Артикул: 1126458

Раздел:Технические дисциплины (80188 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (302 шт.)

Название или условие:
Корректирование амплитудно-частотных характеристик магнитного звена магнитофона
(Ответ на теоретический вопрос – 2 страницы Word)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

12.3(УО). В супергетеродинном приемнике гетеродин создает гармонические колебания с частотой fг = 7,5 МГц. Промежуточная частота приемника fпр = 465 кГц; из двух возможных частот принимаемого сигнала основному каналу приема отвечает большая, а зеркальному каналу – меньшая частота. Для подавления зеркального канала на входе преобразователя частоты включен одиночный колебательный контур, настроенный на частоту основного канала. Найдите значение добротности Q этого контура, при которой ослабление зеркального канала составит – 25 дб по отношению к основному каналу приема.	Задание 13 1 В схеме однотактного амплитудного детектора с диодом и RCфильтром (Рис.1) получить диаграмму Рис.2 2 Изменить амплитуду и частоту сигналов несущей и модуляции. Подобрать новые параметры фильтра. 3 Сделать выводы
Детектор АМ-колебаний содержит нелинейный резистивный элемент с квадратичной ВАХ вида i = a0+ a1(u+U0) + a2(u-U0)2. Вычислите низкочастотную составляющую тока iнч(t) протекающего через нелинейный резистор при детектировании однотонального АМ-сигнала u = U0 + Um(1+McosΩt)cosω0t,	12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА). К диоду приложено напряжение гетеродина (В) uг = 1,2cosωгt. Вычислите крутизну преобразования Sпр данного устройства.
12.8. В диодном преобразователе частоты, который описан в задаче 12,7, к диоду приложено напряжение u(t) = U0 + 1,2cosωгt В. Определите, при каком напряжение смещение U0 < 0 крутизна преобразования составит величину 1,5 мА/В.	11.21(О). Применительно к данным задачи 11.19 определите мощность P0, потребляемую усилителем от источника питания, полезную мощность P1вых, выделяемую током первой гармоники в колебательном контуре, мощность Рпот, рассеиваемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также КПД усилителя.
Анализ прохождения однотонального АМ-сигнала через резонансный усилитель (Курсовая работа) Транзистор, согласно заданию, должен быть типа BC847A	12.5(Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость стока ic(мА) от управляющего напряжение затвор – исток uзи при uзи ≥ -2 В, аппроксимирована квадратичной параболой iс(uзи) = 7,5(uзи + 2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина uг(t) = Umгcosωгt. Найдите закон изменения во времени дифференциальной крутизны Sдиф(t) характеристики ic = f(uзи).
11.9(О). Одноконтурный резонансный усилитель питается от источника с напряжением Eп = 12 В. Резонансное сопротивление контура (с учетом неполного включения) Rрез = 20 кОм. Постоянное напряжение смещения на базе U0 = 0,5 B. Проходная характеристика транзистора iк = f(uбэ) аппроксимирована кусочно-линейной функцией с параметрами S =15 мА/В, Uн = 0,8 В. Определите амплитуду Umвx входного сигнала, при которой усилитель работает в критическом режиме. Частота входного сигнала совпадает с резонансной частотой контура.	12.1(О). Идеальный источник ЭДС создает напряжение u(t) = 1,5cos2π107t, В. К зажимам источника подключен резистивный элемент с переменной во времени проводимостью G(t) = 10-3 + 2 * 10-4sin2π106t, См. Найдите амплитуду тока Im, имеющего частоту 9 МГц.