Артикул: 1085415

Раздел:Технические дисциплины (59989 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1372 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (338 шт.)

Название или условие:
Контрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.

Вопрос № 13
Сколько электронных состояний содержат зоны разрешенных энергий в кристалле, состоящем из N атомов? Ответы:
1) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит N состояний;
2) энергетические зоны в кристалле, образованные из невырожденных s- уровней в изолированных атомах, содержат по 2N состояний;
3) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит 2N(2l+1) состояний. Здесь l- орбитальное квантовое число;
4) число состояний в зонах равно общему количеству электронов в кристалле.

Вопрос № 33
Какой физический смысл имеет эффективная масса электрона, перемещающегося в кристалле под действием силы электрического поля? Ответы:
1) эффективная масса электрона, движущегося в кристалле, не является мерой инерции и представляет собой лишь коэффициент пропорциональности между силой, действующей на носитель заряда со стороны электрического поля, и его ускорением;
2) эффективная масса-это масса покоящегося в атоме электрона;
3) это масса электрона, который находится в валентной зоне;

Вопрос № 41

Какой полупроводник называется дырочным? Ответы:
1) это акцепторный полупроводник;
2) это полупроводник p-типа;
3) полупроводник 4 группы с примесными атомами 3 группы, например, Ge с элементами B, In, Ga;
4) полупроводник, у которого в нижней половине запрещенной зоны находится акцепторный уровень.

Вопрос № 60

Есть ли в электронном полупроводнике дырки, а в дырочном - электроны? Ответы:
1) в электронном и дырочном полупроводниках всегда есть неосновные носители заряда - дырки и электроны, соответственно;
2) в электронном полупроводнике р << n;
3) в полупроводнике n и p-типов всегда n = р :
4)в дырочном полупроводнике n << р.

Задача 2.10.
Найдите ширину запрещенной зоны ( в электронвольтах) арсенида галлия при температуре Т=300 К, если известно, что собственная концентрация носителей заряда в нем
ni=1,1·1013 м-3, эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно, Nc=4,7·1023 м-3 и Nv=7·1024 м-3.

ТУСУР

5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Контрольная работа №1  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br /> Вариант 16

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Дана схема на фото. Даны два диода, структура одинаковая, геометрия одинаковая, температура одинаковая (стандартная, 300 Кельвинов). Но один диод из германия, а второй на основе кремния. Общий ток 100 мА. Нужно узнать соотношение токов I1/I2.
Задачу можно решить любым способом, простым или с помощью сложных математических вычислений.

На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 1.4 мА. Определите коэффициент усиления тока базы транзистора VT, если Rб = 300 кОм, Rк = 5,6 кОм, а напряжение питания Е = 12 В. Напряжением эмиттерного перехода транзистора пренебречь.
На затворе полевого МОП-транзистора с индуцируемым каналом n-типа относительно истока установлено напряжение Uзи = 3 В, при этом напряжение между стоком и истоком равно Uси = 5 В. Пороговое напряжение транзистора Uпор = 2 В. В каком режиме находится транзистор?
• Транзистор заперт
• Транзистор находится в режиме насыщения
• Транзистор работает в режиме управляемого сопротивления
• Этот режим недопустим для транзистора.

Лабораторная работа 23 (Lr23)
Биполярные и полевые транзисторы.
Цель работы:
Снятие и анализ входных и выходных характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и определение по ним его h-параметров; исследование выходных характеристик полевого транзистора в схеме с общим истоком и построение его стоко-затворной характеристики.
Вариант 13 (Полевой транзистор 2N5115, Биполярный транзистор 2N2907)

Какому классу усиления соответствует режим работы усилителя, при котором усиливаются обе полуволны входного напряжения, а рабочая точка выбирается в середине линейного участка входной характеристики транзистора?
• Классу А
• Классу В
• Классу С
• Классу АВ
В усилительном (активном) режиме биполярного транзистора
• Эмиттерный переход открыт, коллекторный закрыт
• Эмиттерный переход закрыт, коллекторный открыт
• Оба p-n-перехода открыты
• Оба p-n-перехода закрыты
Какая схема включения биполярного транзистора имеет усиление по напряжению, но не имеет усиления по току?
• Схема с общей базой
• Схема с общим эмиттером
• Схема с общим коллектором
• Любая схема имеет усиление по току
Ток эмиттера биполярного транзистора Iэ = 3,0 мА, коэффициент усиления тока база 39. Чему равен ток базы?
В ответе запишите результат вычислений в миллиамперах с округлением до тысячных долей.
Для построения логических элементов на полевых транзисторах используются
• МОП-транзисторы с индуцируемым каналом
• МОП-транзисторы с встроенным каналом
• МОП-транзисторы любого типа
• Любые полевые транзисторы, включая унитроны
МОП-транзистор с индуцируемым каналом может работать
• Только в режиме обогащения канала
• Только в режиме обеднения канала
• Как в режиме обеднения, так и в режиме обогащения канала