Артикул: 1083867

Раздел:Технические дисциплины (67122 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1518 шт.) >
  Физические основы электроники (ФОЭ) (359 шт.)

Название или условие:
1. Провести расчет φk , Is и rб диодов на основе германия и кремния.
2. Рассчитать и построить ВАХ диодов при 300 К с учетом сопротивления базы.
Вариант 10
Данные к расчету:
Концентрация атомов акцепторной примеси Nа = 1 ∙ 1018
Концентрация атомов донорной примеси Nd = 10 * 1015 см-3 = 1016
Протяженность (толщина) р+ -слоя Wp = 20 мкм = 0.002 см
Протяженность (толщина) n -базы Wn = 200 мкм = 0,02 см
Площадь р-n-перехода S = 0.2 мм2 = 0,002 см2
Время жизни дырок в n-области τp = 100 мкс = 10-4 с
Время жизни электронов в р-области τn = 1 ∙ 10-9 с

Описание:
Подробное решение в WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=6 мА, ΔI2 =24 мА, ΔU1 = 0,2 В, ΔU2 = 3 В. Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=2 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,5 В, ΔIз = 1 мкА. Ответ в мА/В.
Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,5 В, ΔU2 = 4 В. Определить входное сопротивление полевого транзистора ΔIс=3,5 мА, ΔUзи =0,5 В, ΔUси = 1,75 В, ΔIз = 0,25 мкА. Ответ в кОм
Определить коэффициент передачи тока биполярного транзистора ΔI1=3 мА, ΔI2 =18 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 5 В. Определить входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=2 мА, ΔI2 =20 мА, ΔU1 = 0,6 В, ΔU2 = 4 В. Ответ в кОм.
Определить выходное сопротивление полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,75 В, ΔUси = 0,5 В, ΔIз = 0,2 мкА. Ответ в Ом.Определить выходную проводимость биполярного транзистора ΔI1=1 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,4 В, ΔU2 = 3 В. Ответ в мА/В.
Определить крутизну стоко-затворной характеристики полевого транзистора ΔIс=1 мА, ΔUзи =0,2 В, ΔUси = 1 В, ΔIз = 2 мкА. Ответ в мА/В.Определить коэффициент обратной связи биполярного транзистора в схеме с ОЭ при ΔI1=4 мА, ΔI2 =30 мА, ΔU1 = 0,3 В, ΔU2 = 3 В.