Артикул №1109876
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.09.2018)
Интегральные схемы. (контрольная работа)


Артикул №1109762
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Выпрямители, стабилизаторы, электропитающие устройства (ЭПУ)

(Добавлено: 12.09.2018)
1 Начертить схему выпрямления в соответствии с вариантом.
2 По заданным значениям выпрямленного напряжения и тока в нагрузке определить:
- среднее значение за период тока диода Iа;
- действующее значение тока во вторичной обмотке трансформатора I2;
- действующее значение напряжения вторичной обмотки трансформатора U2;
- максимальное обратное напряжение на диоде Uобр max;
- расчетную мощность трансформатора Sтр;
3 На схеме выпрямления показать путь тока для заданного момента времени ω;
4 Начертить диаграммы напряжений вторичной обмотки трансформатора и выпрямленного напряжения;
5 Кратко пояснить принцип работы выпрямителя.
Исходные данные:
- величина выпрямленного напряжения Ud;
- величина выпрямленного тока Id;
- момент времени ω.

1 Начертить схему выпрямления в соответствии с вариантом.   <br />2  По  заданным  значениям  выпрямленного  напряжения  и  тока  в  нагрузке  определить:   <br />- среднее значение за период тока диода Iа;   <br />- действующее значение тока во вторичной обмотке трансформатора I2;   <br />-  действующее значение напряжения вторичной обмотки трансформатора U2;<br />   - максимальное обратное напряжение на диоде Uобр max;<br />   - расчетную мощность трансформатора Sтр;   <br />3 На схеме выпрямления показать путь тока для заданного момента времени  ω;   <br />4 Начертить диаграммы напряжений вторичной обмотки трансформатора и  выпрямленного напряжения;   <br />5 Кратко пояснить принцип работы выпрямителя.   <br />Исходные данные:   <br />- величина выпрямленного напряжения Ud;  <br /> - величина выпрямленного тока Id; <br />  - момент времени ω.


Артикул №1109760
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 12.09.2018)
Проектирование широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока (курсовая работа по Схемотехнике Вариант 574)
Проектирование широкополосного RC-усилителя, источником сигнала которого является генератор тока (курсовая работа по Схемотехнике Вариант 574)


Артикул №1109696
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Фильтры

(Добавлено: 11.09.2018)
На рисунке приведена схема:
1. Низкочастотного фильтра
2. Полосового фильтра
3. Режекторного фильтра
4. Высокочастотного фильтра

На рисунке приведена схема: <br /> 1.	Низкочастотного фильтра <br /> 2.	Полосового фильтра <br /> 3.	Режекторного фильтра <br /> 4.	Высокочастотного фильтра


Артикул №1109153
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.09.2018)
Транзистор типа p-n-p включен в схему с общим эмиттером. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если:
а) напряжение база-эмиттер Uбэ = 0,8 В и напряжение коллектор – эмиттер Uкэ = -0,3 B;
б) напряжение Uбэ = 2 В и напряжение Uкэ = -10 B;
в) напряжение Uбэ = 0,6 В и напряжение Uкэ = -5 B



Артикул №1108621
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Выпрямители, стабилизаторы, электропитающие устройства (ЭПУ)

(Добавлено: 03.09.2018)
1) Рассчитайте параметрические стабилизаторы для питания данного ОУ от двух источников постоянного напряжения ±30 В ±10% при этом изменение напряжения питания ОУ не должно превышать 0,5%.
2) Составьте схему питания десяти ОУ с использованием интегральных линейных стабилизаторов. Исходным источником энергии является сеть 220 В ±10%, 50 Гц.
Вариант 23
Дано:
Eпит =15 В; (для заданного ОУ К157КД2)
E1=30 В;
Iпотр=7 мА;(для заданного ОУ К157КД2)



Артикул №1108372
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 02.09.2018)
Усилитель широкополосный (курсовая работа)


Артикул №1108200
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Транзисторные каскады

(Добавлено: 31.08.2018)
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей
Получить и исследовать входные и передаточные операторные функции. Рассчитать частотные характеристики (ЧХ) по выражениям АЧХ и ФЧХ, на основе карты нулей и полюсов и с использованием автоматизированных методов анализа цепей.
Вариант 16
Шифр задания Сх11.П3.ОИ.М4

Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей<br /> Получить и исследовать входные и передаточные операторные функции. Рассчитать частотные характеристики (ЧХ) по выражениям АЧХ и ФЧХ, на основе карты нулей и полюсов и с использованием автоматизированных методов анализа цепей.<br />Вариант 16<br />Шифр задания Сх11.П3.ОИ.М4
Поисковые тэги: MicroCap

Артикул №1107844
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Схемотехника

(Добавлено: 29.08.2018)
Схемотехника базовых логических элементов ЭВМ. Понятия о комбинационных и последовательностных цифровых устройствах, общие принципы их синтеза и реализации.
(Ответ на теоретический вопрос – 3 страницы в Word)



Артикул №1107837
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В германиевом р − n-переходе удельная проводимость р-области σр = 104 См/м и удельная проводимость n-области σn = 102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок μp в германии соответственно равны 0,39 и 0,19 м2/(В⋅с). Концентрация собственных носителей в германии при Т = 300 К составляет ni = 2,5⋅1019 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К.


