Артикул: 1145700

Раздел:Технические дисциплины (91660 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2190 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (528 шт.)

Название или условие:
3адание №1 Имеется два образца собственного полупроводникового материала (или германия Gе или кремния Si в зависимости от номера варианта).
В первый образец вводят примесь бора (В), а во второй образец — примесь сурьмы (Sb).
Для каждого из двух образцов:
1.1. Определить положение уровня Ферми и построить энергетическую (или потенциальную) диаграмму, приняв за базовую величину ширину запрещенной зоны полупроводника.
1.2. Рассчитать коэффициенты диффузии.
1.3. Рассчитать удельное сопротивление собственных и легированных полупроводников.
Вариант 21
Дано
Материал: Ge
NA (B)=2•1022 м-3;
ND (Sb)=1•1021 м-3;
S=10-6 м2;
T=300 К;
Ln=90•10-6 м;
Lp=60•10-6 м;
Uпр=0,1 В;
Uобр=0,5 В;
ni(Ge)=2,4•1019 м-3;
ΔEзз (Ge)=0,66 эВ;
ε(Ge)=16;

Описание:
Подробное решение в WORD - без зонной диаграммы - только расчеты!

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 3 В. Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.
Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В. Ответ в мА/В.Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=3 мА, ΔUзи =0,3 В, ΔUси = 1,8 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в мА/В.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,2 В, ΔUси = 1 В, ΔIз = 2 мкА. Ответ в мА/В.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить по характеристике Rдиф при 1 = 25; 2 = 20; 3 = 0,4; 4 = 0,6. Ответ в Ом.