Артикул: 1149009

Раздел:Технические дисциплины (94450 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2559 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (685 шт.)

Название или условие:
РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1
ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ
1.1 Цель работы
1.1.1. Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала.
1.1.2. Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.
1.2. Содержание расчетного задания
1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1., а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора.
1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.
1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.
1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.
1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК.
1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.
Вариант 2 Транзистор КТ 3102

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

РАСЧЕТНОЕ ЗАДАНИЕ № 1 <br />ИЗУЧЕНИЕ ХАРАКТЕРИСТИК ТРАНЗИСТОРОВ И ОДИНОЧНЫХ  КАСКАДОВ УСИЛЕНИЯ  <br />1.1 Цель работы <br />1.1.1.	Изучить статические и динамические характеристики биполярных транзисторов в режиме малого сигнала. <br />1.1.2.	Изучить основные характеристики и параметры одиночных каскадов усиления.  <br />1.2. Содержание расчетного задания <br />1.2.1. В соответствии с номером варианта определите тип транзистора по табл. 1.1.,  а из справочников спишите параметры и срисуйте на кальку или распечатайте характеристики транзистора. <br />1.2.2. По заданным характеристикам транзисторов определите коэффициент передачи тока эмиттера, тока базы и h-параметры.  <br />1.2.3. Для заданного транзистора определите увеличение Iкбо при возрастании температуры от комнатной до 70 °С.  <br />1.2.4. Определите входное сопротивление усилительных каскадов по схемам с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК) без учета сопротивления делителя напряжения в цепи базы.  <br />1.2.5. Определите выходное сопротивление усилительных каскадов по схемам с ОЭ и ОК. <br />1.2.6. Определите значение коэффициентов усиления каскадов с ОЭ по напряжению, току и мощности.<br /> <b>Вариант 2 Транзистор КТ 3102</b>

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.

СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Определите показания приборов. Известно: Eк = 15 В, Rк = 500 Ом, Iб = 0,4 мА, коэффициент передачи базы тока β = 50. Обратным током коллектора Iк0 пренебречь.
Имеется полупроводник p- типа. Каким будет положение уровня Ферми относительно энергии акцепторного уровня при Т=0 и при некоторой температуре Т=Тmax? Обоснуйте свои выводы.
Имеется переход и выполняется условие p>>n
а) Докажите, что справедливо равенство
Δφ0FpFn .
б) Получите формулу для максимального значения диффузионного потенциала в переходе для невырожденного полупроводника.
в) Переход образован из полупроводников типа-n и p, причем концентрации примесей соответствуют границам вырождения. Объясните, какого типа получится переход и почему.
Задача 2
Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ, UЭ, UК относительно общей шины (φ=0)
Вариант 1
Дано
Rк=4,7 кОм;
Rэ=3,3 кОм;
V=10 В;
Uб=8 В;