Артикул №1107836
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В сплавном германиевом p − n-переходе с Nd = 103Na, на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 300 К. Плотность атомов германия принять равной N = 4,4⋅1022 см-3.


Артикул №1107835
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Дан p – n-переход с постоянными концентрациями примеси Na в области p-типа и примеси Nd в области n-типа. Рассчитать долю Кn (в процентах) полного обратного напряжения, приходящегося на область n-типа при условии, что Na = 1017 см-3 и Nd = 0,1 Na; Nd = 0,001 Na.


Артикул №1107834
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
К образцу кремния n-типа сделан золотой контакт, образующий барьер Шоттки. Падение напряжения на контакте металл − полупроводник φk = 0,5 В. Работа выхода электронов из металла qφМ равна 4,75 эВ. Чему равна концентрация легирующей примеси в кремнии. Рассчитать величину максимального значения напряженности электрического поля в области пространственного заряда в кремнии.


Артикул №1107833
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Кремниевый р − n-переход имеет следующие данные: ширина р − n-перехода W = 10-3 cм, концентрация акцепторных примесей Na = 1019-3, концентрация донорных примесей Nd = 2⋅1016-3, площадь поперечного сечения перехода S = 10-42, длина областей ln = 10-4 cм, lр = 10-3 cм, коэффициенты диффузии неосновных носителей Dp = 8 см2/c, Dn = 25 см2/c, концентрация собственных носителей заряда ni = 1,5⋅1010-3. Определить: а) обратный ток насыщения I0; б) прямой ток и падение напряжения на объемах р- и n-областей при прямом напряжении, равном 0,65 В.


Артикул №1107832
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения I0 = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В, и T = 300 К. Определить: а) сопротивление диода постоянному току R0; б) дифференциальное сопротивление r.


Артикул №1107831
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Барьерная емкость диода равна 200 пФ при обратном напряжении 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до 50 пФ, если контактная разность потенциалов φk = 0,82 В.


Артикул №1107830
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Рассчитать требуемое время жизни неосновных носителей τ0 в кремниевой подложке p-типа с удельным сопротивлением 12 Ом⋅см, в приповерхностной области которой сформирован прибор с зарядовой связью (ПЗС), выполняющий функцию формирователя изображений, исходя из условия, что на долю тепловой генерации приходится не более 5% детектируемого порогового заряда. В качестве элементов в ПЗС используется МДП-структура с квадратными затворами размером 5×5 мкм. Пороговое значение детектируемого заряда составляет 2500 электронов на элемент изображения, а заряд каждого элемента считывается и обнуляется каждые 10 мс. При тепловом равновесии поверхностная плотность зарядов в инверсном слое МДП-структуры должна составлять 1013 электрон/см2.
Принять, что тепловая генерация электронов описывается экспоненциальной функцией времени



Артикул №1107829
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Идеальный МДП-конденсатор сформирован на основе кремниевой подложки р-типа с концентрацией Na=1015 см-3. Диэлектрический слой имеет толщину 100 нм. Разность работ выхода электрона из металла и полупроводника составляет φМП = − 0,9 эВ. Плотность заряда на границе раздела Qss = 8⋅10-8 Кл/см-2. Вычислите максимальную толщину обедненной области Wmax , емкость диэлектрического слоя, заряд в обедненной области (Qs=QB), пороговое напряжение и минимальную емкость МДП-конденсатора, а также его пороговое напряжение с учетом влияния напряжения плоских зон.


Артикул №1107828
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Вычислите плотность заряда Qss, возникающего на границе раздела Si - SiO2 в некоторой МДП-структуре, имеющей алюминиевую металлизацию, подложку р-типа, концентрацию акцепторов Na=1016 см-3 и толщину оксидного слоя 0,1 мкм. Известно, что напряжение плоских зон составляет величину − 2,3 В.
К затвору МДП-конденсатора, рассмотренного выше, приложено напряжение в несколько сотых долей вольта; прибор работает при достаточно высокой температуре. Определить плотность заряда, связанного с обедненной областью QB, а также плотность подвижного заряда Qn , вытесненного на поверхность кремния, если напряжение плоских зон составляет V′пз=1,3 В. Исходные данные: εd = 4; φТ = 0,026 В.



Артикул №1107827
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Какова толщина слоя окисла кремния в идеальной МДП-структуре, зонная диаграмма которой изображена на рис. 7.2
Какова толщина слоя окисла кремния в идеальной МДП-структуре, зонная диаграмма которой изображена на рис. 7.2


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях: