Артикул: 1085415

Раздел:Технические дисциплины (59989 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1372 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (338 шт.)

Название:Контрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.

Вопрос № 13
Сколько электронных состояний содержат зоны разрешенных энергий в кристалле, состоящем из N атомов? Ответы:
1) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит N состояний;
2) энергетические зоны в кристалле, образованные из невырожденных s- уровней в изолированных атомах, содержат по 2N состояний;
3) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит 2N(2l+1) состояний. Здесь l- орбитальное квантовое число;
4) число состояний в зонах равно общему количеству электронов в кристалле.

Вопрос № 33
Какой физический смысл имеет эффективная масса электрона, перемещающегося в кристалле под действием силы электрического поля? Ответы:
1) эффективная масса электрона, движущегося в кристалле, не является мерой инерции и представляет собой лишь коэффициент пропорциональности между силой, действующей на носитель заряда со стороны электрического поля, и его ускорением;
2) эффективная масса-это масса покоящегося в атоме электрона;
3) это масса электрона, который находится в валентной зоне;

Вопрос № 41

Какой полупроводник называется дырочным? Ответы:
1) это акцепторный полупроводник;
2) это полупроводник p-типа;
3) полупроводник 4 группы с примесными атомами 3 группы, например, Ge с элементами B, In, Ga;
4) полупроводник, у которого в нижней половине запрещенной зоны находится акцепторный уровень.

Вопрос № 60

Есть ли в электронном полупроводнике дырки, а в дырочном - электроны? Ответы:
1) в электронном и дырочном полупроводниках всегда есть неосновные носители заряда - дырки и электроны, соответственно;
2) в электронном полупроводнике р << n;
3) в полупроводнике n и p-типов всегда n = р :
4)в дырочном полупроводнике n << р.

Задача 2.10.
Найдите ширину запрещенной зоны ( в электронвольтах) арсенида галлия при температуре Т=300 К, если известно, что собственная концентрация носителей заряда в нем
ni=1,1·1013 м-3, эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно, Nc=4,7·1023 м-3 и Nv=7·1024 м-3.

ТУСУР

5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Контрольная работа №1  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br /> Вариант 16

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

Особенности квантово-размерных структур. Квантовые переходы (ответ на экзаменационный вопрос - 6 страниц WORD)Задание №3
1. Провести расчет основных параметров транзистора: αN, αI, Iэ0, Iк0. 2. Рассчитать входную ВАХ при обратном смещении на коллекторном переходе и выходные ВАХ при Iэ = 0; 2 мА; 10 мА.

Задание №4
Пользуясь параметрами транзистора, рассчитанными в задании №3 рассчитать входную ВАХ транзистора с ОЭ при обратном смещении на коллекторном перехода и выходные ВАХ при Iб = 0; 10 мкА; 50 мкА;
Вариант 36
Контакты межу полупроводниками одного типа проводимости. Омические контакты. Контакт между полупроводниками одного типа электропроводности (ответ на экзаменационный вопрос - 3 страницы WORD)1. Рассчитать и построить температурные зависимости концентрации и подвижности свободных носителей заряда.
2. Рассчитать и построить температурную зависимость электропроводности полупроводникового образца в диапазоне температур от 50 до 700 К.
Данные к расчету:
Материал – кремний (Nж = 10)
Концентрация примеси Nd = 10 * 1015 см-3 = 1016
Глубина залегания примесного уровня Ec-Ed = 0,1 эВ
Геометрические размеры L:h:d = 1 см :1 см :0,1 см.
Анализ электронно-дырочного перехода в неравновесном состоянии (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)Электрический разряд в газе. Упругие и не упругие взаимодействия, эффективное сечение. Несамостоятельный и самостоятельный газовый разряд. Стационарный газовый разряд: тихий тлеющий, дуговой. Нестационарные газовые разряды.(ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)
Математическая модель идеализированного p-n перехода (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)1. Рассчитать все h-параметры
2. Построить переходную характеристику и режим работы
Вариант 9
Дано:
Транзистор: К-331 А
Eп = 9 В;
Rк = 900 Ом;
ΔIб = 0,2 мА;
Режим работы «В»

Уравнение непрерывности потока носителей заряда, частные случаи его решения (ответ на экзаменационный вопрос - 3 страницы WORD)ВАХ реального электронно-дырочного перехода (ответ на экзаменационный вопрос - 2 страницы WORD)