Артикул: 1148016

Раздел:Технические дисциплины (93606 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2447 шт.) >
  Транзисторные каскады (376 шт.)

Название или условие:
Три задания одного варианта по физическим основам электроники
Вариант 20

Описание:
3адание №1
Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Gе или кремния Si в зависимости от номера варианта).
В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец — примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.

3адание №2
На основе указанных выше легированных полупроводников создан технологическим путем электрический p –n переход, (площадь контакта S указана в задании).
2.1. Определить высоту потенциального барьера p –n перехода ∆φ0.
2.2. Определить толщину p –n перехода (l0,ln,lp)
2.3. Построить три энергетических (потенциальных) диаграммы: для состояния равновесия U = 0, для прямого смещения U = Uпр и для обратного смещения перехода U = Uобр.

Задание №3
Образованный электрический p –n переход используется в качестве выпрямительного контакта (диода).
3.1. Определить тепловой ток (обратный ток насыщения) p –n перехода.
3.2. Построить прямую ветвь вольтамперной характеристики (ВАХ) перехода (в относительных единицах, откладывая по оси абсцисс величину U/φT , а по оси ординат величину I/I0 ).
3.3. Определить дифференциальное сопротивление и сопротивление постоянному току для рабочего режима.
3.4. Определить барьерную емкость перехода при нулевом смещении U = 0, а также построить вольт-фарадную характеристику.

Подробное решение - 14 страниц

Изображение предварительного просмотра:

Три задания одного варианта по физическим основам электроники<br /> <b>Вариант 20</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок можно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия полученного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Задача 42. Схема электронного ключа на транзисторе КТ315А приведена на рис. 1. Параметры элементов схемы: EК = 12 В, h21 = 50, RК = 2 кОм, RН = 5 кОм, R1 = 10 кОм. Определить UВХ и UН при работе транзистора в режимах отсечки и насыщения. Напряжением UБЭ и тепловым током 1К0 пренебречь. Показать форму выходного напряжения, если на вход схемы поступают прямоугольные импульсы с амплитудой Uт = 2 В, частотой f = 1 кГц и скважностью Q = 5.
Задача №3: Электронные усилители
Делитель напряжения RБ1-RБ2 вместе с резисторами Rэ и Rк обеспечивают режим и температурную стабильность усилительного каскада по постоянному току; резистор определяет величину и стабильность коэффициента усиления напряжения. Конденсаторы Свх и Свых являются разделительными, а конденсатор Сэ – блокирующим. В усилителе применены маломощный высокочастотный кремниевый транзистор типа КТ315А, резисторы типа МЛТ мощностью 0,125 Вт и электролитические конденсаторы типа К50. Внутреннее сопротивление источника входного сигнала Rв=1 кОм, а нагрузка – чисто активная с сопротивлением Rн=20 кОм.
Требуется рассчитать режим каскада по постоянному току, построить нагрузочную прямую и указать на ней рабочую точку, проверить транзистор на соответствие предельно-допустимым параметрам, определить максимальные неискаженные выходное и входное напряжения.
Вариант 16 (транзистор КТ503Д)

Вариант 20
ЕП=10 В; Rэ= 500; R1=1К2; R2=1К2; β=50.
Определить: iэ

Ек = 15 В; Uзап = 0; Uотп = 3,5 В;
Параметры VT1: β = 35; Uкэнас = 0,25 В; Uбэнас = 0,7 В; UHL1 = 1,8 В.
Рассчитать Rб и Rк, при которых обеспечивается IHL1=Iкн = 20 мА и степень насыщения S=2.

Задача 17. Для каскада на транзисторе ГТ108А, схема которого приведена на рисунке 1,а, заданы Ек= 10 В, Uэк= 5 В, Uэб= 0,15 В, Rк=900 Ом, Rэ= 100 Ом, h21=100. Рассчитать токи Iк, Iб и сопротивления резисторов R1 и R2, если I1=5∙Iб.
Схемные функции и частотные характеристики линейных электрических цепей (курсовая работа)
Вариант 35 (Шифр Сх39.П20.ОИ.М3)

Задача 23. Составить схему замещения каскада (см. рис.1) и рассчитать его динамические параметры при h21 = 50, h11 = 1 кОм, RБ = 120 кОм, RК = 5 кОм, для трех значений сопротивления нагрузки: Rн1 = 0,5 кОм, Rн2 = 5 кОм, Rн3 = 15 кОм. Как зависит режим работы каскада от сопротивления нагрузки? Параметрами h12 и h22 транзистора пренебречь.
Расчет транзисторного каскада
Вариант 17
Дано
Номер схемы: 1
Номер рисунка ВАХ: 1

Eк=10 В;
Rк=2,7 кОм;
Rн=10 кОм;
Rэ=270 Ом;
Rг=5 Ом;
Iк0=4 мкА;
Mн=Mв=3 дБ;
Cн=50 пФ;
fн=40 Гц;
fв=40 кГц;

Вариант №36
Элементы, обеспечивающие работу усилительного каскада на ОИ в режиме покоя на полевом транзисторе с управляющим p-n переходом. Дать схему каскада. Какова полярность напряжения смещения Uзо по сравнению с напряжением питания Ес.
Расчет транзисторного каскада
Вариант -