Артикул: 1085415

Раздел:Технические дисциплины (59989 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1372 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (338 шт.)

Название:Контрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.

Вопрос № 13
Сколько электронных состояний содержат зоны разрешенных энергий в кристалле, состоящем из N атомов? Ответы:
1) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит N состояний;
2) энергетические зоны в кристалле, образованные из невырожденных s- уровней в изолированных атомах, содержат по 2N состояний;
3) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит 2N(2l+1) состояний. Здесь l- орбитальное квантовое число;
4) число состояний в зонах равно общему количеству электронов в кристалле.

Вопрос № 33
Какой физический смысл имеет эффективная масса электрона, перемещающегося в кристалле под действием силы электрического поля? Ответы:
1) эффективная масса электрона, движущегося в кристалле, не является мерой инерции и представляет собой лишь коэффициент пропорциональности между силой, действующей на носитель заряда со стороны электрического поля, и его ускорением;
2) эффективная масса-это масса покоящегося в атоме электрона;
3) это масса электрона, который находится в валентной зоне;

Вопрос № 41

Какой полупроводник называется дырочным? Ответы:
1) это акцепторный полупроводник;
2) это полупроводник p-типа;
3) полупроводник 4 группы с примесными атомами 3 группы, например, Ge с элементами B, In, Ga;
4) полупроводник, у которого в нижней половине запрещенной зоны находится акцепторный уровень.

Вопрос № 60

Есть ли в электронном полупроводнике дырки, а в дырочном - электроны? Ответы:
1) в электронном и дырочном полупроводниках всегда есть неосновные носители заряда - дырки и электроны, соответственно;
2) в электронном полупроводнике р << n;
3) в полупроводнике n и p-типов всегда n = р :
4)в дырочном полупроводнике n << р.

Задача 2.10.
Найдите ширину запрещенной зоны ( в электронвольтах) арсенида галлия при температуре Т=300 К, если известно, что собственная концентрация носителей заряда в нем
ni=1,1·10¹³ м^-3, эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно, Nc=4,7·10²³ м^-3 и Nv=7·10²⁴ м^-3.

ТУСУР

5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

Барьерная емкость диода равна 200 пФ при обратном напряжении 2 В. Какое требуется обратное напряжение, чтобы уменьшить емкость до 50 пФ, если контактная разность потенциалов φk = 0,82 В.	Дан p – n-переход с постоянными концентрациями примеси Na в области p-типа и примеси Nd в области n-типа. Рассчитать долю Кn (в процентах) полного обратного напряжения, приходящегося на область n-типа при условии, что Na = 1017 см-3 и Nd = 0,1 Na; Nd = 0,001 Na.
К образцу кремния n-типа сделан золотой контакт, образующий барьер Шоттки. Падение напряжения на контакте металл − полупроводник φk = 0,5 В. Работа выхода электронов из металла qφМ равна 4,75 эВ. Чему равна концентрация легирующей примеси в кремнии. Рассчитать величину максимального значения напряженности электрического поля в области пространственного заряда в кремнии.	Образец кремния n-типа имеет размеры: длина 10 мм, ширина 2 мм и толщина 1 мм. Подвижности электронов и дырок равны соответственно 0,12 и 0,05 м2/(В⋅с), концентрация собственных носителей заряда ni = 1,5⋅1016 м-3. Определить: а) концентрацию донорной примеси в образце, если сопротивление образца R = 150 Ом; б) отношение дырочной составляющей проводимости образца к электронной.
В кремниевом кристалле при Т = 300 К электрическое поле в плоскости x1 (расположенной перпендикулярно оси x) не равно нулю. При x = x1 концентрация электронов равна 6·106 см-3. В направлении, перпендикулярном этой плоскости, распределение концентрации неравномерно (рис.4.1). При этом электрический ток через плоскость x1 равен нулю. Объясните: а) почему не течет ток; б) если Е = − 10-3 В/см ( 10-3 В/см в отрицательном направлении относительно оси x), то чему равен градиент концентрации электронов в направлении, перпендикулярном плоскости x1?	Туннельный эффект, туннельный диод. (курсовая работа)
Образец германия имеет концентрацию доноров Nd = 2⋅1020 м-3. Эффективная масса электрона равна 1,57mn, а донор можно считать рассеивающим центром с r = 5⋅10-2 мкм. Чему равны средняя длина свободного пробега и среднее время между столкновениями при 300 К? Определить подвижность электронов.	Германиевый полупроводниковый диод, имеющий обратный ток насыщения I0 = 25 мкА, работает при прямом напряжении, равном 0,1 В, и T = 300 К. Определить: а) сопротивление диода постоянному току R0; б) дифференциальное сопротивление r.
Зная плотность Na, найти постоянную его кристаллической решетки. У Na объемно-центрированная кубическая решетка.	В германиевом р − n-переходе удельная проводимость р-области σр = 104 См/м и удельная проводимость n-области σn = 102 См/м. Подвижности электронов μn и дырок μp в германии соответственно равны 0,39 и 0,19 м2/(В⋅с). Концентрация собственных носителей в германии при Т = 300 К составляет ni = 2,5⋅1019 м-3. Вычислить контактную разность потенциалов (высоту потенциального барьера) при Т = 300 К.