Артикул: 1085416

Раздел:Технические дисциплины (59990 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1373 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (339 шт.)

Название или условие:
Контрольная работа №2 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 18
Объясните заполнение энергетических зон (валентной и зоны проводимости) полупроводников при температуре 0 К. Ответы:
1) зона проводимости не содержит электронов;
2) в запрещенной зоне есть ничтожное количество свободных электронов;
3) валентная зона полностью занята электронами;
4) в запрещенной зоне свободных электронов нет.

Вопрос № 35
Укажите правильные соотношения между параметрами электрона и дырки, соответствующие одному и тому же квантовому состоянию? Ответы:
1) Ep = -En, mp = -mn, ep = -en;
2) Ep = En, mp = -mn, ep = en;
3) Ep = -En, mp = mn, ep = en;
4) Ep = En, mp = mn, ep = -en.
где Ep, En - кинетическая энергия, mp, mn -эффективная масса, ep, en - заряд дырки и электрона, соответственно.

Вопрос № 64
Какую физическую характеристику можно определить из температурной зависимости концентрации носителей заряда в собственном полупроводнике? Ответы:
1) температуру плавления полупроводника;
2) температуру, при которой концентрации электронов и дырок становятся равными;
3) ширину запрещенной зоны;
4) энергию ионизации примесных атомов.

Вопрос № 73
Какое из нижеприведенных утверждений дает правильное представление о времени релаксации электрона? Ответы:
1) это время, за которое неравновесная электронная система после выключения электрического поля приходит в равновесное состояние;
2) это время, за которое скорость направленного движения электронов после выключения электрического поля уменьшается в е = 2,72 раз;
3) это время жизни носителей заряда в соответствующих зонах;
4) это время, за которое электроны и дырки рекомбинируют.

Вопрос № 106
Каким параметром характеризуется процесс генерации носителей заряда? Ответы:
1) концентрацией электронов в зоне проводимости или дырок в валентной зоне, возникающих в единице объема;
2) скоростью создания (g) носителей или электронно - дырочных пар в единице объема в единицу времени;
3) скоростью изменения количества носителей в единицу времени [c-1];
4) энергией уровня, который поставляет свободные носители заряда с размерностью (эВ).

Задача 3.9.
Определите дрейфовые скорости электронов в образцах кремния (Si), германия (Ge), арсенида галлия (GaAs), арсенида индия (InAs) и антимонида индия (InSb) n-типа проводимости при Т=300 К в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если подвижности основных носителей заряда в них равны, соответственно, 0,15, 0,39, 0,85, 2,7 и 7,7 м2/В.с.

ТУСУР
5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Контрольная работа №2  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br />Вариант 16

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

1. Определить характеристики транзистора по справочной литературе.
2. Нарисовать схему в соответствии с типом транзистора.
3. Представить справочные данные транзистора в табличной форме.
4. Рассчитать номиналы резисторов и входное напряжение (Uвх), которое нужно подать на схему, чтобы обеспечить заданное напряжение на выходе (для вариантов «а»,«в»–Uвых а, в, для вариантов «б»,«г»–Uвых б, г).
5. Сделать выводы.
Вариант 5а ( МП10А )

ЗАДАЧА № 1.
Расчет параметров полупроводниковых диодов
Вариант 4

Задача 1. Определить статическое сопротивление полупроводникового диода Д210 при включении его в прямом и обратном направлениях, если к диоду приложено прямое напряжение Uпр = 0,8 В и обратное Uобр = 500 В. Вольт-амперная характеристика диода приведена на рис. 1
Необходимо определить h-параметры транзистора на основе входных и выходных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общей базой, известно, что рабочая точка транзистора соответствует на входных характеристиках точке А при Iэ = (40·N) мА и Uк = (40+5) В.
При расчете необходимо привести эквивалентную схему замещения транзистора, систему уравнений на основе h-параметров, формулы для определения каждого из h-параметра с их наименованиями, на характеристиках следует отметить используемые в расчетах интервалы.
N=5

В каком режиме работает транзистор? Указать тип транзистора и схему включения.
Uвх = -7 В
Uвых = -12 В.

Задача 13. Биполярный транзистор с β = 100 имеет 1Б = 10 мкА. Определить 1к и 1э , если тепловым током можно пренебречь. Сравнить токи 1к и 1э.
Вариант №36
На выводах биполярного транзистора pnp-типа действуют следующие потенциалы:
ϕб = 7 В, ϕэ = 0 В, ϕк = 4 В.
Определить режим работы транзистора, пояснить выбор.
Построить, с комментариями, передаточную характеристику и сфазированные диаграммы напряжений u1(t) и u2(t), если u1(t) = Um•sin(ωt), причем Um = 6В, R1=R2. Определить среднее значение выходного напряжения
Кремниевый p-n-p транзистор с толщиной базы W = 25 мкм содержит N = 5•1015 см-3 доноров в базе. Определить коэффициент передачи тока базы, если известно, что время жизни носителей τn = τp = 6,0 мкс, а удельное сопротивление эмиттерной области ρp = 0,01 Ом•см. Определить коэффициент обратной связи по напряжению для Uк = 6 В.Расчетное задание № 2 «Транзисторные усилители»
N=3; M=11

Задание № 1. Построить зависимость uвых(t) усилительного каскада с общим эмиттером и определить коэффициент усиления по напряжению.
Значение входного напряжения: uвх (t)=0,3∙sin⁡(ω∙t),B.
Параметры усилителя: Rк=0,07 кОм; Eк=17,5 B.
Вид характеристики – № III.
Положение рабочей точки: I_б0=0 мкА.
Номера вопросов – 11,42.