Артикул: 1130632

Раздел:Технические дисциплины (80968 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1858 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (465 шт.)

Название или условие:
Задача 17
Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если обратное повторяющееся напряжение диода составляет Uобр.макс, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.мах.
Определите величину обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов равны rобр1, rобр2, rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах.
Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если предельный прямой ток одного диода составляет Iпр.макс, а ток нагрузки – Iн.
Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.
Исходные данные к задаче приведены в таблице 3.

Описание:
Подробное решение в WORD

Изображение предварительного просмотра:

<b>Задача 17 </b><br />Рассчитайте необходимое количество последовательно соединенных диодов, если обратное повторяющееся напряжение диода составляет Uобр.макс, максимальное значение обратного напряжения в схеме выпрямления на ветви с последовательно включенными диодами U´обр.мах. 	<br />Определите величину обратного напряжения на каждом диоде, если обратные сопротивления диодов равны rобр1, rобр2, rобр3. Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания обратного напряжения на диодах. 	<br />Рассчитайте необходимое количество параллельно соединенных диодов, если предельный прямой ток одного диода составляет Iпр.макс, а ток нагрузки – Iн. <br />Сделайте выводы по результатам расчетов. Поясните причину неравномерного распределения и способы выравнивания токов параллельно включенных диодов.  <br />Исходные данные к задаче приведены в таблице 3.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Входное сопротивление полевого транзистора с изолированным затвором:
1. 10 Ом 2. 100 Ом. 3. 106 Ом
По какой схеме включен транзистор и в каком режиме работает, если входное и выходное напряжения имеют соответствующие значения:
Uвх = 8.5 В
Uвых = 8 В
Расшифруйте индексы вх и вых напряжений.

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Выходная характеристика полевого транзистора
1. Ic = f(Uс-и), Uз-и = const
2. Iз = f(Uз-и), Uс-и = const
3. Iс = f(Uз-и), Uс-и = const
СОВРЕМЕННЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ (Лабораторная работа)
4.1. Исследование МОП транзистора
4.1.1. Основные положения
4.1.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на МОПТ
4.2. Исследование биполярного транзистора с изолированным затвором
4.2.1. Основные положения4.2.3. Самостоятельное исследование ВАХ и схемы ключа на БТИЗ

Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Имеются два полупроводниковых материала с собственными концентрациями носителей ni1 и ni2 и шириной запрещенных зон φз1 и φз2, NC=NV.
а) Докажите, что выполняется соотношение
б) Докажите, что выполняется условие
Обоснуйте полученные результаты