Артикул: 1146638

Раздел:Технические дисциплины (92499 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2291 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (564 шт.)

Название или условие:
В кремниевом полевом транзисторе с управляющим p-n переходом с каналом p-типа половина ширины канала при напряжении Uзи = 0 составляет 4мкм. Удельное сопротивление канала составляет 0,2 Ом•м. Определить:
А) напряжение отсечки Uотс, полагая, что подвижность дырок μp = 0,025 м2/(В•с) и относительная диэлектрическая проницаемость кремния ε = 12;
Б) половину ширины канала, если напряжение затвора Uзи=Uотс/2 и ток стока равен нулю
Дано:
ρ=0,2 Ом•м;
a=4 мкм=4•10-6 м;
ε=12;
μp=0,025 м2/(В•с);
Найти Uотс-?

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=3 мА, ΔUзи =0,3 В, ΔUси = 1,8 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в мА/В.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,2 В, ΔUси = 1 В, ΔIз = 2 мкА. Ответ в мА/В.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 1 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,6 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=1 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,4 В, ΔU2 = 3 В. Ответ в мА/В.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,1 В, ΔU2 = 6 В.