Артикул: 1101509

Раздел:Технические дисциплины (66665 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1418 шт.)

Название или условие:
Произвести анализ статического и динамического режимов работы каскада с общим эмиттером (рис.1) при исходных данных (Табл.1).
Дополнительные данные:
- сопротивление источника сигнала Rг = 100∙N1 Ом;
- сопротивление нагрузки каскада Rн = 1∙N1 кОм;
- емкость нагрузки Сн = 100∙N1 пФ.

Описание:
1.1 Определить статические параметры каскада с общим эмиттером: токи коллектора Iко и базы Iбо в рабочей точке, требуемый и фактический коэффициенты температурной стабилизации каскада при Траб = 60 оС.

1.2 По параметрам схемы каскада с общим эмиттером:
Определить динамические параметры каскада:
- коэффициенты усиления по напряжению Ко, току Кi и мощности Кp;
- сквозной коэффициент усиления Кс = Квх∙Ко;
- выходное напряжение насыщения Uвыхmax и Uвхmax;

1.3. Определить значения входного и выходного сопротивлений, коэффициента усиления при отключении емкости конденсатора в цепи эмиттера.

1.4. Показать изменение высшей частоты усиления при введении простой высокочастотной коррекции с Lк = 40∙N2 = 40∙8 = 320 мкГн.

1.5. Определить параметры выходного импульсного сигнала при длительности входного импульса tи = 10τн (τн – постоянная времени низких частот каскада), tи = 100 мкс.

Подробное решение в WORD - 8 страниц

Изображение предварительного просмотра:

Произвести анализ статического и динамического режимов работы каскада с общим эмиттером (рис.1) при исходных данных (Табл.1). <br />Дополнительные данные: <br />- сопротивление источника сигнала R<sub>г</sub> = 100∙N1 Ом; <br />- сопротивление нагрузки каскада R<sub>н </sub>= 1∙N1 кОм; <br />- емкость нагрузки С<sub>н</sub> = 100∙N1 пФ.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Измерительный усилитель с блоком питания и устройством измерения частоты входного сигнала (Курсовая работа)
Самостоятельная работа по теме «Полупроводниковые приборы»
№ 1.10 Какие диоды используются для генерации электрических колебаний:
№ 1.11 У какого транзистора входное сопротивление максимальное:
№ 1.12 По вольт-амперной характеристике выпрямительного диода, изображённой на рис. 26, определите сопротивление диода по постоянному току при включении тока в прямом и обратном направлении, если к диоду приложено напряжение Uпр = 0,5 В и Uобр = – 50 В.
№ 1.13 Нарисуйте три схемы включения транзистора: с общей базой (ОБ), с общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК).
№ 1.14 Какие приборы называют оптронами (оптопарами)?

Задача 2. Расчет допустимой перегрузки полупроводникового диода по току
В задаче требуется:
1. Рассчитать рабочие перегрузки полупроводникового прибора с охладителем при заданной температуре охлаждающей среды, скорости охлаждающего воздуха, предназначенного для работы в схеме силового однофазного ключа регулятора мощности, и построить семейство перегрузочных характеристик для предварительной нагрузки, равной значениям 0; 0,2; 0,4; 0,6;0,8 максимально допустимого среднего тока полупроводникового прибора и длительности перегрузки, равной значениям 0,1; 1,0; 10; 100; 1000 с.
2. Результаты расчёта представить в виде таблиц и графиков.
Задано.
Тип полупроводникового прибора: Т253-1250.
Температура охлаждающей среды: 0⁰ С.
Скорость охлаждающего воздуха: 0 м/с.
Полевой транзистор с изолированным затвором с каналом p-типа (МДП)
5. В три плеча мостовой схемы на рис. 5.1 включены линейные сопротивления Z2, Z3, Z4, а в одно плечо – идеальный диод с характеристикой, изображенной на рис. 5.2. К зажимам c и d схемы присоединен источник синусоидальной ЭДС e=100∙sinωt.
Построить кривую напряжения между точками a и b во времени. Определить среднее за период значение этого напряжения. Значения Z приведены в таблице
Вариант 5д

Комплементарное соединение транзисторов (ОЭ-ОЭ и ОК-ОБ)
Ответ на теоретический вопрос - 2 страницы
Задача 26. Усилитель имеет коэффициент усиления Кu = 100 и охвачен положительной обратной связью по напряжению с коэффициентом передачи β = 0,01. Определить коэффициент усиления Кос усилителя с обратной связью.Частота среза ωс фильтра, изображенного на рисунке, определяется по формуле:
Выберите один ответ

Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания:
1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор.
2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы;
3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить:
- коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером.
Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.

Задача 3.2.
Определить точку покоя резисторного усилителя (рис. 2.3) на транзисторе 2Т860 А, если: Uп = 16 В, Rк = 9,0 Ом, Rэ= 1 Ом, Rб1 = 650 Ом, Rб2= 100 Ом, h21э = 140. Характеристики транзистора приведены в приложении на рис. П.1. Определить дифференциальный параметр h11э в точке покоя.
Вариант 2