Артикул: 1133368

Раздел:Технические дисциплины (81968 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1903 шт.) >
  Транзисторные каскады (266 шт.)

Название:Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером (Транзистор BDB01C)

Описание:
1. Расчет параметров транзистора.
1.1. Построение семейства статических входных и выходных характеристик транзистора BDB01C выполним в программе Multisim
1.2. Определение h – параметров транзистора произведем графическим путем с помощью полученных вольтамперных характеристик:
1.2.1. Определение параметра h11 по входным характеристикам
1.2.2. Определение параметра h12 по входным характеристикам:
1.2.3. Определение параметра h21 по выходным характеристикам:
1.2.4. Определение параметра h22 по выходным характеристикам:
1.3. Входное и выходное сопротивление транзистора
1.4. Коэффициент передачи по току транзистора β.

2.Расчет усилительного каскада по постоянному току графоаналитическим методом.
2.1. По исходным данным и полученным семействам входных и выходных характеристик транзистора построим линию нагрузки по постоянному току, используя уравнение, характеризующее баланс напряжений выходной цепи каскада
2.2. На переходной характеристике транзистора (с учетом входной характеристики) выберем линейный участок «а – b», в диапазоне которого усилитель усиливает без искажения. На середине участка «а – b» наносим рабочую точку «А», соответствующую режиму работы транзистора по постоянному току
2.3. По координатам рабочей точки «А» определим токи и напряжения транзистора в режиме покоя (по постоянному току)

3. Расчет параметров элементов усилительного каскада.
3.1. Расчет элементов цепи термостабилизации Rэ и Сэ .
3.2. Расчёт элементов делителя напряжения R1, R2.

4. Отладка схемы.

5. Определение параметров усилительного каскада.

Вывод

Всего 15 страниц


Изображение предварительного просмотра:

Расчет усилительного каскада на биполярном транзисторе, выполненного по схеме с общим эмиттером (Транзистор BDB01C)

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.

Похожие задания:

Задача №4 Вариант 43
Нарисовать схему одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией и выполнить расчет элементов схемы, задающих рабочую точку. Исходные данные:
тип транзистора – КТ312А;
IК0=20 мА; UК0=9 B.
Выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада в режиме класса «А». При расчетах использовать выходные статические характеристики транзистора.
Построить характеристику транзистора Uвых = f(Uвх), если сопротивление нагрузки Rн=5∙RК. Сопротивление резистора в цепи базы принять равным входному сопротивлению БТ Rвх = h11э, рассчитанному для рабочей точки.
По справочнику установите максимально допустимые параметры БТ:
– постоянный ток коллектора IКmax;
– напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax ;
– мощность рассеиваемую коллектором транзистора PКmax.
На семействе выходных характеристик нанесите границы области допустимых режимов работы. Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитайте для нее значения h-параметров БТ. На основании полученных числовых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.
1. Рассчитать величину нагрузочного коллекторного сопротивления RК и коэффициента усиления К0 каскада со следующими исходными данными: EK = 9 В – напряжение питания; fВ =10 МГц; транзистор КТ316Г СВЧ диапазона, с проводимостью типа n-p-n.
2. Вычертить принципиальную электрическую схему усилителя в соответствии с ЕСКД и описать назначение элементов.
3. Изобразить статические характеристики транзистора, выбрать рабочую точку и обосновать выбор
Схемотехника аналоговых устройств на полупроводниковых элементах
Рассчитать:
1. Параметры остальных элементов схемы;
2. Напряжение на этих элементах м протекающие через них токи;
3. Коэффициент усиления по напряжению в области средних частот;
4. Нарисовать схему усилительного каскада и объяснить ее работу. На схеме должны быть представлены все элементы, рассчитанные в семестровой работе, токи и напряжения на всех элементах схемы.
5. Моделирование и анализ по постоянному и переменному току электронной схемы в Electronics Workbench или Micro-Cap
Вариант 9 (транзистор МП39Б)

Задача №4 Вариант 19
Нарисовать схему одиночного усилительного каскада на БТ с ОЭ и эмиттерной стабилизацией и выполнить расчет элементов схемы, задающих рабочую точку. Исходные данные:
тип транзистора – КТ616А;
IК0=20 мА; UК0=6 B.
Выполнить графоаналитический расчет усилительного каскада в режиме класса «А». При расчетах использовать выходные статические характеристики транзистора.
Построить характеристику транзистора Uвых = f(Uвх), если сопротивление нагрузки Rн=5∙RК. Сопротивление резистора в цепи базы принять равным входному сопротивлению БТ Rвх = h11э, рассчитанному для рабочей точки.
По справочнику установите максимально допустимые параметры БТ:
– постоянный ток коллектора IКmax;
– напряжение коллектор-эмиттер UКЭmax ;
– мощность рассеиваемую коллектором транзистора PКmax.
На семействе выходных характеристик нанесите границы области допустимых режимов работы. Задайтесь положением рабочей точки и, пользуясь характеристиками, рассчитайте для нее значения h-параметров БТ. На основании полученных числовых значений параметров рассчитайте параметры Т-образной эквивалентной схемы транзистора и изобразите ее.
Расчёт ключа на биполярном транзисторе
Цель работы: определить значения элементов схемы транзисторного ключа
Исходные данные:
˗ напряжение питания Εк=10 В;
˗ амплитуда входного сигнала Uвх=3,5 В;
˗ амплитуда выходного сигнала Uвых ≥ 7,6 В;
˗ сопротивление нагрузки Rн=2,7 кОм;
˗ степень насыщения транзистора S = 3;
˗ температура окружающей среды t0=20÷60 °С;
˗ обратный ток (при t0=20 °С) Iкбо= 10 мкА;
˗ коэффициент передачи тока базы в схеме ОЭ βmin=35;
˗ напряжение Uбэ=0,6 В.
Определить значения резисторов R1, R2, Rк.

Изобразите принципиальную схему усилительного каскада на биполярном транзисторе по схеме с ОЭ и стабилизацией рабочей точки ООС по току. Рассчитайте сопротивления входного делителя R1 и R2, если сопротивление в эмиттерной цепи Rэ=100 Ом.
Произвести расчет транзисторного каскада, работающего в ключевом режиме. Тип транзистора выбран но согласно предпоследней цифре шифра (7). Выбран транзистор КТ312ВРасчет элементов УННЧ (Режим покоя и динамический режим)
Для всех вариантов: транзистор КТ312А rб=10 Ом, ск *=20 нФ,
Вариант 4
Дано:
eвх=0,1 В;
Uвых=5 В;
Rн=220 Ом;
Rвн=75 Ом;
fнч=250 Гц;
fвч=600 кГц;

Задача 3. Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, определить по выходным характеристикам коэффициент усиления h21э, значение сопротивления нагрузки Rk и мощность на коллекторе Pk для значений тока базы Iб = 10 мА, если напряежине на коллекоре Uкэ = 20 В и напряжение источника питания Ek = 40 В
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа, Вариант 6)