Артикул: 1162513

Раздел:Технические дисциплины (106038 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (3880 шт.)

Название или условие:
Начертить зависимость выходного напряжения Vout от входного Vin, если входной сигнал треугольной формы амплитуды +10В и -10В (рисунок 2

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 1. Расчет схемы управления тиристорным ключом В задаче требуется: 1. Рассчитать полупроводниковую схему управления тиристорным силовым однофазным ключом регулятора мощности. 2. Выполнить схему регулятора мощности и описать его работу. 3. Построить временные диаграммы работы регулятора мощности для заданного режима. Задано. Тиристор типа ТБ153-630. Схема силового однофазного ключа: Тиристор–диодный мост. Угол управления α, эл. град. – 30°. Напряжение питания схемы управления – 5 В.	Задача 1.3 Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи. Вариант 2 Дано R1=10 кОм; R2=15 кОм; V1=-20 В; V2=+10 В;
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)	Реферат на тему «Биполярный транзистор (БТ). Основные характеристики. Эквивалентные модели транзистора (Т – модель, π – модель и другие модели)»
2) Определить длительность положительного и отрицательного напряжений на выходе компаратора, составленного на ОУ. Uвх1=10•sin(ωt), f=50 Гц, tп=10мс, Uвх2мах=5 В.	Задача 3.2. Определить точку покоя резисторного усилителя (рис. 2.3) на транзисторе 2Т860 А, если: Uп = 16 В, Rк = 9,0 Ом, Rэ= 1 Ом, Rб1 = 650 Ом, Rб2= 100 Ом, h21э = 140. Характеристики транзистора приведены в приложении на рис. П.1. Определить дифференциальный параметр h11э в точке покоя. Вариант 2
Задача 18 Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.	Самостоятельная работа по теме «Электронные генераторы» № 5.4 По данным элементам на рис. 34 составьте функциональную схему автогенератора гармонических колебаний. № 5.5 Самовозбуждение генератора происходит при условии: № 5.6 Назовите основные причины нестабильности частоты автогенератора. Каким способом можно значительно увеличить стабильность частоты автогенераторов?
Задача 2. Расчет допустимой перегрузки полупроводникового диода по току В задаче требуется: 1. Рассчитать рабочие перегрузки полупроводникового прибора с охладителем при заданной температуре охлаждающей среды, скорости охлаждающего воздуха, предназначенного для работы в схеме силового однофазного ключа регулятора мощности, и построить семейство перегрузочных характеристик для предварительной нагрузки, равной значениям 0; 0,2; 0,4; 0,6;0,8 максимально допустимого среднего тока полупроводникового прибора и длительности перегрузки, равной значениям 0,1; 1,0; 10; 100; 1000 с. 2. Результаты расчёта представить в виде таблиц и графиков. Задано. Тип полупроводникового прибора: Т253-1250. Температура охлаждающей среды: 0⁰ С. Скорость охлаждающего воздуха: 0 м/с.	5. В три плеча мостовой схемы на рис. 5.1 включены линейные сопротивления Z2, Z3, Z4, а в одно плечо – идеальный диод с характеристикой, изображенной на рис. 5.2. К зажимам c и d схемы присоединен источник синусоидальной ЭДС e=100∙sinωt. Построить кривую напряжения между точками a и b во времени. Определить среднее за период значение этого напряжения. Значения Z приведены в таблице Вариант 5д