Артикул №1106734
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 17.08.2018)
Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC. (реферат)


Артикул №1106691
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 16.08.2018)
Туннельный эффект, туннельный диод. (курсовая работа)


Артикул №1105392
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 09.08.2018)
Зная плотность Na, найти постоянную его кристаллической решетки. У Na объемно-центрированная кубическая решетка.


Артикул №1105314
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Лабораторная работа № 8
РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ

Лабораторная работа № 8 <br /> РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ


Артикул №1105313
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Лабораторная работа № 4
РАСЧЕТ КОЭФФИЦИЕНТА РАСПЫЛЕНИЯ ИЗОТРОПНОЙ МИШЕНИ ИОНАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ

Лабораторная работа № 4  <br />  РАСЧЕТ КОЭФФИЦИЕНТА РАСПЫЛЕНИЯ ИЗОТРОПНОЙ МИШЕНИ ИОНАМИ ИНЕРТНЫХ ГАЗОВ


Артикул №1105312
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Лабораторная работа №3
РАСЧЕТ ДИФФУЗИОННОГО ПРОФИЛЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ДИФФУЗИИ

Лабораторная работа №3  <br /> РАСЧЕТ  ДИФФУЗИОННОГО  ПРОФИЛЯ  ЛЕГИРУЮЩИХ  ПРИМЕСЕЙ  В  КРЕМНИИ  ПРИ  РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ  ДИФФУЗИИ <br />


Артикул №1105311
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Лабораторная работа №2
ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ТЕРМОВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛЕНКИ ПО ТОЛЩИНЕ

Лабораторная работа №2  <br /> ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ТЕРМОВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛЕНКИ ПО ТОЛЩИНЕ <br />


Артикул №1105309
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 21)
Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 21)


Артикул №1105308
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 13)
Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 13)


Артикул №1105307
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Курсовая работа на тему: "Расчет параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 15)
Курсовая работа  на тему: "Расчет параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 15)


Артикул №1105305
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов"
Курсовая работа на тему:  "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной  обработки материалов"


Артикул №1105304
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Фазовые превращения однокомпонентных систем. Правило фаз Гиббса
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105303
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Термическое и электронно-лучевое вакуумное осаждение пленок.
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105302
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Плазмохимическое осаждение диэлектрических пленок
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105301
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Ядерное (трансмутационное) легирование
(Ответ на теоретический вопрос – 2 страницы в Word)



Артикул №1105300
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Химическое осаждение диэлектрических пленок
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105299
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Каналирование ионов
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105297
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Распределение пробега имплантированных ионов в твердом теле
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105296
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Эпитаксиальное наращивание пленок
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



Артикул №1105295
Технические дисциплины >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) >
  Физические основы электроники (ФОЭ)

(Добавлено: 07.08.2018)
Процессы взаимодействия ионов с веществом
(Ответ на теоретический вопрос – 1 страница в Word)



    Категории
    Заказ решения задач по ТОЭ и ОТЦ
    Заказ решения задач по Теоретической механике
    Не нашли нужной задачи или варианта? Вы всегда можете воспользоваться быстрым заказом решения.

    Быстрый заказ решения

    Студенческая база

    Наш сайт представляет из себя огромную базу выполненных заданий по разым учебным темам - от широкораспространенных до экзотических. Мы стараемся сделать так, чтобы большиство учеников и студентов смогли найти у нас ответы и подсказки на интересующие их темы. Каждый день мы закачиваем несколько десятков, а иногда и сотни новых файлов, а общее количество решений в нашей базе превышает 150000 работ (далеко не все из них еще размещены на сайте, но мы ежедневно над этим работаем). И не забывайте, что в любой большой базе данных умение правильно искать информацию - залог успеха, поэтому обязательно прочитайте раздел «Как искать», что сильно повысит Ваши шансы при поиске нужного решения.

    Мы в социальных сетях: