Артикул №1118165
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 09.01.2019)
Расчет предварительного усилителя на транзисторе (Контрольная работа, Вариант 18)
Для схемы, представленной на рис. 1, необходимо:
1) Выбрать тип транзистора, зафиксировать его паспортные параметры;
2) Произвести расчет:
- режима транзистора по постоянному току в соответствии со схемой включения и заданными параметрами усилительного каскада;
- элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора;
- малосигнальных параметров транзистора и эквивалентной схемы замещения;
3) Определить основные параметры и изобразить принципиальную схему окончательного варианта усилителя, построить амплитудно-частотную (АЧХ) и фазо-частотную (ФЧХ) характеристики усилителя.

Расчет предварительного усилителя  на транзисторе (Контрольная работа, Вариант 18)<br />Для схемы, представленной на рис. 1, необходимо: <br />1)	Выбрать тип транзистора, зафиксировать его паспортные параметры; <br />2)	Произвести расчет: <br />-	режима транзистора по постоянному току в соответствии со схемой включения и заданными параметрами усилительного каскада; <br />-	элементов, обеспечивающих рабочий режим транзистора; <br />-	малосигнальных параметров транзистора и эквивалентной схемы замещения; <br />3)	Определить основные параметры и изобразить принципиальную схему окончательного варианта усилителя, построить амплитудно-частотную (АЧХ) и фазо-частотную (ФЧХ) характеристики усилителя.


Артикул №1118164
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 09.01.2019)
Расчет предварительного усилителя на транзисторе (Контрольная работа, Вариант 24)
Расчет предварительного усилителя  на транзисторе (Контрольная работа, Вариант 24)


Артикул №1118154
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Силовая электроника

(Добавлено: 09.01.2019)
Проектирование преобразователя (курсовая работа)
Проектирование преобразователя (курсовая работа)


Артикул №1118107
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 08.01.2019)
В схеме трехкаскадного УНЧ значения коэффициентов усиления по напряжению равны: Ku1 = 20, Ku2 = 25, Ku3= 30. Как изменится коэффициент усиления УНЧ, если два его последних каскада охватить цепью ООС с коэффициентом β2,3 = 0,01?


Артикул №1118106
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Выпрямители, стабилизаторы, электропитающие устройства (ЭПУ)

(Добавлено: 08.01.2019)
В схеме однофазного выпрямителя с выводом средней точки ток нагрузки составил I0 = 1,6 A. Сопротивление нагрузки Rн = 50 Ом. Вычислить значения тока, протекающего через каждый диод (вентиль) I и мощность, потребляемую нагрузкой выпрямителя P0.


Артикул №1118105
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Выпрямители, стабилизаторы, электропитающие устройства (ЭПУ)

(Добавлено: 08.01.2019)
В схеме однофазного выпрямителя с выводом средней точки ток нагрузки составил I0 = 1,6 А при Rн = 50 Ом. Можно ли в этой схеме использовать выпрямительные диоды Д231, у которых параметры Iпр.ср.макс = 5 А, а Uобр.макс = 330 В


Артикул №1118008
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Цифровая обработка сигналов (ЦОС) - Теория передачи сигналов

(Добавлено: 06.01.2019)
Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст
Вариант -5, -3, -2

Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст<br /><b>Вариант -5, -3, -2</b>


Артикул №1118005
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.01.2019)
Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст
Вариант 1, -2, 4

Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст<br /><b> Вариант 1, -2, 4</b>


Артикул №1117938
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Операционные усилители (ОУ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Коэффициент передачи любого фильтра 2-го порядка в общем случае записывается в виде:
K(ω)=(d0+d1(jω)+d2(jω)2)/(c0+c1(jω)+c2(jω)2) (1)
Найти выражение для комплексного коэффициента передачи K(ω) фильтра, представленного на схеме. Операционный усилитель считать идеальным.
Привести полученное выражение к стандартному виду (1). Для ФВЧ должно получиться d0 = d1 = 0.
Найти выражение для вещественного коэффициента передачи |K(ω)| и определить частоту среза фильтра ωср из условия |K(ωср)| = K0/√2, где K0 = |K(ω)| при ω→∞
Построить АЧХ
Дано: R1=4,2 кОм; R2=6,6 кОм; R3=38 кОм; C1=10 пФ; C2=15 пФ; α=2,5

