Артикул: 1082869

Раздел:Технические дисциплины (59346 шт.) >
  Радиоэлектроника и радиотехника (155 шт.)

Название или условие:
К последовательному колебательному контуру подключен источник гармонического сигнала с амплитудой 1 В и частотой 3 МГц. Контур настроен на частоту источника и имеет параметры: С=60 пФ, R=20 Ом. Определить амплитуду напряжения на емкости при расстройке Δf=18 кГц.

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

12.9(УО). Схема преобразователя частоты на полевом транзисторе изображена на рис. I.12.1. Колебательный контур настроен на промежуточную частоту ωпр = Iωс - ωгI. Резонансное сопротивление контура Rрез = 18 кОм. Ко входу преобразователя приложена сумма напряжение полезного сигнала uс(t) = 50cosωct мкВ и напряжение гетеродина uг(t) = 0,8cosωгt В. Характеристика транзистора описана в условиях задачи 12.5. Найдите амплитуду Um пр выходного сигнала на промежуточной частоте.	12.8. В диодном преобразователе частоты, который описан в задаче 12,7, к диоду приложено напряжение u(t) = U0 + 1,2cosωгt В. Определите, при каком напряжение смещение U0 < 0 крутизна преобразования составит величину 1,5 мА/В.
Анализ прохождения однотонального АМ-сигнала через резонансный усилитель (Курсовая работа) Транзистор, согласно заданию, должен быть типа BC847A	Проходная характеристика транзистора, работающего в схеме коллекторного детектора (рис. 1.11.5), аппроксимирована многочленом второй степени ik=a0+a1(uбэ+U0)+a2(uбэ+U0)2. На вход детектора подан сигнал uбэ (t)=U0+Um (1+M1cosΩ1 t+M2 cosΩ2 t)cosω0 t. Найдите переменную низкочастотную составляющую uвых нч (t) напряжения на выходе детектора
Используя график модуляционной характеристики, оцените наибольшее значение коэффициента модуляции Mmax, при котором еще обеспечивается приближенно линейность закона модуляции.	Антенно-фидерные устройства Задача №3. Данные: центральная частота диапазона – 12,8 ГГц, расстояние между пунктами A и В – 20 км, диаметр параболической антенны в пункте А – 1,5 м, Диаметр параболической антенны в пункте В – 1,2 м, коэффициент использования аппретуры антенны – 0,6, мощность передатчика 28 дБм.
Входное сопротивление диодного детектора определяют как отношение амплитуды входного гармонического напряжения Umвx к амплитуде первой гармоники тока Im1 через диод Rвх = Umвx/ Im1. Докажите, что если SRн ≫ 1, то Rвх ≈ Rн/2.	11.22(O). Коллекторная цепь усилителя, рассмотренного в задаче 11.19, содержит колебательный контур, настроенный на частоту второй гармоники входного сигнала. Резонансное сопротивление контура Rрез = 8,6 кОм. Найдите амплитуду колебательного напряжение Umвых на коллекторе транзистора.
12.6(УО). Применительно к условиям задачи 12,5 выберите амплитуду напряжения гетеродина Uг таким образом, чтобы обеспечить крутизну преобразования Sпр = 6 мА/B. Решение	11.21(О). Применительно к данным задачи 11.19 определите мощность P0, потребляемую усилителем от источника питания, полезную мощность P1вых, выделяемую током первой гармоники в колебательном контуре, мощность Рпот, рассеиваемую в виде теплоты на коллекторе транзистора, а также КПД усилителя.