Артикул №1085416
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 14.03.2018)
Контрольная работа №2 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Контрольная работа №2  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br />Вариант 16


Артикул №1085415
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 14.03.2018)
Контрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Контрольная работа №1  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br /> Вариант 16


Артикул №1084904
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 12.03.2018)
Некоторый примесный полупроводник имеет решетку типа алмаза и обладает только дырочной проводимостью. Определить концентрацию дырок nр и их подвижность uр, если постоянная Холла Rх = 3,8·10-4 м3/Кл. Удельная проводимость полупроводника σ=110 (Ом·м)-1.


Артикул №1083867
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.03.2018)
1. Провести расчет φk , Is и rб диодов на основе германия и кремния.
2. Рассчитать и построить ВАХ диодов при 300 К с учетом сопротивления базы.
Данные к расчету:
Концентрация атомов акцепторной примеси Nа = 1 ∙ 1018
Концентрация атомов донорной примеси Nd = 10 * 1015 см-3 = 1016
Протяженность (толщина) р+ -слоя Wp = 20 мкм = 0.002 см
Протяженность (толщина) n -базы Wn = 200 мкм = 0,02 см
Площадь р-n-перехода S = 0.2 мм2 = 0,002 см2
Время жизни дырок в n-области τp = 100 мкс = 10-4 с
Время жизни электронов в р-области τn = 1 ∙ 10-9 с



Артикул №1083866
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.03.2018)
1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда.
2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К.
Данные к расчету:
Материал – кремний (Nж = 10)
Концентрация примеси Nd = 10 * 1015 см-3 = 1016
Глубина залегания примесного уровня Ec-Ed = 0,1 эВ
Геометрические размеры L:h:d = 1 см :1 см :0,1 см.



Артикул №1083208
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.03.2018)
1. Рассчитать все h-параметры
2. Построить переходную характеристику и режим работы
Вариант 9
Дано:
Транзистор: К-331 А
Eп = 9 В;
Rк = 900 Ом;
ΔIб = 0,2 мА;
Режим работы «В»

1. Рассчитать все h-параметры <br />2. Построить переходную характеристику и режим работы <br />Вариант 9<br />Дано:<br /> Транзистор: К-331 А <br />Eп = 9 В;<br /> Rк = 900 Ом;<br /> ΔIб = 0,2 мА;<br /> Режим работы «В»


Артикул №1081232
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2018)
По справочнику выберите биполярный транзистор согласно условию своего варианта. Выполните необходимые вычисления, построения и сделайте выводы. Укажите физический смысл заданного параметра
Вариант 5
Дано
Условие выбора транзистора: Uкбmax; fгр = 30 МГц;
Схема включения: С ОБ, режим насыщения, статический;
Rн=40 Ом;
Iбрт=4 мА;
Uкэрт=8 В;
Заданный параметр: Uкэmax;



Артикул №1081230
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2018)
По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику, укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр. Ответ должен содержать:
1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;
2) расшифровку маркировки заданного типа диода;
3) запись определения данного типа диода;
4) краткий ответ, какое свойство p-n-перехода используется в этом типе диода;
5) типовую характеристику;
6) схему включения;
7) область применения;
8) ответ о физическом смысле и расчёт заданного параметра.
Вариант 5
Дано
Марка диода: АИ 201К In = 15 мА; Iвn = 1,5 мА; Un = 0,08 В; Uвn = 0,63 В;
Найти gдиф-?



Артикул №1081229
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 19.02.2018)
Начертите схему включения p-n перехода, соответствующую заданному состоянию; покажите токи, протекающие через p-n переход, их направление и соотношение; укажите порядок величины результирующего тока.
Вариант 5
Дано Состояние p-n-перехода: Равновесное состояние



Артикул №1081064
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 18.02.2018)
Используя семейство выходных характеристик транзистора КТ 312А в схеме с общим эмиттером (рисунок 8), определить выходное сопротивление транзистора при токе базы Iб = 0,6 мА и напряжениях на коллекторе Uк = 5; 10; 15 В. Построить график зависимости Rвых = f(Uк).
Используя семейство выходных характеристик транзистора КТ 312А в схеме с общим эмиттером (рисунок 8), определить выходное сопротивление транзистора при токе базы Iб = 0,6 мА и напряжениях на коллекторе Uк = 5; 10; 15 В. Построить график зависимости Rвых = f(Uк).


Артикул №1080081
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.02.2018)
Контрольная работа по электронике


Артикул №1079292
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.02.2018)
Задание №3
1. Провести расчет основных параметров транзистора: αN, αI, Iэ0, Iк0. 2. Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при Iэ = 0; 2 мА; 10 мА.

Задание №4
Пользуясь параметрами транзистора, рассчитанными в задании №3 рассчитать входную ВАХ транзистора с ОЭ при обратном смещении на коллекторном перехода и выходные ВАХ при Iб = 0; 10 мкА; 50 мкА;
Вариант 36



Артикул №1078665
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Электрический разряд в газе. Упругие и не упругие взаимодействия, эффективное сечение. Несамостоятельный и самостоятельный газовый разряд. Стационарный газовый разряд: тихий тлеющий, дуговой. Нестационарные газовые разряды.(ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)


Артикул №1078664
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Физические основы эмиссионной электроники. (ответ на экзаменационный вопрос - 4 страницы WORD)


Артикул №1078663
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Особенности квантово-размерных структур. Квантовые переходы (ответ на экзаменационный вопрос - 6 страниц WORD)


Артикул №1078662
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Термоэлектрический эффект Пельтье (ответ на экзаменационный вопрос - 4 страницы WORD)


Артикул №1078661
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Термоэлектрический эффект Зеебека (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)


Артикул №1078660
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Фотоэлектрические явления (ответ на экзаменационный вопрос - 4 страницы WORD)


Артикул №1078659
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Биполярный транзистор (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)


Артикул №1078658
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.02.2018)
Контакты межу полупроводниками одного типа проводимости. Омические контакты. Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности (ответ на экзаменационный вопрос - 3 страницы WORD)


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях: