Артикул: 1148654

Раздел:Технические дисциплины (94187 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2512 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (659 шт.)

Название или условие:
Разрешенная зона полупроводника – это
1) верхняя из запалённых зон полупроводника
2) энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расцепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла
3) свободная зона полупроводника, на уровнях которой могут находиться электроны проводимости
4) область значений энергии электронов в кристалле полупроводника

Описание:
Ответ на вопрос теста

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Задание 11
На схеме, представленной на рисунке, амперметр показывает значение тока 0,8 мА. Определите напряжение UкэА в рабочей точке транзистора после замыкания ключа SW, если RБ1 = 120 кОм, RБ2 = 240 кОм, RK = 3 кОм, а напряжение питания Е = 12 В.
В ответе запишите значение напряжения в вольтах.

Лавинообразный пробой на переходе П2 в тиристоре, при U (перекл.):
1. Разрушает структуру тиристора
2. Не разрушает, т.к. мощность невелика
3. Переходит в тепловой
Задача 4,4
Для транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, используя входную и выходную характеристики, определить ток коллектора Iк, коэффициент усиления h21э, величину сопротивлений нагрузки Rк и мощность на коллекторе Pк, если известно напряжение на базе Uбэ = 0,25 В, напряжение на коллекторе Uкэ = 10 В и напряжение питания Eк = 20 В.
Дано
Uбэ=0,25 В; Uкэ=10 В; Eк=20 В;

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)

Имеется полупроводник p- типа. Каким будет положение уровня Ферми относительно энергии акцепторного уровня при Т=0 и при некоторой температуре Т=Тmax? Обоснуйте свои выводы.По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

11. Сопротивление канала в полевом транзисторе с управляющим p-n-переходом изменяется при изменении (укажите правильный ответ – 2 балла):
11.1) удельного сопротивления материала канала
11.2) длины канала
11.3) напряжения сток-исток
11.4) поперечной площади канала
11.5) тока, протекающего от затвора в канал
Лабораторная работа №1
“Исследование ВАХ полупроводниковых элементов”

“Вольт-амперная характеристика диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов”
Цель работы: Построить вольт-амперные характеристики диода, стабилитрона, биполярного и полевого транзисторов.