Артикул: 1145146

Раздел:Технические дисциплины (91191 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2122 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (513 шт.)

Название или условие:
Технологические процессы микроэлектроники

Описание:
1 ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ........................................................................................................ 3

2 РАСЧЁТ ТОПОЛОГИИ P-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ...................................... 4
2.1 Расчет затвора............................................................................................................ 4
2.2 Расчет истока (стока)................................................................................................. 7

3 РАСЧЁТ ТОПОЛОГИИ N-КАНАЛЬНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ..................................... 8
3.1 Расчет затвора............................................................................................................ 8
3.2 Расчет истока (стока)................................................................................................. 11
3.3 Расчет p-кармана...................................................................................................... 12

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ............................................................ 13

ПРИЛОЖЕНИЕ А.... 14


Изображение предварительного просмотра:

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.	Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.	Определить по характеристике Rдиф при 1 = 25; 2 = 20; 3 = 0,4; 4 = 0,6. Ответ в Ом.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,8 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.	Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.
Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=1 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,4 В, ΔU2 = 3 В. Ответ в мА/В.	Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =10 мА, ΔU1 = 0,1 В, ΔU2 = 6 В.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.	Определить по характеристике Rдиф при 1 = 28; 2 = 18; 3 = 0,6; 4 = 0,8. Ответ в Ом.