Артикул: 1126458

Раздел:Технические дисциплины (80188 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (302 шт.)

Название или условие:
Корректирование амплитудно-частотных характеристик магнитного звена магнитофона
(Ответ на теоретический вопрос – 2 страницы Word)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

12.7(О). В преобразователе частоты использован полупроводниковый диод, ВАХ которого описана зависимостью (мА).
К диоду приложено напряжение гетеродина (В) uг = 1,2cosωгt. Вычислите крутизну преобразования Sпр данного устройства.

12.8. В диодном преобразователе частоты, который описан в задаче 12,7, к диоду приложено напряжение u(t) = U0 + 1,2cosωгt В. Определите, при каком напряжение смещение U0 < 0 крутизна преобразования составит величину 1,5 мА/В.
12.5(Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость стока ic(мА) от управляющего напряжение затвор – исток uзи при uзи ≥ -2 В, аппроксимирована квадратичной параболой iс(uзи) = 7,5(uзи + 2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина uг(t) = Ucosωгt. Найдите закон изменения во времени дифференциальной крутизны Sдиф(t) характеристики ic = f(uзи).Расчёт и проектирование приёмного тракта бортовой радиолокационной системы (Курсовой проект)
Вариант 95

Используя график модуляционной характеристики, оцените наибольшее значение коэффициента модуляции Mmax, при котором еще обеспечивается приближенно линейность закона модуляции.
Входное сопротивление диодного детектора определяют как отношение амплитуды входного гармонического напряжения Umвx к амплитуде первой гармоники тока Im1 через диод Rвх = Umвx/ Im1. Докажите, что если SRн ≫ 1, то Rвх ≈ Rн/2.
12.3(УО). В супергетеродинном приемнике гетеродин создает гармонические колебания с частотой fг = 7,5 МГц. Промежуточная частота приемника fпр = 465 кГц; из двух возможных частот принимаемого сигнала основному каналу приема отвечает большая, а зеркальному каналу – меньшая частота. Для подавления зеркального канала на входе преобразователя частоты включен одиночный колебательный контур, настроенный на частоту основного канала. Найдите значение добротности Q этого контура, при которой ослабление зеркального канала составит – 25 дб по отношению к основному каналу приема.11.22(O). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура Rрез = 8,6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжение Umвых на коллекторе транзистора.
Расчет связного приемника дискретных сигналов (Курсовая работа)
Приемник радиовещательный (курсовой проект)
В результате работы спроектирован радиовещательный средневолновый приемник, имеющий следующие расчетные характеристики:
диапазон принимаемых частот от 0,9 МГц до 1,607 МГц
Избирательность:
по соседнему каналу 40 дБ (при расстройке на 9 кГц),
по зеркальному каналу 108 дБ,
по каналу прямого прохождения более 150 дБ,
реальная чувствительность 0,22 мкВ.