Коэффициент передачи любого фильтра 2-го порядка в общем случае записывается в виде: <br />K(ω)=(d0+d1(jω)+d2(jω)<sup>2</sup>)/(c0+c1(jω)+c2(jω)<sup>2</sup>)                (1) <br />Найти выражение для комплексного коэффициента передачи K(ω) фильтра, представленного на схеме. Операционный усилитель считать идеальным. <br />Привести полученное выражение к стандартному виду (1). Для ФВЧ должно получиться d0 = d1 = 0. <br />Найти выражение для вещественного коэффициента передачи |K(ω)| и определить частоту среза фильтра ωср из условия |K(ωср)| = K0/√2, где K0 = |K(ω)| при ω→∞ <br />Построить АЧХ <br />Дано: R1=4,2 кОм; R2=6,6 кОм; R3=38 кОм; C1=10 пФ; C2=15 пФ; α=2,5
Поисковые тэги: MicroCap

Артикул №1117920
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №5 Вариант 9
Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для тонкой базы выполняются условия Cбrд=Cб·φT/I, Cдrд=w2/2D;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие Cбrд=Cдrд; Примите Сб = 10 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.

<b>Задача №5 Вариант 9</b><br />Имеется кремниевый диод. <br />а) Докажите, что для тонкой базы выполняются условия Cбrд=Cб·φT/I, Cдrд=w<sup>2</sup>/2D; <br />где Cб, Сд –  барьерная и диффузионная емкости диода; rд –  дифференциальное сопротивление перехода. <br />б)  Вычислите  величину тока через  переход,  при  котором  выполняется условие Cбrд=Cдrд; Примите Сб = 10 пФ, wб = 10<sup>-5</sup> см. <br />в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10<sup>-3</sup>—10<sup>-1</sup>) А и постройте графики. <br />Объясните полученные результаты.


Артикул №1117919
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №4 Вариант 9
Имеются германиевый и кремниевый диоды. Зависимость теплового тока от температуры определяется выражением
I0(T)=I00·e-φЗ/φT;
где I00 – ток, не зависящий от температуры.
а) Докажите, что относительное изменение теплового тока определяется выражением
I0(T)/I0(T0)=eφЗ(T/T0 -1)/(φT(T/T0) где I0(T0) – тепловой ток при Т = 300 К.
б) Рассчитайте относительные изменения теплового тока при изменении температуры от –50 до 100°С для обоих диодов. Постройте графики и сделайте выводы.

<b>Задача №4 Вариант 9</b><br /> Имеются германиевый и кремниевый  диоды. Зависимость теплового тока от температуры определяется выражением <br />I<sub>0</sub>(T)=I<sub>00</sub>·e<sup>-φЗ/φT</sup>; <br />где I<sub>00</sub> – ток, не зависящий от температуры. <br />а)  Докажите,  что  относительное  изменение  теплового  тока определяется выражением<br /> I<sub>0</sub>(T)/I<sub>0</sub>(T0)=e<sup>φЗ(T/T0 -1)/(φT(T/T0)</sup> где I<sub>0</sub>(T0) – тепловой ток при Т = 300 К. <br />б)  Рассчитайте  относительные  изменения  теплового  тока при изменении температуры от –50 до 100°С для обоих диодов.  Постройте графики и сделайте выводы.


Артикул №1117918
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №3 Вариант 9
а) Получите зависимость диффузионного потенциала в переходе от температуры. Обоснуйте полученный результат.
б) Используя полученное в пункте а) выражение, рассчитайте зависимость диффузионного потенциала в диапазоне температур от –30 до 70°С. Расчет сделайте в относительных единицах.
Постройте график и сделайте выводы.



Артикул №1117917
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №2 Вариант 9
Образец кремния находится в состоянии термодинамического равновесия и содержит донорные примеси с концентрацией Nd = 1016 см-3. Найдите температуру, при которой p = 0,1n. Покажите, что эта температура превышает 50 К.



