Артикул №1116081
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 27.11.2018)
Транзистор ГТ329А.
По выходным характеристикам указанного транзистора определить коэффициент передачи по току при неизменном напряжении на коллекторе UКЭ =2,5 В и токах базы: IБ1 = 15 мкА; IБ2 = 45 мкА; IБ3 = 75 мкА; IБ4 =105 мкА. Построить график зависимости h21 = f (IБ ) при UКЭ = 2,5 В.



Артикул №1115125
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 14.11.2018)
Биполярный транзистор КТ340В (Курсовая работа по электронике)


Артикул №1114827
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
1. Определить параметры модели: Sn, rβ, Cдиф, CКА, CКП, rб; малосигнальный параметры транзистора S
2. Рассчитать усредненные параметры транзистора Rвх, Xвх, SI, φS, Rвых на частоте f/fт = 0,3 и частоту fs, с использованием соотношений, приведенных в подразд. 1.4.
Вариант 6
Дано:
Транзистор: КТ920
Ток покоя IК0/IКдоп = 0,5
Угол отс. Θ, град: 90



Артикул №1114813
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Тиристоры
(вариант 19, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114803
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Электронно-дырочный переход
(вариант 4, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114714
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 10.11.2018)
Биполярные транзисторы
(вариант 10, ответ на теоретический вопрос - 4 страницы Pdf)



Артикул №1114695
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.11.2018)
Задача 59. Объяснить физический смысл электронно-дырочного перехода (р-n) полупроводников и его одностороннюю проводимость.


Артикул №1114611
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 08.11.2018)
Полевые транзисторы
(Ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)



Артикул №1114284
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 01.11.2018)
Исходные данные:
Транзистор – n-p-n;
Материал транзистора – кремний (Si);
Толщина базы – w =10 мкм;
Удельное сопротивление базового слоя - ρp = 4 Ом·см;
Напряжение на коллекторе – Uk = 10 В;
Дифференциальное сопротивление коллектора – rk = 1 МОм;
Обратный ток эмиттера – IЭ0 = 2 мкА;
Коэффициент инжекции – γ = 0.98;
Время жизни электронов – τn = 1 мкс;
Найти:
1) Дифференциальное сопротивление эмиттера;
2) Сопротивление по постоянному току эмиттера;
3) Коэффициент передачи базового тока;
4) Коэффициент обратной связи по напряжению;



Артикул №1109876
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 13.09.2018)
Интегральные схемы. (контрольная работа)


Артикул №1109153
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.09.2018)
Транзистор типа p-n-p включен в схему с общим эмиттером. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если:
а) напряжение база-эмиттер Uбэ = 0,8 В и напряжение коллектор – эмиттер Uкэ = -0,3 B;
б) напряжение Uбэ = 2 В и напряжение Uкэ = -10 B;
в) напряжение Uбэ = 0,6 В и напряжение Uкэ = -5 B



Артикул №1107837
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В германиевом р − n-переходе удельная проводимость р-области σр = 104 См/м и удельная проводимость n-области σn = 102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок μp в германии соответственно равны 0,39 и 0,19 м2/(В⋅с). Концентрация собственных носителей в германии при Т = 300 К составляет ni = 2,5⋅1019 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К.


Артикул №1107836
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
В сплавном германиевом p − n-переходе с Nd = 103Na, на каждые 108 атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. Определить контактную разность потенциалов при температуре T = 300 К. Плотность атомов германия принять равной N = 4,4⋅1022 см-3.


Артикул №1107835
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Дан p – n-переход с постоянными концентрациями примеси Na в области p-типа и примеси Nd в области n-типа. Рассчитать долю Кn (в процентах) полного обратного напряжения, приходящегося на область n-типа при условии, что Na = 1017 см-3 и Nd = 0,1 Na; Nd = 0,001 Na.


Артикул №1107834
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
К образцу кремния n-типа сделан золотой контакт, образующий барьер Шоттки. Падение напряжения на контакте металл − полупроводник φk = 0,5 В. Работа выхода электронов из металла qφМ равна 4,75 эВ. Чему равна концентрация легирующей примеси в кремнии. Рассчитать величину максимального значения напряженности электрического поля в области пространственного заряда в кремнии.


Артикул №1107833
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Кремниевый р − n-переход имеет следующие данные: ширина р − n-перехода W = 10-3 cм, концентрация акцепторных примесей Na = 1019-3, концентрация донорных примесей Nd = 2⋅1016-3, площадь поперечного сечения перехода S = 10-42, длина областей ln = 10-4 cм, lр = 10-3 cм, коэффициенты диффузии неосновных носителей Dp = 8 см2/c, Dn = 25 см2/c, концентрация собственных носителей заряда ni = 1,5⋅1010-3. Определить: а) обратный ток насыщения I0; б) прямой ток и падение напряжения на объемах р- и n-областей при прямом напряжении, равном 0,65 В.


Артикул №1107832
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения I0 = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В, и T = 300 К. Определить: а) сопротивление диода постоянному току R0; б) дифференциальное сопротивление r.


Артикул №1107831
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Барьерная емкость диода равна 200 пФ при обратном напряжении 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до 50 пФ, если контактная разность потенциалов φk = 0,82 В.


Артикул №1107830
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Рассчитать требуемое время жизни неосновных носителей τ0 в кремниевой подложке p-типа с удельным сопротивлением 12 Ом⋅см, в приповерхностной области которой сформирован прибор с зарядовой связью (ПЗС), выполняющий функцию формирователя изображений, исходя из условия, что на долю тепловой генерации приходится не более 5% детектируемого порогового заряда. В качестве элементов в ПЗС используется МДП-структура с квадратными затворами размером 5×5 мкм. Пороговое значение детектируемого заряда составляет 2500 электронов на элемент изображения, а заряд каждого элемента считывается и обнуляется каждые 10 мс. При тепловом равновесии поверхностная плотность зарядов в инверсном слое МДП-структуры должна составлять 1013 электрон/см2.
Принять, что тепловая генерация электронов описывается экспоненциальной функцией времени



Артикул №1107829
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 29.08.2018)
Идеальный МДП-конденсатор сформирован на основе кремниевой подложки р-типа с концентрацией Na=1015 см-3. Диэлектрический слой имеет толщину 100 нм. Разность работ выхода электрона из металла и полупроводника составляет φМП = − 0,9 эВ. Плотность заряда на границе раздела Qss = 8⋅10-8 Кл/см-2. Вычислите максимальную толщину обедненной области Wmax , емкость диэлектрического слоя, заряд в обедненной области (Qs=QB), пороговое напряжение и минимальную емкость МДП-конденсатора, а также его пороговое напряжение с учетом влияния напряжения плоских зон.


    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях: