Артикул: 1144061

Раздел:Технические дисциплины (90132 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (2081 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (509 шт.)

Название или условие:
По заданному при комнатной температуре значению тока I0=0.4·10-6 А в идеальном несимметричном n+-p переходе (четная предпоследняя цифра билета), площадью S=0,1 см2. Δt=20K
Определить :


Описание:
1. Материал (Si или Ge), из которого выполнен переход.
2. Тип и концентрацию не основных носителей заряда в базе.
3. Тип и концентрацию примеси, а так же тип и концентрацию основных носителей заряда в базе.
4. Тип и концентрацию основных и не основных носителей заряда в эмиттере, а так же тип и концентрацию примеси, внесённой в область эмиттера.
5. Контактную разность потенциалов φк для двух значений температур: t1 – комнатная, t2=t1+Δt
6. L – ширину обеднённой области или p-n перехода эмиттер-база. Сделать вывод о влиянии концентрации примеси на L для симметричного и несимметричного p-n – переходов. Изобразить заданный p-n переход.
7. Записать условие электрической нейтральности для областей эмиттера и базы, а так же для всей системы в состоянии равновесия.
8. Приложить к заданному p-n – переходу сначала прямое, потом обратное напряжение и на одном графике построить вольтамперные характеристики (ВАХ) для двух значений температур t2 и t1 (см п.5). Пояснить влияние температуры на прямую и обратную ветви ВАХ
9. Начертить зонные диаграммы в равновесном состоянии, а так же при прямом и обратном напряжении.
10. Рассчитать вольт-фарадные характеристики для барьерной Сбар. и диффузной Сдиф. емкостей.
11. Рассчитать R0 сопротивление постоянному току и rдиф переменному току на прямой ветви в точке, соответствующей Iпр = 10 mA, и обратной ветви в точке, соответствующей U =- 1 В. По результатам расчета сделать вывод о самом главном свойстве p – n – перехода.
12. Начертить мало-сигнальную электрическую модель заданного p – n – перехода для двух точек.

Подробное решение. В комплекте - пояснительная записка. файл расчетов MathCad, файлы-исходники для построения графиков в Advanced Grapher

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=4 мА, ΔUзи =2 В, ΔUси = 1,6 В, ΔIз = 0,5 мкА. Ответ в мА/В.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2,5 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,75 В, ΔIз = 0,15 мкА. Ответ в кОм.
Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1,5 мА, ΔUзи =0,6 В, ΔUси = 0,95 В, ΔIз = 0,1 мкА. Ответ в кОм.Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.
Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,6 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,8 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в кОм.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,3 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=3 мА, ΔI2 =40 мА, ΔU1 = 0,36 В, ΔU2 = 6 В.
Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В. Ответ в мА/В.Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В.