Артикул: 1078243

Раздел:Технические дисциплины (57837 шт.) >
  Электроника (в т.ч. микроэлектроника и схемотехника) (1334 шт.)

Название или условие:
Квантовые парамагнитные усилители (реферат)

Описание:
ВВЕДЕНИЕ
1. Энергетические уровни парамагнитных веществ
2. Получение инверсии населенностей в парамагнитном веществе
3. Разновидности КПУ и их параметры
4. Особенности устройства и применения КПУ
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ

17 страниц WORD

Процесс покупки очень прост и состоит всего из пары действий:
1. После нажатия кнопки «Купить» вы перейдете на сайт платежной системы, где можете выбрать наиболее удобный для вас способ оплаты (банковские карты, электронные деньги, с баланса мобильного телефона, через банкоматы, терминалы, в салонах сотовой связи и множество других способов)
2. После успешной оплаты нажмите ссылку «Вернуться в магазин» и вы снова окажетесь на странице описания задачи, где вместо зеленой кнопки «Купить» будет синяя кнопка «Скачать»
3. Если вы оплатили, но по каким-то причинам не смогли скачать заказ (например, случайно закрылось окно), то просто сообщите нам на почту или в чате артикул задачи, способ и время оплаты и мы отправим вам файл.
Условия доставки:
Получение файла осуществляется самостоятельно по ссылке, которая генерируется после оплаты. В случае технических сбоев или ошибок мозно обратиться к администраторам в чате или на электронную почту и файл будет вам отправлен.
Условия отказа от заказа:
Отказаться возможно в случае несоответсвия поулченного файла его описанию на странице заказа.
Возврат денежных средств осуществляется администраторами сайта по заявке в чате или на электронной почте в течении суток.

Похожие задания:

Рассчитать схему параметрического стабилизатора, если R14=1к, Uст=9,1 В, Iст=150мА, Е5=12В ±15%. Будет ли работать корректно схема, если Е5 уменьшится до 9,5 В (рисунок 2)
Составить таблицу истинности нижеприведенного триггера:
Задача 18
Начертите схему резисторного каскада усиления на транзисторе p-n-p с фиксированным напряжением смешения базы с термокомпенсацией и эмиттерной стабилизацией режима. Поясните назначение всех элементов схемы. Рассчитайте коэффициент усиления каскада по напряжению в относительных единицах и децибелах при Uвх.т = 30 В, Uвых.т = 2,7 В.
По заданным входным и выходным характеристикам определить h-параметры транзистора
Исходные данные: Uкэ=20 В; Iб=150 мкА

Задача 2
Определить токи транзистора IБ, IЭ, IК и напряжения на его зажимах UБ,UЭ,UК относительно общей шины (φ=0)
Вариант 2
Дано
Rк=4,7 кОм;
Rэ=3,3 кОм;
V=+10 В;
Uб=0 В;

Задача 6. В данной задаче выполнить следующие задания:
1) Дать краткое описание принципа работы электронного устройства: Микропроцессор.
2) Составить схему двухкаскадного усилителя с резистивно-емкостной связью между каскадами на биполярных транзисторах из элементов, указанных на рис. 6. Схема включения транзисторов – с общим эмиттером. Объяснить назначение элементов схемы;
3) По заданным параметрам транзистора: h11Э=1050 Ом; h21Э = 50 ; h22Э =5•10-5 См; нагрузочном сопротивлении RH=33кОм=33∙103 Ом определить:
- коэффициенты усиления по току ,напряжению, мощности; входное сопротивление усилителя, выполненного на транзисторе с общим эмиттером.
Расчеты выполнить по точным и приближенным формулам, результаты расчетов сравнить и сделать вывод.

Задача 1.3
Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи.
Вариант 2
Дано
R1=10 кОм;
R2=15 кОм;
V1=-20 В;
V2=+10 В;

Задача 2. Расчет допустимой перегрузки полупроводникового диода по току
В задаче требуется:
1. Рассчитать рабочие перегрузки полупроводникового прибора с охладителем при заданной температуре охлаждающей среды, скорости охлаждающего воздуха, предназначенного для работы в схеме силового однофазного ключа регулятора мощности, и построить семейство перегрузочных характеристик для предварительной нагрузки, равной значениям 0; 0,2; 0,4; 0,6;0,8 максимально допустимого среднего тока полупроводникового прибора и длительности перегрузки, равной значениям 0,1; 1,0; 10; 100; 1000 с.
2. Результаты расчёта представить в виде таблиц и графиков.
Задано.
Тип полупроводникового прибора: Т253-1250.
Температура охлаждающей среды: 0⁰ С.
Скорость охлаждающего воздуха: 0 м/с.
Задача 2.3
Ek = 9.7 В
β = 50 (Si - кремний)
Определить напряжение коллектор-эмиттер Uкэ - ?

Задача 1.3
Полагая диоды идеальными (напряжение на открытом диоде равно нулю, а сопротивление в запертом состоянии равно бесконечности), найти значение тока I и U для цепи.
Вариант 1
Дано
R1=5 кОм;
R2=10 кОм;
V1=-10 В;
V2=+10 В;