Артикул: 1085416

Раздел:Технические дисциплины (59990 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1373 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (339 шт.)

Название:Контрольная работа №2 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 18
Объясните заполнение энергетических зон (валентной и зоны проводимости) полупроводников при температуре 0 К. Ответы:
1) зона проводимости не содержит электронов;
2) в запрещенной зоне есть ничтожное количество свободных электронов;
3) валентная зона полностью занята электронами;
4) в запрещенной зоне свободных электронов нет.

Вопрос № 35
Укажите правильные соотношения между параметрами электрона и дырки, соответствующие одному и тому же квантовому состоянию? Ответы:
1) Ep = -En, mp = -mn, ep = -en;
2) Ep = En, mp = -mn, ep = en;
3) Ep = -En, mp = mn, ep = en;
4) Ep = En, mp = mn, ep = -en.
где Ep, En - кинетическая энергия, mp, mn -эффективная масса, ep, en - заряд дырки и электрона, соответственно.

Вопрос № 64
Какую физическую характеристику можно определить из температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике? Ответы:
1) температуру плавления полупроводника;
2) температуру, при которой концентрации электронов и дырок становятся равными;
3) ширину запрещенной зоны;
4) энергию ионизации примесных атомов.

Вопрос № 73
Какое из нижеприведенных утверждений дает правильное представление о времени релаксации электрона? Ответы:
1) это время, за которое неравновесная электронная система после выключения электрического поля приходит в равновесное состояние;
2) это время, за которое скорость направленного движения электронов после выключения электрического поля уменьшается в е = 2,72 раз;
3) это время жизни носителей заряда в соответствующих зонах;
4) это время, за которое электроны и дырки рекомбинируют.

Вопрос № 106
Каким параметром характеризуется процесс генерации носителей заряда? Ответы:
1) концентрацией электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне, возникающих в единице объема;
2) скоростью создания (g) носителей или электронно - дырочных пар в единице объема в единицу времени;
3) скоростью изменения количества носителей в единицу времени [c-1];
4) энергией уровня, который поставляет свободные носители заряда с размерностью (эВ).

Задача 3.9.
Определите дрейфовые скорости электронов в образцах кремния (Si), германия (Ge), арсенида галлия (GaAs), арсенида индия (InAs) и антимонида индия (InSb) n-типа проводимости при Т=300 К в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если подвижности основных носителей заряда в них равны, соответственно, 0,15, 0,39, 0,85, 2,7 и 7,7 м²/В.с.

ТУСУР
5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

Явление политипизма и методы получения различных политипов в SiC. (реферат)	Дан p – n-переход с постоянными концентрациями примеси Na в области p-типа и примеси Nd в области n-типа. Рассчитать долю Кn (в процентах) полного обратного напряжения, приходящегося на область n-типа при условии, что Na = 1017 см-3 и Nd = 0,1 Na; Nd = 0,001 Na.
Ширина запрещенной зоны Eg собственного кремния равна 1,12 эВ. Вычислить вероятность заполнения электроном уровня вблизи дна зоны проводимости при температурах 0 и 300 К. Как изменится эта вероятность при указанных температурах, если на полупроводник будет действовать электромагнитное излучение с длинами волн λ = 0,6 и 2,0 мкм? Считать, что при Т = 300 К разность (Е − Ef) практически равна Еg/2.	К образцу кремния n-типа сделан золотой контакт, образующий барьер Шоттки. Падение напряжения на контакте металл − полупроводник φk = 0,5 В. Работа выхода электронов из металла qφМ равна 4,75 эВ. Чему равна концентрация легирующей примеси в кремнии. Рассчитать величину максимального значения напряженности электрического поля в области пространственного заряда в кремнии.
Интегральные схемы. (контрольная работа)	Транзистор типа p-n-p включен в схему с общим эмиттером. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если: а) напряжение база-эмиттер Uбэ = 0,8 В и напряжение коллектор – эмиттер Uкэ = -0,3 B; б) напряжение Uбэ = 2 В и напряжение Uкэ = -10 B; в) напряжение Uбэ = 0,6 В и напряжение Uкэ = -5 B
Рассчитать требуемое время жизни неосновных носителей τ0 в кремниевой подложке p-типа с удельным сопротивлением 12 Ом⋅см, в приповерхностной области которой сформирован прибор с зарядовой связью (ПЗС), выполняющий функцию формирователя изображений, исходя из условия, что на долю тепловой генерации приходится не более 5% детектируемого порогового заряда. В качестве элементов в ПЗС используется МДП-структура с квадратными затворами размером 5×5 мкм. Пороговое значение детектируемого заряда составляет 2500 электронов на элемент изображения, а заряд каждого элемента считывается и обнуляется каждые 10 мс. При тепловом равновесии поверхностная плотность зарядов в инверсном слое МДП-структуры должна составлять 1013 электрон/см2. Принять, что тепловая генерация электронов описывается экспоненциальной функцией времени	Какова толщина слоя окисла кремния в идеальной МДП-структуре, зонная диаграмма которой изображена на рис. 7.2
Лабораторная работа № 8 РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ОБРАЗОВАНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПЛЕНКИ НА КРЕМНИИ ПРИ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМ ОКИСЛЕНИИ	Курсовая работа на тему: "Расчёт параметров процесса ионно-плазменной обработки материалов" (вариант 13)