978 г.) рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора согласно своего варианта (табл. 13.1). Для заданного типа транзистора необходимо графическим и аналитическим способами рассчитать первичные и вторичные параметры транзистора. Для этого на прямолинейных участках ВАХ либо при заданной точке покоя (Iб0, Uк0) нужно построить характеристические треугольники и определить параметры. Статические входные и выходные ВАХ выбираются по справочным данным, а для схемы с общим эмиттером изображены на рис. 13.1, а,<br /> <b>Вариант 10 (транзистор КТ315А)</b>


Артикул №1145372
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.02.2020)
Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистора
Формирование р - кармана
Формирование р+ - областей (области стока и истока p-канального транзистора)
Формирование n+ - областей (области стока и истока n-канального транзистора)

<b>Расчёт параметров диффузии при формировании рабочих областей транзистора</b><br />Формирование р - кармана<br />Формирование р+ - областей (области стока и истока  p-канального транзистора)<br />Формирование n+ - областей (области стока и истока  n-канального транзистора)<br />


Артикул №1145306
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №4. По приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора на постоянном токе при базовом токе 0,5 мА и закрытом коллекторном переходе.
Варианты ответа:
1. 200 Ом,
2. 400 Ом,
3. 7600 Ом,
4. 800 Ом.

Задача №4. По приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора на постоянном токе при базовом токе 0,5 мА и закрытом коллекторном переходе.<br /> Варианты ответа: <br />1. 200 Ом,<br /> 2. 400 Ом, <br />3. 7600 Ом,<br />4. 800 Ом.


Артикул №1145305
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №3. Какова величина базового тока биполярного транзистора, если значения коллекторного и эмиттерного токов равны 50 мА и 50,8 мА?
Варианты ответа:
1. 2,8 мА,
2. 0,8 мА,
3. 1,8 мА,
4. 3,8 мА.



Артикул №1145304
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2020)
Задача №2. При приведенной входной характеристике величину биполярного транзистора определить его коэффициент усиления по току при напряжении коллектор-эмиттер 10В и токе базы 0,6 мА.
Варианты ответа:
1. 10,
2. 25,
3. 45,
4. 60.

Задача №2. При приведенной входной характеристике величину биполярного транзистора определить его коэффициент усиления по току при напряжении коллектор-эмиттер 10В и токе базы 0,6 мА.  <br />Варианты ответа:  <br />1.	10,<br />2.	25, <br />3.	45, <br />4.	60.


Артикул №1145187
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задача №4. По приведенной характеристике биполярного транзистора определить величину его статической выходной проводимости на постоянном токе при напряжении коллектор-эмиттер, равным 10 В и токе базы 0,4мА.
Варианты ответа:
1.1•10-4 См;
2. 5•10-4 См;
3. 1•10-3 См;
4. 5•10-3 См.

Задача №4.  По приведенной характеристике биполярного транзистора определить величину его статической выходной проводимости на постоянном токе при напряжении коллектор-эмиттер, равным 10 В и токе базы 0,4мА.  <br />Варианты ответа: <br />1.1•10-4 См; <br />2.	5•10-4 См; <br />3.	1•10-3 См; <br />4.	5•10-3 См.


Артикул №1145185
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задача №2. При приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора по постоянному току при базовом токе 0,75 мА и закрытом коллекторном переходе.
Варианты ответа:
1. 200 Ом,
2. 400 Ом,
3. 700 Ом,
4. 800 Ом.

Задача №2.  При приведенной входной характеристике определить величину статического входного сопротивления биполярного транзистора по постоянному току при базовом токе 0,75 мА и закрытом коллекторном переходе. <br />Варианты ответа:  <br />1. 200 Ом, <br />2. 400 Ом, <br />3. 700 Ом, <br />4. 800 Ом.


Артикул №1145183
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Какая из приведенных схем соответствует биполярному транзистору типа p-n-p, включенному по схеме ОЭ?
Варианты ответа:1, 2, 3, 4.

Какая из приведенных схем соответствует биполярному транзистору типа p-n-p, включенному по схеме ОЭ? <br />Варианты ответа:1, 2, 3, 4.


Артикул №1145174
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
Задана полупроводниковая структура, в которой управление током в канале осуществляется с помощью поперечного электрического поля.
Канал – приповерхностный (нечетная последняя цифра студенческого билета), Uпор = 6 В. Удельная крутизна b1 = 0,25 мА/В2.
Определить:
1) Тип канала (p или n)
2) Нарисовать заданную структуру, указать полярность питающих напряжений, назвать выводы и пояснить принцип полевого управления током.
3) Рассчитать и построить на одном графике стоко-затрворные ВАХ в режиме насыщения для двух значений длин канала L=L1 , удельной крутизне b1=0,12 мА/В2 и L2=2 L1 . Сделать вывод о влиянии управляющего действия напряжения затвора на длину канала.
4) Рассчитать и построить зависимость крутизны S от напряжения на затворе для двух заданных в п.3 значений L.
5) Для трех самостоятельно выбранных значений напряжения на затворе определить напряжение насыщения на стоке и построить семейство стоковых ВАХ, выделив омический участок и участок насыщения (только для одного значения b=b1 )
Вариант 00



Артикул №1145173
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2020)
По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.1·10-9 А в идеальном несимметричном n+-p переходе, площадью S=0,1 см2, Δt=30K.
(Вариант 00)
Определить :



Артикул №1145146
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.01.2020)
Технологические процессы микроэлектроники
Технологические процессы микроэлектроники


Артикул №1145057
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.01.2020)
Задача 10. По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.
Вариант 8

<b>Задача 10.</b> По данным таблицы 7.11. рассчитайте параметры транзистора. Выходные характеристики транзисторов, включенных по схеме с общим эмиттером, представлены в вариантах 6-10. Постройте семейство выходных характеристик и рассчитайте коэффициент передачи тока и выходную проводимость транзистора.<br /> <b>Вариант 8</b>


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263