Артикул №1117916
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача 1 Вариант 9
Имеется собственный полупроводник.
а) Докажите, что выполняются соотношения
φC=φE+φЗ/2; φV=φE-φЗ/2;
Объясните, почему.
б) Имеется электронный полупроводник с концентрацией электронов n, докажите, что выполняется условие φF=φC-φЗ/2+φT·ln⁡(ni/p); Обоснуйте полученные результаты.

<b>Задача 1 Вариант 9</b><br />Имеется собственный полупроводник. <br />а) Докажите, что выполняются соотношения <br />φC=φE+φЗ/2; φV=φE-φЗ/2; <br />Объясните, почему. <br />б)  Имеется  электронный  полупроводник  с  концентрацией  электронов n, докажите, что выполняется условие φF=φC-φЗ/2+φT·ln⁡(ni/p); Обоснуйте полученные результаты.


Артикул №1117819
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Операционные усилители (ОУ)

(Добавлено: 03.01.2019)
Анализ ARC-цепи (курсовая работа)
Вариант Д, N=5, M=1 (схема №25)

Анализ ARC-цепи (курсовая работа)<br />Вариант Д, N=5, M=1 (схема №25)
Поисковые тэги: Переходная характеристика, MicroCap

Артикул №1117817
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Выпрямители, стабилизаторы, электропитающие устройства (ЭПУ)

(Добавлено: 03.01.2019)
Лабораторная работа № 4
Исследование полупроводниковых выпрямителей

ЦЕЛЬ РАБОТЫ Исследование работы выпрямителей переменного напряжения на примере схем: однополупериодной, двухполупериодной со средней точкой, однофазной мостовой, трёхфазной с нулевой точкой и трехфазной мостовой;

Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Артикул №1117816
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 03.01.2019)
Лабораторная работа № 3
Исследование работы биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером

ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение принципа работы биполярного транзистора, экспериментальное исследование входных и выходных статических характеристик транзистора включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ), исследование работы транзистора в электрической цепи с нагрузкой, определение малосигнальных h-параметров.
Транзистор 2N3392

<b>Лабораторная работа № 3 <br />Исследование работы биполярного транзистора,  включенного по схеме с общим эмиттером </b><br />ЦЕЛЬ РАБОТЫ Изучение принципа работы биполярного транзистора, экспериментальное исследование входных и выходных статических характеристик транзистора включенного по схеме с общим эмиттером (ОЭ), исследование работы транзистора в электрической цепи с нагрузкой, определение малосигнальных h-параметров.<br /> Транзистор 2N3392
Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Артикул №1117815
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.01.2019)
Лабораторная работа № 1
Исследование работы полупроводникового диода

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучение принципа действия, исследование статических вольтамперных характеристик полупроводникового диода и его работы в простейших цепях.
Диод 1N4002

<b>Лабораторная работа № 1<br />  Исследование работы полупроводникового диода</b><br />ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучение принципа действия, исследование статических вольтамперных характеристик полупроводникового диода и его работы в простейших цепях.<br />Диод 1N4002
Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Артикул №1117790
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 03.01.2019)
В схеме транзисторного ключа даны сопротивление резистора RК и значение параметра h21Э транзистора, а также напряжение питания ЕК.
Рассчитать значение RБ так, чтобы в отсутствие входных сигналов транзистор находился в насыщении с коэффициентом насыщения SНАС. Найти ток коллектора.
Вариант 64
Дано
Rк=1,5 кОм;
h21э=15;
Sнас=2,5;
Eк=9 В;

В  схеме  транзисторного  ключа даны  сопротивление  резистора  RК и  значение  параметра  h21Э транзистора, а  также  напряжение питания  ЕК.   <br />Рассчитать  значение  R<sub>Б</sub> так,  чтобы  в отсутствие  входных  сигналов  транзистор  находился  в  насыщении  с  коэффициентом  насыщения S<sub>НАС</sub>.  Найти ток коллектора.<br /><b>Вариант 64</b><br /> Дано<br /> Rк=1,5 кОм; <br />h21э=15; <br />Sнас=2,5; <br />Eк=9 В;


Артикул №1117417
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 30.12.2018)
Определить действующее значение тока, если Imax = 1,73 A
Определить действующее значение тока, если I<sub>max</sub> = 1,73 A


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИП Евсеев Р.П. ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263