1063232 Для полупроводника из Si проводимости в n- и p- областях σn = 8 [1/(Ом·см)] и σp = 2,4 [1/(Ом·см)]; μn = 500(см2/В·с); μр = 300(см2/В·с). Собственная концентрация примесей в Si: ni =1,45·1010(1/см3); εo = 8,85·10–14(Ф/см); εSi = 12(безр). Определить: 1) контактную разность потенциалов (φК); 2) ширину p-n-перехода со стороны n- и p- областей dn и dp, а также полную ширину перехода d = (dn+dp). 3) напряженность контактного поля ЕМ при T = 300 К.

Артикул: 1063232

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.) >
Физические основы электроники (ФОЭ) (328 шт.)

Название или условие:
Для полупроводника из Si проводимости в n- и p- областях σ_n = 8 [1/(Ом·см)] и σ_p = 2,4 [1/(Ом·см)]; μ_n = 500(см²/В·с); μ_р = 300(см²/В·с). Собственная концентрация примесей в Si: n_i =1,45·10¹⁰(1/см³); ε_o = 8,85·10^–14(Ф/см); ε_Si = 12(безр).
Определить: 1) контактную разность потенциалов (φ_К); 2) ширину p-n-перехода со стороны n- и p- областей d_n и d_p, а также полную ширину перехода d = (d_n+d_p). 3) напряженность контактного поля Е_М при T = 300 К.

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в мА/В.	Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 1 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 3 В.	Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=3 мА, ΔI2 =40 мА, ΔU1 = 0,36 В, ΔU2 = 6 В.	Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=1 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,8 В, ΔU2 = 5 В.	Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =24 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 6 В. Ответ в кОм.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.	Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.