Артикул: 1085416

Раздел:Технические дисциплины (59990 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1373 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (339 шт.)

Название:Контрольная работа №2 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 18
Объясните заполнение энергетических зон (валентной и зоны проводимости) полупроводников при температуре 0 К. Ответы:
1) зона проводимости не содержит электронов;
2) в запрещенной зоне есть ничтожное количество свободных электронов;
3) валентная зона полностью занята электронами;
4) в запрещенной зоне свободных электронов нет.

Вопрос № 35
Укажите правильные соотношения между параметрами электрона и дырки, соответствующие одному и тому же квантовому состоянию? Ответы:
1) Ep = -En, mp = -mn, ep = -en;
2) Ep = En, mp = -mn, ep = en;
3) Ep = -En, mp = mn, ep = en;
4) Ep = En, mp = mn, ep = -en.
где Ep, En - кинетическая энергия, mp, mn -эффективная масса, ep, en - заряд дырки и электрона, соответственно.

Вопрос № 64
Какую физическую характеристику можно определить из температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике? Ответы:
1) температуру плавления полупроводника;
2) температуру, при которой концентрации электронов и дырок становятся равными;
3) ширину запрещенной зоны;
4) энергию ионизации примесных атомов.

Вопрос № 73
Какое из нижеприведенных утверждений дает правильное представление о времени релаксации электрона? Ответы:
1) это время, за которое неравновесная электронная система после выключения электрического поля приходит в равновесное состояние;
2) это время, за которое скорость направленного движения электронов после выключения электрического поля уменьшается в е = 2,72 раз;
3) это время жизни носителей заряда в соответствующих зонах;
4) это время, за которое электроны и дырки рекомбинируют.

Вопрос № 106
Каким параметром характеризуется процесс генерации носителей заряда? Ответы:
1) концентрацией электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне, возникающих в единице объема;
2) скоростью создания (g) носителей или электронно - дырочных пар в единице объема в единицу времени;
3) скоростью изменения количества носителей в единицу времени [c-1];
4) энергией уровня, который поставляет свободные носители заряда с размерностью (эВ).

Задача 3.9.
Определите дрейфовые скорости электронов в образцах кремния (Si), германия (Ge), арсенида галлия (GaAs), арсенида индия (InAs) и антимонида индия (InSb) n-типа проводимости при Т=300 К в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если подвижности основных носителей заряда в них равны, соответственно, 0,15, 0,39, 0,85, 2,7 и 7,7 м2/В.с.

ТУСУР
5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Контрольная работа №2  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br />Вариант 16

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

По заданной маркировке диода определите его тип, дайте ему полную техническую характеристику, укажите физический смысл и рассчитайте заданный параметр. Ответ должен содержать:
1) таблицу с выписанным заданием своего варианта;
2) расшифровку маркировки заданного типа диода;
3) запись определения данного типа диода;
4) краткий ответ, какое свойство p-n-перехода используется в этом типе диода;
5) типовую характеристику;
6) схему включения;
7) область применения;
8) ответ о физическом смысле и расчёт заданного параметра.
Вариант 5
Дано
Марка диода: АИ 201К In = 15 мА; Iвn = 1,5 мА; Un = 0,08 В; Uвn = 0,63 В;
Найти gдиф-?
Фотоэлектрические явления (ответ на экзаменационный вопрос - 4 страницы WORD)
Контрольная работа по электроникеКонтрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

ВАХ реального электронно-дырочного перехода (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)Переключение из прямого направления в обратное (ответ на экзаменационный вопрос - 1 страница WORD)
Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)Дрейфовое движение носителей заряда (ответ на экзаменационный вопрос - 3 страницы WORD)
Задание №3
1. Провести расчет основных параметров транзистора: αN, αI, Iэ0, Iк0. 2. Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при Iэ = 0; 2 мА; 10 мА.

Задание №4
Пользуясь параметрами транзистора, рассчитанными в задании №3 рассчитать входную ВАХ транзистора с ОЭ при обратном смещении на коллекторном перехода и выходные ВАХ при Iб = 0; 10 мкА; 50 мкА;
Вариант 36
Виды электронно-дырочных переходов (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)