Артикул №1068165
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 12.11.2017)
Расчёт электронно-дырочного перехода (курсовая работа по дисциплине «Физика твердого тела», Вариант 6)
Исходные данные:
Электронно-дырочный переход формируется диффузией фосфора в кремниевую подложку p-типа с концентрацией исходной примеси Nисх. Поверхностные концентрации примеси фосфора N0Д. Глубина залегания p-n-перехода X. Определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение электронно-дырочного перехода.

Расчёт электронно-дырочного перехода (курсовая работа по дисциплине «Физика твердого тела», Вариант 6)<br /><b>Исходные данные: </b><br />Электронно-дырочный переход формируется диффузией фосфора в кремниевую подложку p-типа с концентрацией исходной примеси Nисх. Поверхностные концентрации примеси фосфора N0Д. Глубина залегания p-n-перехода X. Определить вольтамперную характеристику, барьерную и диффузионную ёмкости, пробивное напряжение электронно-дырочного перехода.


Артикул №1063241
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Ключ на транзисторе ГТ341 (p-n-p) работает в диапазоне температур: -60°С+70°С. Граничное значение напряжения UБЭ.ГР = 0.4 В; значение RБ =1 кОм.
Требуется определить величину ЕБ, обеспечивающую надежное запирание VT.



Артикул №1063235
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Определить статическое R0 и дифференциальное rДиф сопротивление Ge диода при Т = 300К; UПР = 0,2 В и токе I0бр = 25 мкА. (коэфф.: γGe =1,5; γSi = 2).


Артикул №1063234
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Ge p-n-переход имеет ток I0 = 1·10–6 А, а Si с такими же параметрами – ток I0 = 10–7 А. Вычислить и сравнить UПР на переходах при Т = 293К, если через каждый диод протекает ток IПР = 100 ма = 0,1 А. (коэфф.: γGe =1,5; γSi = 2).


Артикул №1063233
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
В Ge p-n-переходе уд. сопротивление p-области составляет ρр = 2 (Ом·см), а для n-области ρn = 1(Ом·см). Вычислить φК при известной подвижности μn электронов и μp дырок при Т=300К


Артикул №1063232
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Для полупроводника из Si проводимости в n- и p- областях σn = 8 [1/(Ом·см)] и σp = 2,4 [1/(Ом·см)]; μn = 500(см2/В·с); μр = 300(см2/В·с). Собственная концентрация примесей в Si: ni =1,45·1010(1/см3); εo = 8,85·10–14(Ф/см); εSi = 12(безр).
Определить: 1) контактную разность потенциалов (φК); 2) ширину p-n-перехода со стороны n- и p- областей dn и dp, а также полную ширину перехода d = (dn+dp). 3) напряженность контактного поля ЕМ при T = 300 К.



Артикул №1063231
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Найти значение барьерной емкости СБар, приходящейся на 1 см2 поверхности симметричного Si p-n-перехода при напряжении прямом UПР =0,3 В и обратном UОбр.= –50 В, если: NА = ND =1015 (см–3) и Т =300ºК. [ε(Si) =12; ε(Ge) =16 безр].


Артикул №1063230
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Концентрация Ge p-n-перехода NД = 103NA, причем на каждые 108 атомов Ge приходится один атом акцепторной примеси. Концентрации атомов NGe = 4,4∙1022 (см–3), и ионизированных атомов ni = 2,4∙1013 (см–3). Определить φК при Т = 300К


Артикул №1063229
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Определить уровни Ферми в ПП переходе (np–pn) при Т=300 К, если: UПР = 0,35 В; концентрации акцепторов и доноров в дырочной и электронной областях составляют: NA =1015 и ND = 5·1017 (см–3).


Артикул №1063228
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.10.2017)
Определить разность потенциалов φК в Si р-n–переходе при Т=300 К, если: UПР = 0,35 В; концентрации акцепторов и доноров в дырочной и электронной областях составляют: NA =1015 и ND = 5·1017 (см–3).


Артикул №1055502
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 23.07.2017)
Определить концентрацию основных носителей заряда и их подвижность в образах кремния с концентрацией неосновных носителей заряда 4,5·104 см-3 при комнатной температуре. Для образца n-типа удельная проводимость составляет 1,04 См/см, а для р-типа 0,4 См/см. Сравните полученные результаты и сделайте вывод.


Артикул №1055501
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 23.07.2017)
Определите тип примеси и ее концентрацию в кристалле германия если уровень Ферми находится на 0,6 эВ от потолка валентной зоны. Объясните почему требуется такой тип примеси и приведите примеры конкретных веществ, которые возможно использовать.


Артикул №1055500
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 23.07.2017)
Определить удельную проводимость образца кремния при Т = 300 К, если концентрация акцепторов в полупроводнике 2,3·1015 см-3 и концентрация доноров 2,2·1015 см-3. Сравнить значение с удельной проводимостью собственного кремния и сделать вывод о влиянии легирования на проводимость.


Артикул №1054389
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2017)
Определить систему h-параметров по статическим характеристикам транзистора с общей базой, а также по его входным и выходным характеристикам (рис. 106) методом характеристического трегуольника.
Определить систему h-параметров по статическим характеристикам транзистора с общей базой, а также по его входным и выходным характеристикам (рис. 106) методом характеристического трегуольника.


Артикул №1054387
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2017)
Вакуумный серебряно-кислородно-цезиевый фотоэлемент имеет напряжение насыщения 60 В; при световом потоке F = 0.3 лм и анодном напряжении Uа = 100 В его фототок равен I = 5.8 мка.
Определить чувствительность фотоэлемента и напряжение анодного питания, если сопротивление нагрузки фотоэлемента rн = 1 мОм.



Артикул №1054378
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2017)
Определить коэффициент усиления напряжения, если параметры лампы: r1 = 20 кОм, μ = 40 и rвых = 40 кОм.


Артикул №1054377
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.07.2017)
При анодном напряжении 220 В и напряжении на сетке 3 В анодный ток трехэлектродной лампы равен 5 мА. Если увеличить· анодное напряжение до 260 В, то этот ток возрастет до 7 мА, а при увеличении напряжения на сетке до 4 В значение анодного тока ставится первоначальным.
Определить параметры трехэлектродной лампы.



Артикул №1053641
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 30.06.2017)
Рассчитать h - параметры транзистора в рабочей точке и построить эквивалентную схему прибора на низкой частоте, используя характеристики заданного биполярного транзистора .
Дано: транзистор КТ315А, напряжение питания ЕК = 15В, сопротивление нагрузки RН=500 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБО =350 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=150 мкА.



Артикул №1053100
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 23.06.2017)
По передаточной вольт-амперной характеристике полевого транзистора (рис. 19.1) определить крутизну характеристики S = dIС/dUЗИ (в мА/В) при UЗИ = 1 В.
Варианты ответов:
1. 0,5.
2. 0,7.
3. 1,0.
4. 1,3.
5. 1,7.

По передаточной вольт-амперной характеристике полевого транзистора (рис. 19.1) определить крутизну характеристики S = dI<sub>С</sub>/dU<sub>ЗИ</sub> (в мА/В) при UЗИ = 1 В. <br />Варианты ответов:<br /> 1. 0,5. <br />2. 0,7. <br />3. 1,0. <br />4. 1,3. <br />5. 1,7.


Артикул №1052931
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 22.06.2017)
Нужно разработать компьютер с наименьшим потреблением и малыми габаритами. Какой тип логики предпочесть при его разработке и почему: ДТЛ, ТТЛ(Ш), ЭСТЛ, МОП или КМОП?


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях: