Артикул: 1107821

Раздел:Технические дисциплины (69887 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1650 шт.)

Название или условие:
Покажите, что полупроводник имеет минимальную удельную проводимость при данной температуре, когда концентрация электронов n = √(μp/μn), где ni - собственная концентрация; μр и μn - соответственно подвижности дырок и электронов. Чему равна концентрация дырок р в этих условиях?
Найти собственную и минимальную удельные проводимости для германия, если ni = 2,5⋅1019 м-3 (μр = 0,19 м2/(В⋅с) и μn = 0,39 м2/(В⋅с)). При каких значениях n и р (кроме n = р = ni) этот полупроводник имеет удельную проводимость, равную собственной?

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

По заданным входным и выходным характеристикам определить h-параметры транзистора
Исходные данные: Uкэ=20 В; Iб=150 мкА
Задача 2. Расчет допустимой перегрузки полупроводникового диода по току
В задаче требуется:
1. Рассчитать рабочие перегрузки полупроводникового прибора с охладителем при заданной температуре охлаждающей среды, скорости охлаждающего воздуха, предназначенного для работы в схеме силового однофазного ключа регулятора мощности, и построить семейство перегрузочных характеристик для предварительной нагрузки, равной значениям 0; 0,2; 0,4; 0,6;0,8 максимально допустимого среднего тока полупроводникового прибора и длительности перегрузки, равной значениям 0,1; 1,0; 10; 100; 1000 с.
2. Результаты расчёта представить в виде таблиц и графиков.
Задано.
Тип полупроводникового прибора: Т253-1250.
Температура охлаждающей среды: 0⁰ С.
Скорость охлаждающего воздуха: 0 м/с.
Задача 2.3
Ek = 9.7 В
β = 50 (Si - кремний)
Определить напряжение коллектор-эмиттер Uкэ - ?
Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания:
1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор.
2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы;
3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить:
- коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером.
Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.
Задача 26. Усилитель имеет коэффициент усиления Кu = 100 и охвачен положительной обратной связью по напряжению с коэффициентом передачи β = 0,01. Определить коэффициент усиления Кос усилителя с обратной связью.Составить таблицу истинности нижеприведенного триггера:
Задача 28
Поясните назначение и принцип действия фазочувствительного усилителя. Начертите схему фазочувствительного усилителя, используемого в реле 33П-1. Поясните состав и работу усилителя.		Лабораторная работа №1
«Исследование нелинейных электрических цепей постоянного тока»
Цель работы:
1) Выполнить моделирование и анализ, указанных в лабораторной работе схем с различными случаями соединения диодов;
2) Снять ВАХ следующих приборов: диод 1N5619, диод GI814.
3) Выполнить анализ ВАХ. Нахождение для диодов: рабочих зон, напряжения открытия, пороговых значений.
4) Сравнить измеренные и расчетные значения ВАХ со справочными данными, (представленными в 1 пункте практической части).
Вариант 8 (Диоды 1N5619 и GI814)
Задача 38
Поясните назначение ограничителей. Начертите схемы параллельных ограничителей сверху и снизу на нулевом уровне. Поясните работу ограничителя, укажите необходимые условия для его работы. Начертите диаграмму синусоидального напряжения, поступающего на вход ограничителя, и временные диаграммы выходного напряжения. Для параллельного диодного ограничителя сверху определите напряжение на выходе при действии положительной и отрицательной полуволн Uвх, если амплитуда входного синусоидального напряжения Uт = 8 В, сопротивление диода в прямом направлении Rпр = 20 Ом, в обратном направлении Rобр = 400 кОм, сопротивление нагрузки Rн = 10 кОм, сопротивление ограничительного резистора Rогр = 1 кОм. Внутреннее сопротивление источника примите равным нулю.		Задача 3.2.
Определить точку покоя резисторного усилителя (рис. 2.3) на транзисторе 2Т860 А, если: Uп = 16 В, Rк = 9,0 Ом, Rэ= 1 Ом, Rб1 = 650 Ом, Rб2= 100 Ом, h21э = 140. Характеристики транзистора приведены в приложении на рис. П.1. Определить дифференциальный параметр h11э в точке покоя.
Вариант 2