Артикул: 1105311

Раздел:Технические дисциплины (68565 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1622 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (398 шт.)

Название или условие:
Лабораторная работа №2
ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ТЕРМОВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛЕНКИ ПО ТОЛЩИНЕ


Описание:
Цель работы: изучить влияние геометрии испарения на распределение пленки по толщине для различных типов испарителей и материалов.

Теоретическая часть
ХОД РАБОТЫ
Исходные данные
1. Для химического элемента определить скорость испарения Vu для заданных значений Р и Тu.
2. Исследование распределений толщины пленки, создаваемых точечным и с малой поверхностью испарителями.
2.1. Построить график распределения плёнки по толщине d/d0 для различных значений l/h
2.2. Найти расстояние испаритель - подложка h, которое обеспечивает неравномерность распределения толщины пленки d/d0 = 0,9, размеры подложки 30 х 48 мм
3. Исследовать влияние расстояния испаритель-подложка h на распределение толщины пленки, создаваемого тонким кольцевым испарителем при следующих условиях: радиус кольца испарителя s = 50 мм; диапазон изменения h/s [0.5; 1.6]; диапазон изменения l\h [0; 4].
4. Исследовать влияние расстояния испаритель-подложка h на распределение толщины пленки, создаваемого дисковым испарителем при следующих условиях: радиус диска испарителя s = 50 мм; диапазон изменения h/s [0.5; 1.6]; диапазон изменения l\h [0; 4].
5. Для точечного, малой поверхностью, тонкого кольцевого и дискового испарителей найти массу навески Ме и время напыления t для получения толщины пленки d = 1 мкм в центре подложки размерами 30 х 48 мм. Массу навески (количество испаренного материала) Ме определить по соответствующим формулам, а время t из выражения Me = VuAt, где A = 1 см2. Расстояние испаритель – подложка составляет 100 мм.
ВЫВОД

Всего: 15 страниц






Изображение предварительного просмотра:

Лабораторная работа №2  <br /> ВЛИЯНИЕ ГЕОМЕТРИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПРОЦЕССА ТЕРМОВАКУУМНОГО НАПЫЛЕНИЯ НА РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ПЛЕНКИ ПО ТОЛЩИНЕ <br />

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Имеем диоды, выполненные из полупроводниковых материалов германия и кремния.
А) Докажите, что выполняется соотношение: (см. рисунок) Где rдSi; rдGe – дифференциальные сопротивления переходов. Доказательство провести для условий, что составляющие тепловых токов и внешние напряжения, приложенные к диодам, одинаковые
Б) Рассчитайте температурную зависимость отношения дифференциальных сопротивлений пункта а) при изменении температуры от -40 до 80 °С.

Какой режим работы транзистора соответствует области 1 на передаточной характеристики транзисторного ключа?
1. Активный
2. Отсечки
3. Насыщения
4. Инверсный
5. Малого тока базы

Практическое задание № 1
Расчет h-параметров биполярных транзисторов по статическим характеристикам

Цель работы: располагая вольт-амперными характеристиками транзистора, графическим путем определить низкочастотные значения h-параметров.

Для диода с резким p-n-переходом рассчитать:
1) концентрацию основных и неосновных носителей в базе диода;
2) подвижность основных и неосновных носителей в базе диода;
3) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в базе диода;
4) удельное сопротивление базы;
5) контактную разность потенциалов;
6) концентрацию основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
7) подвижность основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
8) коэффициенты диффузии для основных и неосновных носителей в эмиттере диода;
9) удельное сопротивление эмиттера.
Построить вольт-амперную характеристику диода.
Вариант 40
Дано
Материал: Ge
Тип диода: p+–n
T=395 К;
Uобр доп=290 В;
jн=0,12 А/см2;
S=10-3 см2
Приведите графическое изображение вольт-амперных характеристик представленного на рисунке полупроводникового прибора. Обозначьте на них его основные параметры и дайте их определение.
Задача 2
Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ, UЭ, UК относительно общей шины (φ=0)
Вариант 1
Дано
Rк=4,7 кОм;
Rэ=3,3 кОм;
V=10 В;
Uб=8 В;

Лабораторная работа 2
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Цель работы: Овладение методикой экспериментального исследования и приобретение опыта практических испытаний полупроводникового выпрямительного диода и полупроводникового стабилитрона (далее просто диода и стабилитрона).
Вариант 22 (Диод 1N914; Стабилитрон 1N4748)

Вопрос 19
Рассчитать сопротивление в цепи базы Rб транзисторного ключа, представленного на рисунке, при котором транзистор находится в состоянии насыщения. Ответ записать в кОм.
Iбнас=0,171 мА, Uвх=3,16В, S=1,89

Чтобы тиристор из открытого состояния переключить в закрытое, необходимо:
1. Отключить управляющий электрод
2. Через управляющий электрод подать импульс тока обратной полярности
3. Увеличить напряжение на управляющем электроде
Лабораторная работа 13
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ.

Цель работы: изучение свойств и экспериментальные исследования биполярных транзисторов.
Вариант 22 (транзистор 2N6058)