Артикул: 1085415

Раздел:Технические дисциплины (59989 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1372 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (338 шт.)

Название:Контрольная работа №1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»
Вариант 16

Описание:
Вопрос № 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.

Вопрос № 13
Сколько электронных состояний содержат зоны разрешенных энергий в кристалле, состоящем из N атомов? Ответы:
1) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит N состояний;
2) энергетические зоны в кристалле, образованные из невырожденных s- уровней в изолированных атомах, содержат по 2N состояний;
3) любая энергетическая зона для электронов в кристалле содержит 2N(2l+1) состояний. Здесь l- орбитальное квантовое число;
4) число состояний в зонах равно общему количеству электронов в кристалле.

Вопрос № 33
Какой физический смысл имеет эффективная масса электрона, перемещающегося в кристалле под действием силы электрического поля? Ответы:
1) эффективная масса электрона, движущегося в кристалле, не является мерой инерции и представляет собой лишь коэффициент пропорциональности между силой, действующей на носитель заряда со стороны электрического поля, и его ускорением;
2) эффективная масса-это масса покоящегося в атоме электрона;
3) это масса электрона, который находится в валентной зоне;

Вопрос № 41

Какой полупроводник называется дырочным? Ответы:
1) это акцепторный полупроводник;
2) это полупроводник p-типа;
3) полупроводник 4 группы с примесными атомами 3 группы, например, Ge с элементами B, In, Ga;
4) полупроводник, у которого в нижней половине запрещенной зоны находится акцепторный уровень.

Вопрос № 60

Есть ли в электронном полупроводнике дырки, а в дырочном - электроны? Ответы:
1) в электронном и дырочном полупроводниках всегда есть неосновные носители заряда - дырки и электроны, соответственно;
2) в электронном полупроводнике р << n;
3) в полупроводнике n и p-типов всегда n = р :
4)в дырочном полупроводнике n << р.

Задача 2.10.
Найдите ширину запрещенной зоны ( в электронвольтах) арсенида галлия при температуре Т=300 К, если известно, что собственная концентрация носителей заряда в нем
ni=1,1·1013 м-3, эффективные плотности состояний в зоне проводимости и в валентной зоне, соответственно, Nc=4,7·1023 м-3 и Nv=7·1024 м-3.

ТУСУР

5 страниц в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Контрольная работа №1  по дисциплине «Физические основы микроэлектроники»<br /> Вариант 16

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

Рассчитать требуемое время жизни неосновных носителей τ0 в кремниевой подложке p-типа с удельным сопротивлением 12 Ом⋅см, в приповерхностной области которой сформирован прибор с зарядовой связью (ПЗС), выполняющий функцию формирователя изображений, исходя из условия, что на долю тепловой генерации приходится не более 5% детектируемого порогового заряда. В качестве элементов в ПЗС используется МДП-структура с квадратными затворами размером 5×5 мкм. Пороговое значение детектируемого заряда составляет 2500 электронов на элемент изображения, а заряд каждого элемента считывается и обнуляется каждые 10 мс. При тепловом равновесии поверхностная плотность зарядов в инверсном слое МДП-структуры должна составлять 1013 электрон/см2.
Принять, что тепловая генерация электронов описывается экспоненциальной функцией времени
Идеальный МДП-конденсатор сформирован на основе кремниевой подложки р-типа с концентрацией Na=1015 см-3. Диэлектрический слой имеет толщину 100 нм. Разность работ выхода электрона из металла и полупроводника составляет φМП = − 0,9 эВ. Плотность заряда на границе раздела Qss = 8⋅10-8 Кл/см-2. Вычислите максимальную толщину обедненной области Wmax , емкость диэлектрического слоя, заряд в обедненной области (Qs=QB), пороговое напряжение и минимальную емкость МДП-конденсатора, а также его пороговое напряжение с учетом влияния напряжения плоских зон.
Удельное сопротивление образца германия n-типа проводимости длиной 1 см и площадью поперечного сечения 1 мм2 равно 0,2 Ом⋅м, время жизни неосновных носителей заряда τ = 100 мкс. На образец падает монохроматический свет с длиной волны λ = 0,546 мкм. На этой длине волны световой поток в 1 лм эквивалентен 0,0016 Вт. Считая, что весь падающий на образец свет полностью расходуется на генерацию электронно-дырочных пар, определить, какой световой поток должен падать на поверхность образца, чтобы уменьшить его сопротивление вдвое. Квантовый выход принять равным единице.1. Определить параметры модели: Sn, rβ, Cдиф, CКА, CКП, rб; малосигнальный параметры транзистора S
2. Рассчитать усредненные параметры транзистора Rвх, Xвх, SI, φS, Rвых на частоте f/fт = 0,3 и частоту fs, с использованием соотношений, приведенных в подразд. 1.4.
Вариант 6
Дано:
Транзистор: КТ920
Ток покоя IК0/IКдоп = 0,5
Угол отс. Θ, град: 90
Какова толщина слоя окисла кремния в идеальной МДП-структуре, зонная диаграмма которой изображена на рис. 7.2
Электронно-дырочный переход
(вариант 4, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)
Полевые транзисторы
(Ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)
Интегральные схемы. (контрольная работа)
Биполярные транзисторы
(вариант 10, ответ на теоретический вопрос - 4 страницы Pdf)
Тиристоры
(вариант 19, ответ на теоретический вопрос – 3 страницы Pdf)