Артикул: 1144860

Раздел:Технические дисциплины (90938 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (315 шт.)

Название или условие:
Используя график модуляционной характеристики, оцените наибольшее значение коэффициента модуляции Mmax, при котором еще обеспечивается приближенно линейность закона модуляции.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

12.5(Р). Проходная характеристика полевого транзистора, т.е. зависимость стока ic(мА) от управляющего напряжение затвор – исток uзи при uзи ≥ -2 В, аппроксимирована квадратичной параболой iс(uзи) = 7,5(uзи + 2)2. Ко входу транзистора приложено напряжение гетеродина uг(t) = Umгcosωгt. Найдите закон изменения во времени дифференциальной крутизны Sдиф(t) характеристики ic = f(uзи).	12.9(УО). Схема преобразователя частоты на полевом транзисторе изображена на рис. I.12.1. Колебательный контур настроен на промежуточную частоту ωпр = Iωс - ωгI. Резонансное сопротивление контура Rрез = 18 кОм. Ко входу преобразователя приложена сумма напряжение полезного сигнала uс(t) = 50cosωct мкВ и напряжение гетеродина uг(t) = 0,8cosωгt В. Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Um пр выходного сигнала на промежуточной частоте.
11.21(О). Применительно к данным задачи 11.19 определите мощность P0, потребляемую усилителем от источника питания, полезную мощность P1вых, выделяемую током первой гармоники в колебательном контуре, мощность Рпот, рассеиваемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также КПД усилителя.	Входное сопротивление диодного детектора определяют как отношение амплитуды входного гармонического напряжения Umвx к амплитуде первой гармоники тока Im1 через диод Rвх = Umвx/ Im1. Докажите, что если SRн ≫ 1, то Rвх ≈ Rн/2.
12.6(УО). Применительно к условиям задачи 12,5 выберите амплитуду напряжения гетеродина Uг таким образом, чтобы обеспечить крутизну преобразования Sпр = 6 мА/B. Решение	Задание 2 Определить максимально возможное ослабление корректора Ак max Качественно построить график ослабления искажающей цепи. Рассчитать значения R2, C2, L2, если R= 200+ N×10 Ом, где N –номер варианта. Вариант N = 01
Металлопластинчатая линзовая антенна (Курсовая работа по дисциплине: Антенны и устройства СВЧ)	Практическое задание по теме 2.4 "Устройства телевизионной и видеотехники" Напряжение на эмиттере транзистора ПП9 (рис. 1) ровно 9 В. Укажите возможную причину повышенного напряжения.
11.22(O). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура Rрез = 8,6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжение Umвых на коллекторе транзистора.	Задание 13 1 В схеме однотактного амплитудного детектора с диодом и RCфильтром (Рис.1) получить диаграмму Рис.2 2 Изменить амплитуду и частоту сигналов несущей и модуляции. Подобрать новые параметры фильтра. 3 Сделать выводы