Артикул №1118005
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 06.01.2019)
Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст
Вариант 1, -2, 4

Найти для указанного периодического сигнала среднее значение Uср и действующее значение Uдейст<br /><b> Вариант 1, -2, 4</b>


Артикул №1117920
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №5 Вариант 9
Имеется кремниевый диод.
а) Докажите, что для тонкой базы выполняются условия Cбrд=Cб·φT/I, Cдrд=w2/2D;
где Cб, Сд – барьерная и диффузионная емкости диода; rд – дифференциальное сопротивление перехода.
б) Вычислите величину тока через переход, при котором выполняется условие Cбrд=Cдrд; Примите Сб = 10 пФ, wб = 10-5 см.
в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10-3—10-1) А и постройте графики.
Объясните полученные результаты.

<b>Задача №5 Вариант 9</b><br />Имеется кремниевый диод. <br />а) Докажите, что для тонкой базы выполняются условия Cбrд=Cб·φT/I, Cдrд=w<sup>2</sup>/2D; <br />где Cб, Сд –  барьерная и диффузионная емкости диода; rд –  дифференциальное сопротивление перехода. <br />б)  Вычислите  величину тока через  переход,  при  котором  выполняется условие Cбrд=Cдrд; Примите Сб = 10 пФ, wб = 10<sup>-5</sup> см. <br />в) Рассчитайте значения постоянной времени Cбrд при изменении тока через диод I = (10<sup>-3</sup>—10<sup>-1</sup>) А и постройте графики. <br />Объясните полученные результаты.


Артикул №1117919
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №4 Вариант 9
Имеются германиевый и кремниевый диоды. Зависимость теплового тока от температуры определяется выражением
I0(T)=I00·e-φЗ/φT;
где I00 – ток, не зависящий от температуры.
а) Докажите, что относительное изменение теплового тока определяется выражением
I0(T)/I0(T0)=eφЗ(T/T0 -1)/(φT(T/T0) где I0(T0) – тепловой ток при Т = 300 К.
б) Рассчитайте относительные изменения теплового тока при изменении температуры от –50 до 100°С для обоих диодов. Постройте графики и сделайте выводы.

<b>Задача №4 Вариант 9</b><br /> Имеются германиевый и кремниевый  диоды. Зависимость теплового тока от температуры определяется выражением <br />I<sub>0</sub>(T)=I<sub>00</sub>·e<sup>-φЗ/φT</sup>; <br />где I<sub>00</sub> – ток, не зависящий от температуры. <br />а)  Докажите,  что  относительное  изменение  теплового  тока определяется выражением<br /> I<sub>0</sub>(T)/I<sub>0</sub>(T0)=e<sup>φЗ(T/T0 -1)/(φT(T/T0)</sup> где I<sub>0</sub>(T0) – тепловой ток при Т = 300 К. <br />б)  Рассчитайте  относительные  изменения  теплового  тока при изменении температуры от –50 до 100°С для обоих диодов.  Постройте графики и сделайте выводы.


Артикул №1117918
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №3 Вариант 9
а) Получите зависимость диффузионного потенциала в переходе от температуры. Обоснуйте полученный результат.
б) Используя полученное в пункте а) выражение, рассчитайте зависимость диффузионного потенциала в диапазоне температур от –30 до 70°С. Расчет сделайте в относительных единицах.
Постройте график и сделайте выводы.



Артикул №1117917
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача №2 Вариант 9
Образец кремния находится в состоянии термодинамического равновесия и содержит донорные примеси с концентрацией Nd = 1016 см-3. Найдите температуру, при которой p = 0,1n. Покажите, что эта температура превышает 50 К.



Артикул №1117916
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 05.01.2019)
Задача 1 Вариант 9
Имеется собственный полупроводник.
а) Докажите, что выполняются соотношения
φC=φE+φЗ/2; φV=φE-φЗ/2;
Объясните, почему.
б) Имеется электронный полупроводник с концентрацией электронов n, докажите, что выполняется условие φF=φC-φЗ/2+φT·ln⁡(ni/p); Обоснуйте полученные результаты.

