Артикул: 1026283

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (328 шт.)

Название или условие:
Для создания диода Шоттки на пластину n-кремния толщиной 150 мкм наносился слой золота (барьер Шоттки φб = 0,5 эВ). Концентрация электронов в полупроводнике n0 = 2·1015 см-3. Площадь контакта S = 5·10-5 см2. Температура 300 К. На диод подано отрицательное смещение U = -10 В.
1. Определить ток при U = -10 В.
2. Определить сопротивление контакта RШ.
3. Рассчитать сопротивление базы диода.
4. Определить частотный диапазон Δf = fmax – fmin.
5. В чем принципиальное отличие работы диодов Шоттки от работы p-n перехода?

Описание:
1 КРАТКАЯ ТЕОРИЯ 3
2 РЕШЕНИЕ 4
2.1 Определение тока. 5
2.2 Сопротивление контакта 6
2.3 Сопротивление базы диода 6
2.4 Частотный диапазон 7
2.5 Принципиальное отличие. 8
3 ЗАКЛЮЧЕНИЕ 10
4 СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ 11

Подробное решение в WORD

Поисковые тэги: Диод Шоттки

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 1 мкА. Ответ в мА/В.
Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,1 В, ΔU2 = 6 В. Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=4 мА, ΔUзи =2 В, ΔUси = 1,6 В, ΔIз = 0,5 мкА. Ответ в мА/В.
Определить по характеристике Rдиф при 1 = 25; 2 = 20; 3 = 0,4; 4 = 0,6. Ответ в Ом.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 1 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.
Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В. Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в мА/В.