Артикул: 1105312

Раздел:Технические дисциплины (68565 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1622 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (398 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №3
РАСЧЕТ ДИФФУЗИОННОГО ПРОФИЛЯ ЛЕГИРУЮЩИХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ ПРИ РАЗЛИЧНЫХ РЕЖИМАХ ДИФФУЗИИ


Описание:
Цель работы: изучить физические основы процесса диффузии и методику расчета диффузионных профилей при диффузии из постоянного источника и слоя конечной толщины в полуограниченное тело.


Теоретическая часть
1.Физические основы процесса диффузии
2.Диффузионный профиль

ХОД РАБОТЫ
Исходные данные
1. В соответствии с заданным вариантом построить профили распределения примесей при загонке и разгонке.
2. Найти координаты точек инверсии типа проводимости и нанести их на графики.
3. Определить дозу легирования при загонке
ВЫВОД

Всего: 12 страниц



Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить по характеристике Rдиф при 1 = 50; 2 = 35; 3 = 0,6; 4 = 0,9. Ответ в Ом.	Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =24 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 6 В. Ответ в кОм.	Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=4 мА, ΔUзи =2 В, ΔUси = 1,6 В, ΔIз = 0,5 мкА. Ответ в мА/В.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 3 В.	Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=3 мА, ΔUзи =0,3 В, ΔUси = 1,8 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в мА/В.
Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В. Ответ в мА/В.	Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=1 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,8 В, ΔU2 = 5 В.
Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =18 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В.	Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 1 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.