<b>Задача 1 Вариант 9</b><br />Имеется собственный полупроводник. <br />а) Докажите, что выполняются соотношения <br />φC=φE+φЗ/2; φV=φE-φЗ/2; <br />Объясните, почему. <br />б)  Имеется  электронный  полупроводник  с  концентрацией  электронов n, докажите, что выполняется условие φF=φC-φЗ/2+φT·ln⁡(ni/p); Обоснуйте полученные результаты.


Артикул №1117815
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 03.01.2019)
Лабораторная работа № 1
Исследование работы полупроводникового диода

ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучение принципа действия, исследование статических вольтамперных характеристик полупроводникового диода и его работы в простейших цепях.
Диод 1N4002

<b>Лабораторная работа № 1<br />  Исследование работы полупроводникового диода</b><br />ЦЕЛЬ РАБОТЫ: Изучение принципа действия, исследование статических вольтамперных характеристик полупроводникового диода и его работы в простейших цепях.<br />Диод 1N4002
Поисковые тэги: Electronics WorkBench

Артикул №1116081
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 27.11.2018)
Транзистор ГТ329А.
По выходным характеристикам указанного транзистора определить коэффициент передачи по току при неизменном напряжении на коллекторе UКЭ =2,5 В и токах базы: IБ1 = 15 мкА; IБ2 = 45 мкА; IБ3 = 75 мкА; IБ4 =105 мкА. Построить график зависимости h21 = f (IБ ) при UКЭ = 2,5 В.



Артикул №1115125
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 14.11.2018)
Биполярный транзистор КТ340В (Курсовая работа по электронике)


Артикул №1114827
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
1. Определить параметры модели: Sn, rβ, Cдиф, CКА, CКП, rб; малосигнальный параметры транзистора S
2. Рассчитать усредненные параметры транзистора Rвх, Xвх, SI, φS, Rвых на частоте f/fт = 0,3 и частоту fs, с использованием соотношений, приведенных в подразд. 1.4.
Вариант 6
Дано:
Транзистор: КТ920
Ток покоя IК0/IКдоп = 0,5
Угол отс. Θ, град: 90



Артикул №1114813
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Тиристоры
(вариант 19, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114803
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Электронно-дырочный переход
(вариант 4, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114714
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Биполярные транзисторы
(вариант 10, ответ на теоретический вопрос - 4 страницы Pdf)



Артикул №1114695
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.11.2018)
Задача 59. Объяснить физический смысл электронно-дырочного перехода (р-n) полупроводников и его одностороннюю проводимость.


Артикул №1114611
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.11.2018)
Полевые транзисторы
(Ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114284
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.11.2018)
Исходные данные:
Транзистор – n-p-n;
Материал транзистора – кремний (Si);
Толщина базы – w =10 мкм;
Удельное сопротивление базового слоя - ρp = 4 Ом·см;
Напряжение на коллекторе – Uk = 10 В;
Дифференциальное сопротивление коллектора – rk = 1 МОм;
Обратный ток эмиттера – IЭ0 = 2 мкА;
Коэффициент инжекции – γ = 0.98;
Время жизни электронов – τn = 1 мкс;
Найти:
1) Дифференциальное сопротивление эмиттера;
2) Сопротивление по постоянному току эмиттера;
3) Коэффициент передачи базового тока;
4) Коэффициент обратной связи по напряжению;



Артикул №1109876
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.09.2018)
Интегральные схемы. (контрольная работа)


Артикул №1109153
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.09.2018)
Транзистор типа p-n-p включен в схему с общим эмиттером. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если:
а) напряжение база-эмиттер Uбэ = 0,8 В и напряжение коллектор – эмиттер Uкэ = -0,3 B;
б) напряжение Uбэ = 2 В и напряжение Uкэ = -10 B;
в) напряжение Uбэ = 0,6 В и напряжение Uкэ = -5 B



Артикул №1107837
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В германиевом р − n-переходе удельная проводимость р-области σр = 104 См/м и удельная проводимость n-области σn = 102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок μp в германии соответственно равны 0,39 и 0,19 м2/(В⋅с). Концентрация собственных носителей в германии при Т = 300 К составляет ni = 2,5⋅1019 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К.


Артикул №1107836
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В сплавном германиевом p − n-переходе с Nd = 103Na, на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 300 К. Плотность атомов германия принять равной N = 4,4⋅1022 см-3.


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях:
    ИНН421700235331 ОГРНИП308774632500263